技术特征：
1.一种高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法，其特征在于，包括以下几个步骤：s1、配料阶段：将(sm,re和(co,a)合金粉末按照原子比2:17的比例混合，并加入适量bii3，经过磁场取向成型，得到钐钴磁体生坯；s2、预烧阶段：将钐钴磁体生坯在一定温度条件下进行真空预烧，形成内部具有网状通道结构的磁体；s3、涂敷阶段：将软磁相纳米级fe或co粉末与有机溶剂混合形成扩散源混合溶液，将预烧完成的钐钴磁体浸没到混合溶液中，取出后放入真空烘箱中，干燥，反复3～5次；s4、烧结扩散阶段：将涂敷得到的磁体在氩气保护和强磁场下热处理，得到钐钴复合永磁磁体。2.根据权利要求1所述的高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法，其特征在于：s1中的re为la、dy、tb、er、ce、nd、gd和y稀土元素的一种或多种。3.根据权利要求1所述的高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法，其特征在于：s1中，sm与re的原子比为1:0.0～0.2，(co,a)中co的原子占比为70～95％，a为co,ni,cu,fe,zn,ti,ga,ge元素的一种或多种。4.根据权利要求1所述的高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法，其特征在于：s1中，bii3在磁体中所占质量分数为0.1-3wt％，将钐钴磁粉在1～10t磁场下充分取向并压制成型，其中，坯体的大小为直径5～50mm，厚度为1～10mm。5.根据权利要求1所述的高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法，其特征在于：s2中，预烧真空度为10-5
～10-3
pa，预烧温度为500～600℃，时间为2～3h，bii3挥发，在磁体内部形成网状通道。6.根据权利要求1所述的高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法，其特征在于：s3中，软磁相为fe或co的一种或两种，颗粒大小为10nm～200nm，所述的有机溶剂为丙酮或者乙醇溶液，所述真空烘箱的温度为100～150℃，单次烘干时间为10～30分钟。7.根据权利要求1所述的高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法，其特征在于：s4中，强磁场为6～12t,热处理温度为500～800℃，热处理时间为6～11h。
技术总结
本发明公开了一种高性能扩散钐钴复合永磁磁体的制备方法，包括以下步骤：按照(Sm，Re)2(Co,A)
技术研发人员：杨杭福 吴琼 葛洪良 张方远 申屠航 李宇航
受保护的技术使用者：东阳富仕特磁业有限公司
技术研发日：2022.05.28
技术公布日：2022/8/5