显示面板及其制作方法、以及显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种显示面板及其制作方法、以及显示装置。


背景技术：

2.随着显示技术的快速发展，以及对薄型化、高分辨率、广视角和快响应的显示面板的热切追求，市场上出现了微发光二极管(light-emitting diode,led)显示面板。显示面板中区别于其他显示面板的最重要结构为发光器件层，发光器件层的发光单元为与驱动电路层中的焊盘电连接的无机发光二极管。
3.但在目前的相关技术中，参照图1所示，图中以带箭头的直线表示的出光光路，由于无机发光二极管中多个膜层之间的折射率差异，芯片发出的光很大一部分因反射或折射而大角度出射，或者无法从正面出光，而从侧壁出射的光大部分都为大角度光，大角度出射的光影响清晰度，也影响视角色偏，而从侧壁出射的光降低了出光效率。


技术实现要素：

4.为达到上述目的，本技术采用下述技术方案：
5.本技术第一方面提供了一种显示面板，包括：
6.设置在基板上的驱动电路层，包括阵列排布的多对焊盘，每一对焊盘包括阳极焊盘和阴极焊盘；以及
7.设置在驱动电路层上的发光器件层，包括多个阵列排布的显示单元，每个显示单元与一对焊盘对应焊接，
8.其中，每个显示单元包括至少一个无机发光二极管，每个无机发光二极管包括：
9.形成在衬底上的调光结构和外延结构，以使外延结构发出的光经调光结构后出射。
10.在一些可选的实施例中，调光结构为阵列排布的多个圆柱形的结构单元，相邻两个结构单元中心之间的距离为一个周期，
11.对于每一列结构单元，相邻两个结构单元的半径之和与周期的比值自每列的中心区域至两侧区域逐渐减小，
12.对于每一行结构单元，相邻两个结构单元的半径之和与周期的比值自每行的中心区域至两侧区域逐渐减小。
13.在一些可选的实施例中，无机发光二极管包括：
14.形成在衬底上的多个结构单元；
15.形成在结构单元远离衬底的表面并覆盖衬底的第一导电半导体层；
16.形成在第一导电半导体层上的活性层；以及
17.形成在活性层上的第二导电半导体层，
18.其中，外延结构包括第一导电半导体层、活性层、以及第二导电半导体层，结构单
元的折射率大于第一导电半导体层的折射率，
19.或者
20.形成在衬底上的多个结构单元；
21.形成在结构单元远离衬底的表面并覆盖衬底的缓冲层；
22.形成在缓冲层上的第一导电半导体层；
23.形成在第一导电半导体层上的活性层；以及
24.形成在活性层上的第二导电半导体层，
25.其中，外延结构包括第一导电半导体层、活性层、以及第二导电半导体层，结构单元的折射率大于缓冲层的折射率。
26.在一些可选的实施例中，比值的范围为大于等于0.2且小于等于0.8。
27.在一些可选的实施例中，无机发光二极管还包括：至少覆盖外延结构的反射金属层。
28.在一些可选的实施例中，其中
29.结构单元之间的间距范围为大于等于200nm且小于等于400nm，
30.每个无机发光二极管中的结构单元的高度相同并且高度范围为大于等于500nm且小于等于1000nm。
31.在一些可选的实施例中，显示单元包括：第一无机发光二极管和第二无机发光二极管，
32.第一无机发光二极管和第二无机发光二极管中的每个包括：依次层叠设置在衬底上的调光结构、第一导电半导体层、活性层、第二导电半导体层、以及第一电极和第二电极，活性层和第二导电半导体层部分覆盖第一导电半导体层，
33.其中第一电极形成在第一导电半导体层中未覆盖第二导电半导体层的部分上，第二电极形成在第二导电半导体层上，
34.显示单元还包括导电层，导电层将第一无机发光二极管的第二电极与第二无机发光二极管的第一电极电连接。
35.本技术第二方面提供一种微led显示装置，包括根据上文所述的显示面板。
36.本技术第三方面提供一种制作上文所述的显示面板的方法，包括：
37.在基板上形成驱动电路层，驱动电路层包括阵列排布的多对焊盘，每一对焊盘包括阳极焊盘和阴极焊盘；以及
38.在驱动电路层上形成发光器件层，发光器件层包括多个阵列排布的显示单元，每个显示单元与一对焊盘对应焊接，
39.其中，每个显示单元包括至少一个无机发光二极管，每个无机发光二极管包括：形成在衬底上的调光结构和外延结构，以使外延结构发出的光经调光结构汇聚后出射。
40.在一些可选的实施例中，
41.在驱动电路层上形成发光器件层进一步包括：
42.在衬底上形成调光结构，调光结构包括阵列排布的多个圆柱形的结构单元；
43.在调光结构上依次形成层叠的第一导电半导体层、活性层、以及第二导电半导体层，以形成外延结构；
44.在第二导电半导体层上形成绝缘层，绝缘层覆盖第一导电半导体层、活性层以及
第二导电半导体层的侧壁；以及
45.在绝缘层上形成反射金属层，反射金属层覆盖绝缘层中与侧壁对应的部分。
46.在一些可选的实施例中，显示单元包括：第一无机发光二极管和第二无机发光二极管，
47.在调光结构上依次形成层叠的第一导电半导体层、活性层、以及第二导电半导体层之后，方法进一步包括：在第一导电半导体层中未覆盖第二导电半导体层的部分上形成第一电极，并在第二导电半导体层上形成第二电极，
48.在绝缘层上形成反射金属层之后，方法进一步包括：
49.形成导电层，导电层通过与反射金属层连接而将第一无机发光二极管的第二电极与第二无机发光二极管的第一电极电连接。
50.本技术的有益效果如下：
51.本技术针对目前现有的问题，制定一种显示面板及其制作方法、以及显示装置，并通过提供具有调光结构的无机发光二极管，使得无机发光二极管中用于发光的外延结构发出的光经调光结构汇聚后出射，提高了显示清晰度，解决视角色偏问题；此外，还通过在无机发光二极管侧壁提供反射金属层，将入射到侧壁的光线反射到调光结构后汇聚出射，提高了出光效率，进一步提高了显示的清晰度，解决视角色偏问题，具有广阔的应用前景。
附图说明
52.下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
53.图1示出相关技术的显示面板出射光线的光路示意图；
54.图2示出根据本技术实施例的显示面板的示意性结构图；
55.图3示出根据本技术一实施例的显示面板的无机发光二极管的示意性剖视图；
56.图4示出根据本技术一实施例的显示面板的无机发光二极管中调光结构的俯视图；
57.图5示出根据本技术另一实施例的显示面板的无机发光二极管的示意性剖视图；
58.图6至图11示出根据本技术一实施例的显示面板中的无机发光二极管的制作流程图；
59.图12示出根据本技术另一实施例的显示面板中的无机发光二极管的制作步骤。
具体实施方式
60.为了更清楚地说明本技术，下面结合实施例和附图对本技术做进一步的说明。附图中相似的部件以相同或相似的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本技术的保护范围。
61.需要说明的是，本技术中描述的“具有”、“包含”、“包括”等均为开式的含义，即，当描述模块“具有”、“包含”或“包括”第一元件、第二元件和/或第三元件时，表示该模块除了第一元件、第二元件和/或第三元件外还包括其他的元件。另外，本技术中“第一”、“第二”和“第三”等序数词并不旨在限定具体的顺序，而仅在于区分各个部分。
62.本技术中所述的“在
……
上”、“在
……
上形成”和“设置在
……
上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存
在其它的层。
63.参照图2所示，本技术实施例提供了一种显示面板，包括：
64.设置在基板1上的驱动电路层2，包括阵列排布的多对焊盘21，每一对焊盘包括阳极焊盘和阴极焊盘；以及
65.设置在驱动电路层2上的发光器件层3，包括多个阵列排布的显示单元31，每个显示单元31与一对焊盘对应焊接，
66.其中，每个显示单元包括至少一个无机发光二极管，每个无机发光二极管包括：
67.形成在衬底上的调光结构311和外延结构，以使外延结构发出的光经调光结构311后出射。
68.在本实施例中，通过提供具有调光结构的无机发光二极管，使得无机发光二极管中外延结构发出的光经调光结构汇聚后出射，提高了显示清晰度，解决了视角色偏问题，且提高了显示面板的正视角出光效率，提高了正视角亮度。
69.本实施例中，无机发光二极管的发光面积不超过300000μm2，具体地，可以不超过40000μm2。
70.下面将结合具体的示例对本技术实施例的显示面板的结构进行详细说明。
71.在一具体的示例中参照图3所示，每个显示单元3包括一个无机发光二极管31，无机发光二极管31包括：形成在衬底310上的调光结构311。
72.在本示例中，结合图3和图4所示，其中图4为利用光学成像设备对实际无机发光二极管中调光结构的俯视成像图，白色的虚线框表示一个无机发光二极管中的调光结构俯视图。
73.由图3和图4可见，调光结构311为阵列排布的多个圆柱形的结构单元311-1。相邻两个结构单元311-1中心之间的距离为一个周期t，对于每个无机发光二极管来说，周期t相同。则，对于每一列结构单元311-1，相邻两个结构单元311-1的半径之和ri+r
i+1
(其中，i为正整数，小于一列中结构单元数量的一半)与周期t的比值自每列的中心区域至两侧区域逐渐减小；对于每一行结构单元311-1，相邻两个结构单元311-1的半径之和rj+r
j+1
(其中，j为正整数，小于一列中结构单元数量的一半，未具体示出)与周期t的比值由中心区域至两侧区域逐渐减小。
74.通过该设置，利用以上每行和每列结构单元中半径之和与周期之比变化关系，使得结构单元整体等效为一个透镜，功能上能够实现透镜对光线的汇聚作用。特别值得一提的是，因为显示面板中的无机发光二极管尺寸极小，期望各个膜层的厚度尽量薄，通常为纳米级。而若在无机发光二极管的衬底上直接制作一个透镜，则将达到几十甚至上百微米，而通过设置阵列排布的结构单元来等效完整透镜，能够将调光结构的总体厚度控制在纳米级，使得增加调光结构后无机发光二极管的整体尺寸不受过多影响，满足微led微小化、轻薄化和集成化需求。
75.当然，本领域技术人员应理解，在不考虑厚度的基础上，调光结构也可以为一个真实的透镜，这样的情况下，每个无机发光二极管中将包括形成在衬底上的一个透镜作为调光结构，旨在对出射光进行汇聚，该透镜的厚度将在几十微米量级，在此不再赘述。
76.回到本示例中，当调光结构311包括阵列排布的多个圆柱形的结构单元311-1时，每个无机发光二极管31中的结构单元311-1的高度相同并且高度范围为大于等于500nm且
小于等于1000nm，其厚度是一个真实透镜的1/100，确保芯片的微小化和集成化。
77.为了能够实现优良的透镜等效，可选地，结构单元311-1之间的间距范围为大于等于200nm且小于等于400nm，以上每列结构单元311-1和每行结构单元311-1的上述比值的范围为大于等于0.2且小于等于0.8。也就是说，每一列结构单元311-1中，相邻两个结构单元311-1的半径之和与周期的比值满足大于等于0.2且小于等于0.8，同时每一列结构单元311-1中，相邻两个结构单元311-1的半径之和与周期的比值也满足大于等于0.2且小于等于0.8。
78.进一步可选地，结构单元311-1的半径为大于等于50nm且小于等于100nm，具体尺寸可以根据具体产品合理选择，在此不再赘述。
79.以上设计，通过巧妙设计每个无机发光二极管31中阵列排布的圆柱形的结构单元的间距和半径变化关系，能够以纳米级膜层厚度实现对出射光的汇聚。
80.具体地，继续参照图3所示，无机发光二极管31包括：形成在衬底310上的多个结构单元311-1；形成在结构单元远离衬底310的表面并覆盖衬底310的第一导电半导体层312；形成在第一导电半导体层312上的活性层313；以及形成在活性层313上的第二导电半导体层314。其中，在本技术中，外延结构包括：第一导电半导体层312、活性层313、以及第二导电半导体层314，当在第一导电半导体层312和第二导电半导体层314上施加适当的电压时，在第一导电半导体层312和第二导电半导体层314的作用下，活性层313发光。
81.为了实现对光线进行汇聚的透镜效果，结构单元311-1的折射率还应大于与结构单元形成交界面的第一导电半导体层312的折射率。参照图3所示，当结构单元311-1的折射率大于第一导电半导体层312的折射率时，自活性层313出射的光将在交界面处发射折射，且折射效果为将大角度的光汇聚为较小角度或者零角度出射的光，提高正视出光率，提高显示清晰度，并解决视角色偏问题。
82.进一步具体地，衬底310为透明材质，通常为蓝宝石、红包石等。衬底310也可以可确保透光特性的导电基底或半导体基底。结构单元311-1可以与衬底310的材料相同或者不同，在本示例中，结构单元311-1为与衬底310相同的材料。当二者材料不同时，结构单元311-1的材料可以采用氮化硅(sinx)、氧化硅等具有较高折射率的材料。
83.第一导电半导体层312可以为包含in
x
alyga
1-x-y
n(0≤x《1，0≤y《1，0≤x+y《1)成分的n型氮化物半导体层，n型杂质可以为硅。例如，第一导电半导体层312可以包含n型gan。第二导电半导体314可以为包含in
x
alyga
1-x-y
n(0≤x《1，0≤y《1，0≤x+y《1)成分的p型氮化物半导体层，p型杂质可以为镁。例如，第二导电半导体314可以为单层结构，但是如在一些实施例中，可以具有含有不同成分的多层结构。活性层313可以具有多量子阱(mqw)结构，其中，量子阱层与量子势垒层彼此交替堆叠。例如，量子阱层和量子势垒层可以分别包括in
x
alyga
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的不同成分。在某一示例中，量子阱层可以包括in
x
ga
1-x
n(0《x≤1)的成分，量子势垒层可以包括gan或algan。不过，活性层313不限制于mqw结构，并且可以具有单量子阱(sqw)结构。
84.如图3所示，第一导电半导体层312包括台阶部分，活性层313和第二导电半导体层314形成在该台阶部分上，即，活性层313和第二导电半导体层314部分覆盖第一导电半导体层312，通过该设置可以使得无机发光二极管31的第一电极315-1和第二电极315-2位于同侧以便于同驱动电路层2中的焊盘21对应焊接。当第一导电半导体层312为n型半导体材料
且第二导电半导体层314为p型半导体材料时，第一电极315-1为阴极，第二电极315-2为阳极。继续参照图3所示，通常在第二导电半导体层314与第二电极315-2之间还包括电流扩展层316，以为第二电极315-2与第二导电半导体层314形成良好的欧姆接触。
85.另外，参照图3所示，无机发光二极管31还包括无机保护层320，该无机保护层320可以同时作为平坦化层。在无机保护层320上还包括一对焊盘321，该对焊盘分别通过通孔与第一电极315-1和第二电极315-2电连接，并用于与驱动电路层2中的焊盘21直接对应焊接。
86.在另一些可选的实施例中，在结构单元与第一导电半导体层之间还包括缓冲层。在这种情况下，无机发光二极管将具体包括：形成在衬底上的多个结构单元；形成在结构单元远离衬底的表面并覆盖衬底的缓冲层；形成在缓冲层上的第一导电半导体层；形成在第一导电半导体层上的活性层；以及形成在活性层上的第二导电半导体层。其中，外延结构包括：第一导电半导体层、活性层、以及第二导电半导体层。当然，无机发光二极管还包括第一电极和第二电极，在第二电极与第二导电半导体层之间还可以包括电流扩展层，具体材料和作用于以上实施例类似，此处不再赘述。
87.此时，与结构单元形成交界面的膜层将变为缓冲层，则需要结构单元的折射率大于缓冲层的折射率。当结构单元的折射率大于缓冲层的折射率时，自外延结构中的活性层出射的光将在交界面处发射折射，且折射效果为将大角度的光汇聚为较小角度或者正视出射的光，提高正视出光率，提高显示清晰度，并解决视角色偏问题。
88.为了进一步提高显示面板的出光效率，避免活性层313产生的光自无机发光二极管侧壁出射。可选地，在本技术的实施例的无机发光二极管还包括反射金属层。
89.继续参照图3所示，无机发光二极管31还包括：至少覆盖外延结构侧壁的反射金属层318，反射金属层318可以选择银(ag)、铝(al)等具有强反射性能的材料。当然，在反射金属层318与无机发光二极管31侧壁之间包括绝缘层317。本技术并不旨在对反射金属层318的材料做任何限制，以能够起到良好的反射效果为准。在一些实施例中，反射金属层318还可以延伸至衬底朝向外延结构的表面或衬底的侧表面。
90.在另一可选的实施例中，本技术还提供一种高压无机发光二极管。参照图5所示，在一具体示例中，显示单元31包括第一无机发光二极管31-1和第二无机发光二极管31-2。
91.具体地，参照图5所示，第一无机发光二极管31-1和第二无机发光二极管31-2中的每个包括：依次层叠设置在衬底310上的调光结构311、第一导电半导体层312、活性层313、第二导电半导体层314、以及第一电极315-1和第二电极315-2，活性层313和第二导电半导体层314部分覆盖第一导电半导体层312，
92.其中第一电极315-1形成在第一导电半导体层312中未覆盖第二导电半导体层314的部分上，第二电极315-2形成在第二导电半导体层314上，显示单元31还包括导电层321，导电层321将第一无机发光二极管31-1的第二电极315-2与第二无机发光二极管31-2的第一电极315-1电连接。其中，第一无机发光二极管31-1的第一电极315-1通过焊盘320引出作为阴极焊盘，第二无机发光二极管31-2的第二电极315-2通过焊盘320引出作为阳极焊盘。
93.本领域技术人员应理解，第一无机发光二极管31-1和第二无机发光二极管31-2中每一个的结构与以上参照图3所示的实施例的结构相同，在此不再赘述。
94.通过该设置，通过提供包含集成在一起的两个无机发光二极管的显示单元，并通
过形成导电层321将两个无机发光二极管串联，从而形成具有更高电压的显示单元。
95.需要说明的是，尽管在本示例中示出具有两个串联连接的无机发光二极管的显示单元，本技术并不限于此，为了实现更高的电压，显示单元可以具有更多数量的无机发光二极管，并且类似的，所有无机发光二极管均通过导电层以类似方式串联连接，并以第一个无机发光二极管的第一电极通过焊盘引出作为阴极焊盘，最后一个无机发光二极管的第二电极通过焊盘引出作为阳极焊盘即可，在此不再赘述。
96.相应于显示面板，本技术的实施例还提供一种制作以上实施例所述的显示面板的方法，包括：
97.在基板上形成驱动电路层，驱动电路层包括阵列排布的多对焊盘，每一对焊盘包括阳极焊盘和阴极焊盘；以及
98.在驱动电路层上形成发光器件层，发光器件层包括多个阵列排布的显示单元，每个显示单元与一对焊盘对应焊接，
99.其中，每个显示单元包括至少一个无机发光二极管，每个无机发光二极管包括：形成在衬底上的调光结构和外延结构，以使无机发光二极管发出的光经调光结构汇聚后出射。
100.在本实施例中，通过提供具有调光结构的无机发光二极管，使得每个无机发光二极管中的外延结构发出的光经调光结构汇聚后出射，提高了显示清晰度，解决了视角色偏问题，且提高了显示面板的正视角出光效率，提高了正视角的屏幕亮度，具有广阔的应用前景。
101.为了进一步阐述具体的制作方法，下面参照图6至图11所示的流程图具体描述制作涉及图3的示例的包括一个无机发光二极管的显示单元的制作流程，也就是说，在驱动电路层上形成发光器件层进一步包括一下具体步骤。
102.在步骤s101中，参照图6所示，在衬底310上形成调光结构311，调光结构311包括阵列排布的多个圆柱形的结构单元311-1。
103.其中，衬底310的材料为透明材料，可以为红宝石、蓝宝石等。衬底310也可以可确保透光特性的导电基底或半导体基底。结构单元311-1的材料可以与衬底310相同或者不同，在本示例中，示出与衬底310具有相同材料的结构单元311-1。具体地，在本示例中，通过对衬底310的表面进行图案化形成具有阵列排布的多个圆柱形的结构单元。当然，若二者材料不同，可以先在衬底上沉积形成各结构单元的材料层，再对衬底310的表面进行图案化形成具有阵列排布的多个圆柱形的结构单元，这种情况下，结构单元的材料可以为氮化硅(sinx)、氧化硅等具有较高折射率的材料。
104.参照图7所示，在步骤s102中，在调光结构311上依次形成层叠的第一导电半导体层、活性层、以及第二导电半导体层，以形成外延结构。
105.具体地，首先在调光结构311上形成第一导电半导体层312。
106.可以在调光结构311上形成覆盖调光结构311中的结构单元311-1远离衬底310的表面并覆盖衬底310的第一导电半导体材料层，第一导电半导体材料层的材料可以为包含in
x
alyga
1-x-y
n(0≤x《1，0≤y《1，0≤x+y《1)成分的n型氮化物半导体材料，n型杂质可以为硅。具体通过图案化形成具有台阶部分的第一导电半导体层312。
107.接下来，在第一导电半导体层312上形成活性层313。活性层312形成在台阶部分
上，即，部分覆盖第一导电半导体层312。活性层313可以具有多量子阱(mqw)结构，其中，量子阱层与量子势垒层彼此交替堆叠。例如，量子阱层和量子势垒层可以分别包括in
x
alyga
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的不同成分。在某一示例中，量子阱层可以包括in
x
ga
1-x
n(0《x≤1)的成分，量子势垒层可以包括gan或algan。不过，活性层313不限制于mqw结构，并且可以具有单量子阱(sqw)结构。
108.然后在活性层313上形成第二导电半导体层314。第二导电半导体层314覆盖活性层，并与台阶部分对应。
109.第二导电半导体层314可以为包含in
x
alyga
1-x-y
n(0≤x《1，0≤y《1，0≤x+y《1)成分的p型氮化物半导体层，p型杂质可以为镁。例如，第二导电半导体层314可以为单层结构，但是如在一些实施例中，可以具有含有不同成分的多层结构。
110.本领域技术人员应理解，在形成第一导电半导体层312之前，还可以进一步形成缓冲层，缓冲层可以具有in
x
alyga
1-x-y
n(0≤x≤1,0≤y≤1)的成分。例如，缓冲层可以包括gan、aln、algan或ingan。如果必要的话，缓冲层也可以通过组合多个层或逐渐改变其成分来形成。
111.参照图8所示，在步骤s103中，在形成第二导电半导体314后，在其上形成电流扩展层316，以增强欧姆接触。
112.参照图9所示，在步骤s104中，在第二导电半导体层上形成绝缘层317，绝缘层317覆盖第一导电半导体层312、活性层313以及第二导电半导体层314的侧壁，用以将后续形成的反射金属层与各层电隔离。
113.参照图10所示，在步骤s105中，在绝缘层317上形成反射金属层318，反射金属层318覆盖绝缘层317中与侧壁对应的部分，即，包围侧壁，以对射入到侧壁的光线形成反射。
114.此外，在步骤是105之前或者之后，还可以形成第一电极315-1和第二电极315-2。本技术并不旨在强调二者的先后顺序，只需限定两个分别进行的步骤即可。这是因为，反射金属层318需要与第一电极315-1和第二电极315-2电隔离，因此需要利用图案化的阻挡层遮挡作用下，分两步进行制作。
115.参照图11所示，形成无机保护层319，并图案化在无机保护层319中形成通孔以露出第一电极315-1和第二电极315-2。
116.之后形成覆盖通孔的焊盘320，以引出第一电极315-1的电位作为阴极焊盘和引出第二电极315-2的电位作为阳极焊盘，得到图3所示的无机发光二极管。
117.在另一可选的实施例中，当显示单元3如图5所示包括两个无机发光二极管时，则参照图12所示，
118.在活性层313上形成第二导电半导体层314之后，方法进一步包括：在第一导电半导体层312中未覆盖第二导电半导体层314的部分上形成第一电极，并在第二导电半导体层314上形成第二电极，
119.在绝缘层317上形成反射金属层318之后，方法进一步包括：
120.形成导电层321，导电层321通过与反射金属层318连接而将第一无机发光二极管的第二电极315-2与所述第二无机发光二极管的第一电极315-1电连接。
121.通过该设置，形成串联连接的第一无机发光二极管31-1和第二无机发光二极管31-2，从而提供具有高出光率的高电压显示单元。
122.需要说明的是，尽管在本示例中示出具有两个串联连接的无机发光二极管的显示单元，本技术并不限于此，为了实现更高的电压，显示单元可以具有更多数量的无机发光二极管，并且类似地，所有无机发光二极管均通过导电层以类似方式串联连接，并以第一个无机发光二极管的第一电极通过焊盘引出作为阴极焊盘，最后一个无机发光二极管的第二电极通过焊盘引出作为阳极焊盘即可，在此不再赘述。
123.基于同一发明构思，本技术的实施例还提供一种显示装置，包括上文实施所述的显示面板。
124.由于本技术实施例提供的显示装置中包括的显示面板与上述几种实施例提供的显示面板相对应，因此在前实施方式也适用于本实施例，在本实施例中不再详细描述。
125.在本实施例中，显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、车载显示器、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，通过加载以上显示面板，显示装置可以具有更高的出光效率，相同亮度下具有更低的功耗，更高的竞争力；且显示更清晰，具有广阔的应用前景。
126.本技术针对目前现有的问题，制定一种显示面板及其制作方法、以及显示装置，并通过提供具有调光结构的无机发光二极管，使得每个无机发光二极管发出的光经调光结构汇聚后出射，提高了显示清晰度，解决视角色偏问题；此外，还通过在无机发光二极管侧壁提供反射金属层，将入射到侧壁的光线反射到调光结构后汇聚出射，提高了出光效率，进一步提高了显示的清晰度，解决视角色偏问题，具有广阔的应用前景。
127.显然，本技术的上述实施例仅仅是为清楚地说明本技术所作的举例，而并非是对本技术的实施方式的限定，对于本领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本技术的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术的保护范围之列。