发光装置及其制作方法与流程

1.本发明涉及一种发光装置及其制作方法，尤其涉及一种以发光二极管作为光源的发光封装装置及其制作方法。


背景技术：

2.在由发光二极管晶粒(light emitting diode chip)所制作的发光封装装置中，由于封装材料 (例如白色反射层)具有可透光性，因此在特定的位置或方向产生不想要的漏光，使得发光封装装置例如在背光的应用上，会降低显示屏幕的对比度(contrast)，而进一步地影响显示品质。


技术实现要素：

3.本发明提供一种发光单元，其具有较佳的出光品质。
4.本发明的发光装置，包括发光单元、荧光层、反射层以及吸光层。发光单元具有顶面、相对于顶面的底面以及位于顶面与底面之间的侧面。发光单元包括设置于底面的电极。荧光层设置于发光单元的顶面上。反射层覆盖发光单元的侧面。吸光层覆盖反射层，以使反射层位于发光单元的侧面与吸光层之间。
5.基于上述，本发明的发光单元具有较佳的出光品质。
6.本发明提供一种发光单元的制作方法，其所制作的发光装置具有较佳的出光品质。
7.本发明的发光装置的制作方法包括以下步骤：提供发光单元，其具有顶面、相对于顶面的底面以及位于顶面与底面之间的侧面，且发光单元包括设置于底面的电极；配置发光单元于荧光材料上，以使发光单元的顶面面向荧光材料；形成反射层，以覆盖发光单元的侧面；以及形成吸光层，以覆盖反射层，而使反射层位于发光单元的侧面与吸光层之间。
8.基于上述，通过本发明的发光装置的制作方法所制作的发光装置具有较佳的出光品质。
附图说明
9.图1a至图1i是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的部分制作方法的部分剖视示意图；
10.图1j是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的部分剖视示意图；
11.图2是依照本发明的第二实施例的一种发光装置的部分剖视示意图；
12.图3a至图3c是依照本发明的第三实施例的一种发光装置的部分制作方法的部分剖视示意图；
13.图3d是依照本发明的第三实施例的一种发光装置的部分剖视示意图；
14.图4是依照本发明的第四实施例的一种发光装置的部分剖视示意图；
15.图5a至图5d是依照本发明的第五实施例的一种发光装置的部分制作方法的部分
剖视示意图；
16.图5e是依照本发明的第五实施例的一种发光装置的部分剖视示意图；
17.图6是依照本发明的第六实施例的一种发光装置的部分剖视示意图；
18.图7a至图7c是依照本发明的第七实施例的一种发光装置的部分制作方法的部分剖视示意图；
19.图7d是依照本发明的第七实施例的一种发光装置的部分制作方法的部分剖视示意图；
20.图8是依照本发明的第八实施例的一种发光装置的部分剖视示意图；
21.图9a至图9f是依照本发明的第九实施例的一种发光装置的部分制作方法的部分剖视示意图；
22.图9g是依照本发明的第九实施例的一种发光装置的部分剖视示意图；
23.图10是依照本发明的第十实施例的一种发光装置的部分剖视示意图；
24.图11a至图11d是依照本发明的第十一实施例的一种发光装置的部分制作方法的部分剖视示意图；
25.图11e是依照本发明的第十一实施例的一种发光装置的部分剖视示意图；
26.图12是依照本发明的第十二实施例的一种发光装置的部分剖视示意图。
27.附图标记说明
28.101、102、202、301、302、402、501、502、602、701、702、802、901、902、1002、 1101、1102、1202:发光装置
29.110:发光单元
30.110a:顶面
31.110b:底面
32.110c:侧面
33.111:发光二极管晶粒
34.112:电极
35.120、920:粘着层
36.120d:内凹倾斜的曲面
37.129:粘着材料
38.130、230、330、430:荧光层
39.132、332:低浓度荧光层
40.131、331:高浓度荧光层
41.140、340:荧光材料
42.142、342:低浓度荧光材料
43.141、341:高浓度荧光材料
44.140h:厚度
45.340a:放置平台
46.347:沟槽
47.150、550、1150:反射层
48.150c、550c:侧面
49.550a:内凹曲面
50.157、357、557、757、957、1157:沟槽
51.159、559、959、1159:反射材料
52.559a:内凹外表面
53.160、560、760:吸光层
54.160a、560a:内凹曲面
55.169、569、969、1169:吸光材料
56.169a、569a:内凹外表面
57.170:电路板
58.91、92、93:载板
59.95、96、97:离型膜
60.d1:厚度方向
具体实施方式
61.除非另有明确说明，本文所使用的方向术语(例如：上、下、顶或底)仅参看所绘附图使用且不意欲暗示绝对定向。
62.除非另有明确说明，否则本文所述任何方法绝不意欲被解释为要求按特定顺序执行其步骤。
63.如本文所使用，除非上下文以其他方式清楚地指示，否则单数个形式的“一”或“所述”包括多数个的对应物。
64.参照本实施例的附图以更全面地阐述本发明。然而，本发明亦各种不同的形式体现，而不应限于本文中所述的实施例。附图中的层与区域的厚度会为了清楚起见而放大。相同或相似的参考号码表示相同或相似的元件，以下段落将不再一一赘述。
65.图1a至图1i是依照本发明的第一实施例的一种发光装置的部分制作方法的部分剖视示意图。
66.请参照图1a，提供荧光材料140。
67.在一实施例中，荧光材料140于载板91上形成，且载板91适于形成荧光材料140的表面上具有离型膜95，但本发明不限于此。举例而言，先在载板91上通过荧光粉与胶体(例如：硅胶(silicone))混合的方法形成荧光胶体。并且，在将前述的荧光胶体固化之后，形成膜状或片状的荧光材料140。前述的荧光粉包括上转换(up-conversion)材料、下转换 (down-conversion)材料或量子点(quantum dot)，但本发明不限于此。
68.在一实施例中，在将前述的荧光胶体静置的过程中，会因为重力，而使荧光胶体中的大部分荧光粉趋于下方(此处为：重力方向的下方)，而使荧光胶体下方区域的荧光粉浓度大于荧光胶体上方区域的荧光粉浓度。也就是说，荧光材料140视为包括彼此堆叠的低浓度荧光材料142以及高浓度荧光材料141。
69.于一实施例中，整个荧光材料140的厚度140h例如是130微米(micrometer，μm)，但本发明不限于此。
70.请参照图1a至图1b，在一实施例中，于载板91(标示于图1a)上形成荧光材料140 之后，通过适当地转置方式将荧光材料140置于另一载板92(标示于图1b)上。载板92适于放
置荧光材料140的表面上具有离型膜96，但本发明不限于此。
71.请参照图1c，提供发光单元110。各个发光单元110包括对应的发光二极管晶粒111及对应的电极112。电极112设置于发光单元110的底面110b，且对应的电极112电性连接于发光二极管晶粒111中对应的半导体层。
72.在一实施例中，发光单元110置于一载板93上。载板93适于放置发光单元110的表面上具有离型膜97，但本发明不限于此。置于载板93上的发光单元110的数量及其对应的位置依据设计上的需求而加以调整，于本发明并不加以限定。为了提升制程的生产量(throughput)，置于载板93上的发光单元110的数量可以是多个。
73.请参照图1c至图1d，于发光单元110的顶面110a(即，相对于底面110b的一表面)上形成粘着材料129。粘着材料129的材质可以透光(例如：硅胶)，通过点胶(dispensing) 的方式将粘着材料129形成于发光单元110的顶面110a上。
74.请参照图1b及图1d至图1e，将发光单元110配置于荧光材料140上。举例而言，通过位于发光单元110上的粘着材料129而使其与荧光材料140相接合。
75.在一实施例中，于将发光单元110与荧光材料140相接合后，构成部分的粘着材料129 的胶体因为被挤压，而溢至发光单元110的侧面110c(即，位于顶面110a与底面110b之间的一表面)。另外，由于表面张力，溢至发光单元110的侧面110c上的前述胶体具有一曲率的斜面，且位于发光单元110的侧面110c上的胶体的厚度随着越靠近发光单元110而逐渐增厚。也就是说，位于发光单元110的侧面110c上的粘着材料的厚度随着越靠近发光单元110 而逐渐增厚。
76.在一实施例中，于将发光单元110与荧光材料140相接合后，发光单元110的顶面110a 与荧光材料140之间仍有部分的粘着材料，但本发明不限于此。在一实施例中，于将发光单元110与荧光材料140相接合后，发光单元110的顶面110a直接接触荧光材料140。
77.在一实施例中，于将发光单元110与荧光材料140相接合后，粘着材料在适当的时机中通过适当的方式而被固化(例如：加热和/或照光)。固化后的粘着材料被称为粘着层120。位于发光单元110的侧面110c上的粘着层120具有内凹倾斜的曲面120d，和/或位于发光单元110的侧面110c上的粘着层120的厚度随着越靠近发光单元110而逐渐增厚。。
78.请参照图1e至图1f，形成反射材料159于荧光材料140上，以覆盖发光单元110。
79.在一实施例中，反射材料159的材质例如包括白胶(例如：聚乙酸乙烯酯(polyvinyl acetate， pva))。在一实施例中，反射材料159的材质例如胶体(例如：硅胶)及混合于其内的反射粒子(例如：二氧化钛粒子)。在一实施例中，反射材料159的材质部分透光，且固化后的反射材料159的折射率(refractive index)小于粘着层120的折射率，而构成对应的全反射界面。
80.在一实施例中，先将载板93移除，然后，于荧光材料140上形成覆盖发光单元110的反射材料159。并且，若(但，不限)反射材料159覆盖发光单元110的电极112的底端(例如：在发光单元110的厚度方向上电极112最远离发光二极管晶粒111处)，则可于适当的时机 (例如：在反射材料159固化前；或，在反射材料159固化后)通过适当的方式(例如：刮除；或，研磨、切割或蚀刻)移除之。
81.在一的实施例中，先于荧光材料140上形成覆盖发光单元110的反射材料159(例如：通过版间填充制程(filling process between two plates))，然后，将载板93移除。
82.请参照图1f至图1g，移除部分的反射材料159(标示于图1f)，以形成暴露出部分的荧光材料140的沟槽157，并形成对应且覆盖发光单元110的反射层150(标示于图1g)。举例而言，位于相邻的两个发光单元110之间的部分反射材料159通过适当的方式(例如：切割或蚀刻)而被移除。
83.在本实施例中，沟槽157暴露出部分的高浓度荧光材料141。
84.在一未示出的实施例中，在移除部分的反射材料159的过程中，部分的高浓度荧光材料 141(例如：接近被移除的反射材料159处的部分高浓度荧光材料141)被些微地移除。
85.在本实施例中，通过图1f至图1g的步骤所形成的沟槽157基本上不暴露出部分的低浓度荧光材料142，但本发明不限于此。
86.请参照图1g至图1h，形成吸光材料169以至少覆盖反射层150的侧面150c。吸光材料 169的材质例如包括胶体(例如：硅胶)及混合于其内的吸光材质(例如：碳黑、黑色染剂、深色染剂、黑色颜料或深色颜料)，但本发明不限于此。
87.在一实施例中，于将构成吸光材料169的胶体覆盖于反射层150的侧面150c时或之后，由于表面张力，而使位于反射反射层150的侧面150c上的胶体的厚度随着越靠近反射层150 而逐渐增厚。也就是说，位于反射层150的侧面150c上的吸光材料169的厚度随着越靠近对应的反射层150而逐渐增厚。
88.在一实施例中，吸光材料169被形成于沟槽157(标示于图1g)内。也就是说，吸光材料169被形成相邻的两个反射层150或相邻的两个发光单元110之间。并且，位于沟槽内的吸光材料169具有对应的内凹外表面169a。内凹外表面169a向荧光材料140的方向内凹。
89.在一实施例中，内凹外表面169a的内凹曲率通过胶量、胶浓度和/或胶黏度而对应调整，但本发明不限于此。
90.请参照图1h至图1i，移除部分的吸光材料169(标示于图1h)、部分的高浓度荧光材料141(标示于图1h，荧光材料140的一部分)及部分的低浓度荧光材料142(标示于图1h，荧光材料140的一部分)，以对应地形成吸光层160(标示于图1i)、高浓度荧光层131(标示于图1i，荧光层130的一部分)及低浓度荧光层132(标示于图1i，荧光层130的一部分)。举例而言，位于相邻的两个发光单元110之间的部分吸光材料169及对应的荧光材料140通过适当的方式(例如：切割或蚀刻)而被移除。也就是说，被移除的部分吸光材料169及部分荧光材料140至少对应于内凹外表面169a。在一实施例中，前述的步骤被称为单一化制程 (singulation process)。
91.经过上述制程后即可大致上完成第一实施例的一种发光装置101的制作。
92.请参照图1i，发光装置101包括发光单元110、荧光层130、反射层150以及吸光层160。发光单元110具有顶面110a、底面110b以及侧面110c。底面110b相对于顶面110a。侧面110c 位于顶面110a与底面110b之间。发光单元110包括设置于底面110b的电极112。荧光层130 设置于发光单元110的顶面110a上。反射层150覆盖发光单元110的侧面110c。吸光层160 覆盖反射层150。反射层150位于发光单元110的侧面110c与吸光层160之间。
93.在本实施例中，吸光层160的底端(例如：在发光装置101的厚度方向d1上吸光层160 最远离荧光层130处)与发光单元110的电极112的底端(例如：在发光装置101的厚度方向上电极112最远离荧光层130处)切齐(例如：位于相同的一水平面上，且厚度方向d1基本上为前述水平面的依法线方向)。
94.在本实施例中，吸光层160的底部具有内凹曲面160a，且内凹曲面160a沿着远离发光单元110的方向凹向荧光层130。
95.在本实施例中，在发光装置101的厚度方向d1上，吸光层160的厚度沿着远离发光单元 110或反射层150的方向逐渐减少。
96.在本实施例中，发光装置101还包括粘着层120。粘着层120覆盖发光单元110的侧面 110c。粘着层120位于发光单元110的侧面110c与反射层150之间。
97.在本实施例中，通过发光装置101的吸光层160，使发光装置101具有更好的应用性。
98.在一实施例中，发光装置101进行适应性地应用。以图1i及图1j为例，通过适当的装置 (例如：取放装置(pick up and place apparatus))或方式(例如：取放制程(pick up and placeprocess))，以将发光装置101从载板92上拾取并置于电路板170上，且使发光单元110的电极112电性连接于电路板170，而视为第一实施例中的另一种形式的发光装置102(标示于图1j)。换句话说，在理解图1j中的发光装置102时，参酌图1i中的发光装置101及其对应的叙述或制造方法(例如：图1a至图1i)。
99.请参照图1j，发光装置102包括发光单元110、荧光层130、反射层150、吸光层160以及电路板170。发光单元110的底面110b面向电路板170，且发光单元110的电极112电性连接于电路板170中对应的线路(未直接示出)。
100.在本实施例中，在发光装置102的厚度方向d1上，吸光层160与电路板170之间的间距沿着远离发光单元110或反射层150的方向逐渐增加。
101.在本实施例中，通过吸光层160，提升发光单元110的电极112与电路板170的电连接良率，而提升发光装置102的出光品质。
102.在本实施例中，通过吸光层160，提升发光装置101或发光装置102的光线出光品质。举例而言，降低侧向的出光；和/或，降低混光现象。
103.图2是依照本发明的第二实施例的一种发光装置的部分剖视示意图。本实施例的发光装置202的制造方法与前述实施例的发光装置(例如：发光装置102)的制造方法相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省略描述。
104.请参照图2，发光装置202包括发光单元110、荧光层230、反射层150以及吸光层160。荧光层230设置于发光单元110的顶面110a上。
105.在本实施例中，荧光层230为单一的膜层，和/或荧光层230各部分的荧光粉浓度基本上相同或相近。
106.图3a至图3d是依照本发明的第三实施例的一种发光装置的部分制作方法的部分剖视示意图。本实施例的发光装置301的制造方法与前述实施例的发光装置(例如：发光装置101) 的制造方法相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省略描述。具体而言，图3a至图3d是接续图1f的步骤的发光装置的部分制作方法的部分剖视示意图。
107.请参照图1f及图3a，移除部分的反射材料159(标示于图1f)及部分的荧光材料140 (标示于图1f)，以形成暴露出部分的荧光材料340的沟槽357，并形成对应且覆盖发光单元110的反射层150(标示于图3a)。举例而言，位于相邻的两个发光单元110之间的部分反射材料159及对应的荧光材料140可以通过适当的方式(例如：切割或蚀刻)而被移除。
108.在本实施例中，荧光材料340包括低浓度荧光材料342及高浓度荧光材料341，且沟槽 357暴露出部分的低浓度荧光材料342。
109.请参照图3a至图3b，类似于前述图1g至图1h的步骤，形成吸光材料169以至少覆盖反射层150的侧面150c。
110.请参照图3b至图3c，类似于前述图1h至图1i的步骤，移除部分的吸光材料169(标示于图3b)及部分的低浓度荧光材料342(标示于图3b，荧光材料340的一部分)，以对应地形成吸光层160(标示于图3c)及低浓度荧光层332(标示于图3c，荧光层330的一部分)。高浓度荧光材料341(标示于图3b，荧光材料340的一部分)直接视为高浓度荧光层331(标示于图3c，荧光层330的一部分)。
111.经过上述制程后即可大致上完成第三实施例的一种发光装置301的制作。
112.请参照图3c，发光装置301包括发光单元110、荧光层330、反射层150以及吸光层160。荧光层330设置于发光单元110的顶面110a上。
113.请参照图3d，类似于图1j所示，在一实施例中，发光单元110的电极112电性连接于电路板170，而视为第三实施例中的另一种形式的发光装置302(标示于图3d)。换句话说，在理解图3d中的发光装置302时，参酌图3c中的发光装置301及其对应的叙述或制造方法 (例如：图1a至图1f及图3a至图3c)。
114.请参照图3d，发光装置302包括发光单元110、荧光层330、反射层150、吸光层160以及电路板170。
115.图4是依照本发明的第四实施例的一种发光装置的部分剖视示意图。本实施例的发光装置402的制造方法与前述实施例的发光装置(例如：发光装置202、302，但不限)的制造方法相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省略描述。
116.请参照图4，发光装置402包括发光单元110、荧光层430、反射层150以及吸光层160。荧光层430设置于发光单元110的顶面110a上。
117.在本实施例中，荧光层430为单一的膜层，和/或荧光层430各部分的荧光粉浓度基本上相同或相近。
118.图5a至图5e是依照本发明的第五实施例的一种发光装置的部分制作方法的部分剖视示意图。本实施例的发光装置501的制造方法与前述实施例的发光装置(例如：发光装置101，但不限)的制造方法相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省略描述。具体而言，图5a至图5e是接续图1e的步骤的发光装置101的部分制作方法的部分剖视示意图。
119.请参照图1e及图5a，形成反射材料559于荧光材料140上，以覆盖发光单元110。反射材料559的材质或形成方式相同或相似于前述的反射材料159。
120.在一实施例中，于将构成反射材料559的胶体直接地或间接地覆盖于发光单元110的侧面110c时或之后，由于表面张力，而使位于发光单元110的侧面110c上的胶体随着越远离发光单元110而逐渐接近荧光材料140。
121.在一实施例中，反射材料559被形成于相邻的两个发光单元110之间。并且，位于两个发光单元110之间的反射材料559具有对应的内凹外表面559a。内凹外表面559a向荧光材料 140的方向内凹。
122.在一实施例中，内凹外表面559a的内凹曲率通过胶量、胶浓度和/或胶粘度而对应调整，但本发明不限于此。
123.在一实施例中，反射材料559不覆盖发光单元110的电极112。
124.请参照图5a至图5b，类似于前述图1f至图1g的步骤，移除部分的反射材料559(标示于图5a)，以形成暴露出部分的荧光材料140的沟槽557，并形成对应且覆盖发光单元110 的反射层550(标示于图5b)。举例而言，位于相邻的两个发光单元110之间的部分反射材料559通过适当的方式(例如：切割或蚀刻)而被移除。
125.在本实施例中，沟槽557暴露出部分的高浓度荧光材料141。
126.在本实施例中，通过图5a至图5b的步骤所形成的沟槽557基本上不暴露出部分的低浓度荧光材料142，但本发明不限于此。
127.请参照图5b至图5c，类似于前述图1g至图1h的步骤，形成吸光材料569以至少覆盖反射层550的侧面550c及内凹曲面550a。吸光材料569的材质或形成方式相同或相似于前述的吸光材料169。
128.在一实施例中，于将构成吸光材料569的胶体覆盖于反射层550时或之后，由于表面张力，而使覆盖于反射层550的胶体随着越远离发光单元110而逐渐接近荧光材料140。
129.在一实施例中，吸光材料569被形成于相邻的两个发光单元110之间。并且，位于两个发光单元110之间的吸光材料569具有对应的内凹外表面569a。内凹外表面569a向荧光材料 140的方向内凹。
130.请参照图5c至图5d，类似于前述图1h至图1i的步骤，移除部分的吸光材料569(标示于图5c)及部分的荧光材料140(标示于图5c)，以对应地形成吸光层560(标示于图5d) 及荧光层130(标示于图5d)。位于相邻的两个发光单元110之间的部分吸光材料669及对应的荧光材料140通过适当的方式(例如：切割或蚀刻)而被移除。也就是说，被移除的部分吸光材料669及部分荧光材料140至少对应于内凹外表面569a。
131.经过上述制程后即可大致上完成第五实施例的一种发光装置501的制作。
132.请参照图5d，发光装置501包括发光单元110、荧光层130、反射层550以及吸光层560。吸光层560覆盖反射层550的侧面550c及内凹曲面550a。侧面550c基本上平行于发光装置 101的厚度方向d1。内凹曲面550a基本上不平行于发光装置101的厚度方向d1。反射层550 位于发光单元110的侧面110c与部分的吸光层560之间。吸光层560的底部具有内凹曲面560a，且内凹曲面560a沿着远离发光单元110的方向凹向荧光层130。
133.在本实施例中，吸光层560的底端(例如：在发光装置101的厚度方向d1上吸光层560 最远离荧光层130处)与发光单元110的电极112的底端(例如：在发光装置101的厚度方向上电极112最远离荧光层130处)切齐(例如：位于相同的一水平面上，且厚度方向d1基本上为前述水平面的依法线方向)。
134.在本实施例中，反射层550的底端(例如：在发光装置101的厚度方向d1上反射层550 最远离荧光层130处)不与发光单元110的电极112的底端切齐。
135.请参照图5e，类似于图1j所示，在一实施例中，发光单元110的电极112电性连接于电路板170，而视为第五实施例中的另一种形式的发光装置502(标示于图5e)。换句话说，在理解图5e中的发光装置502时，参酌图5d中的发光装置501及其对应的叙述或制造方法(例如：图1a至图1e及图5a至图5d)。
136.请参照图5e，发光装置502包括发光单元110、荧光层130、反射层550、吸光层560以及电路板170。
137.在本实施例中，在发光装置502的厚度方向d1上，反射层550与电路板170之间的间距沿着远离发光单元110的方向逐渐增加。
138.在本实施例中，在发光装置502的厚度方向d1上，吸光层560与电路板170之间的间距沿着远离发光单元110的方向逐渐增加。
139.图6是依照本发明的第六实施例的一种发光装置的部分剖视示意图。本实施例的发光装置602的制造方法与前述实施例的发光装置(例如：发光装置202、502，但不限)的制造方法相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省略描述。
140.请参照图6，发光装置601包括发光单元110、荧光层230、反射层550以及吸光层560。
141.图7a至图7c是依照本发明的第七实施例的一种发光装置的部分制作方法的部分剖视示意图。本实施例的发光装置701的制造方法与前述实施例的发光装置(例如：发光装置101、 301、501，但不限)的制造方法相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省略描述。举例而言，图7a至图7c是接续图1e及图5a的步骤的发光装置701的部分制作方法的部分剖视示意图。
142.请参照图5a及图7a，类似于前述图1f及图3a的步骤，移除部分的反射材料559(标示于图5a)及部分的荧光材料140(标示于图5a)，以形成暴露出部分的荧光材料340的沟槽757，并形成对应且覆盖发光单元110的反射层550(标示于图7a)。举例而言，位于相邻的两个发光单元110之间的部分反射材料559及对应的荧光材料140通过适当的方式(例如：切割或蚀刻)而被移除。
143.在本实施例中，荧光材料340包括低浓度荧光材料342及高浓度荧光材料341，且沟槽 357暴露出部分的低浓度荧光材料342。
144.请参照图7a至图7b，类似于前述图5b至图5c的步骤，形成吸光材料569以至少覆盖反射层550的侧面550c及内凹曲面550a。吸光材料569还覆盖沟槽357所暴露出的部分低浓度荧光材料342。吸光材料569的材质或形成方式相同或相似于前述的吸光材料169。
145.在一实施例中，于将构成吸光材料569的胶体覆盖于反射层550时或之后，由于表面张力，而使覆盖于反射层550的胶体随着越远离发光单元110而逐渐接近荧光材料340。
146.在一实施例中，吸光材料569被形成于相邻的两个发光单元110之间。并且，位于两个发光单元110之间的吸光材料569具有对应的内凹外表面569a。内凹外表面569a向荧光材料 340的方向内凹。
147.请参照图7b至图7c，类似于前述图1h至图1i或图5c至图5d的步骤，移除部分的吸光材料569(标示于图7b)及部分的荧光材料340(标示于图5b)，以对应地形成吸光层760 (标示于图5c)及荧光层330(标示于图5c)。位于相邻的两个发光单元110之间的部分吸光材料569及对应的荧光材料340通过适当的方式(例如：切割或蚀刻)而被移除。也就是说，被移除的部分吸光材料569及部分荧光材料340至少对应于内凹外表面569a。
148.经过上述制程后即可大致上完成第七实施例的一种发光装置701的制作。
149.请参照图7c，发光装置701包括发光单元110、荧光层330、反射层550以及吸光层
760。吸光层760覆盖反射层550的侧面550c及内凹曲面550a。侧面550c基本上平行于发光装置 101的厚度方向d1。内凹曲面550a基本上不平行于发光装置101的厚度方向d1。反射层550 位于发光单元110的侧面110c与部分的吸光层760之间。吸光层760的底部具有内凹曲面560a，且内凹曲面560a沿着远离发光单元110的方向凹向荧光层330。
150.在本实施例中，吸光层760的底端(例如：在发光装置101的厚度方向d1上吸光层760 最远离荧光层130处)与发光单元110的电极112的底端(例如：在发光装置101的厚度方向上电极112最远离荧光层130处)切齐(例如：位于相同的一水平面上，且厚度方向d1基本上为前述水平面的依法线方向)。
151.在本实施例中，反射层550的底端(例如：在发光装置101的厚度方向d1上反射层550 最远离荧光层130处)不与发光单元110的电极112的底端切齐。
152.在本实施例中，荧光层330包括高浓度荧光层331和低浓度荧光层332。吸光层760覆盖高浓度荧光层331和低浓度荧光层332。举例而言，吸光层760覆盖高浓度荧光层331的侧面和低浓度荧光层332的部分侧面，且吸光层760暴露出低浓度荧光层332的其余侧面的至少一部分。
153.在本实施例中，通过发光装置701的吸光层760，使发光装置701具有更好的应用性。
154.在一实施例中，发光装置701进行适应性地应用。请参照图7d，类似于图1j所示，在一实施例中，发光单元110的电极112电性连接于电路板170，而视为第七实施例中的另一种形式的发光装置702。换句话说，在理解图7d中的发光装置702时，参酌图7c中的发光装置 701及其对应的叙述或制造方法(例如：图1a至图1e、图5a及图7a至图7c)。
155.请参照图7d，发光装置702包括发光单元110、荧光层330、反射层550、吸光层760以及电路板170。
156.在本实施例中，在发光装置702的厚度方向d1上，反射层550与电路板170之间的间距沿着远离发光单元110的方向逐渐增加。
157.在本实施例中，在发光装置702的厚度方向d1上，吸光层760与电路板170之间的间距沿着远离发光单元110的方向逐渐增加。
158.在本实施例中，通过吸光层760，提升发光单元110的电极112与电路板170的电连接良率，而提升发光装置702的出光品质。
159.在本实施例中，通过吸光层760，提升发光装置701或发光装置702的光线出光品质。举例而言，降低侧向的出光；和/或降低混光现象。
160.在本实施例中，于发光装置701或发光装置702中，相较于低浓度荧光层332，高浓度荧光层331较接近发光单元110。如此一来，在致能发光装置701或发光装置702时，所产生的热量较快速的通过导热件(例如：由金属材料形成的电极112；或，电连接于其的其他金属材料)而导出。
161.在本实施例中，粘着层120、低浓度荧光层331、高浓度荧光层332、反射层550或吸光层760为电绝缘。
162.图8是依照本发明的第八实施例的一种发光装置的部分剖视示意图。本实施例的发光装置802的制造方法与前述实施例的发光装置(例如：发光装置202、702，但不限)的制造方法相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省
略描述。
163.请参照图8，发光装置802包括发光单元110、荧光层430、反射层550以及吸光层760。荧光层430设置于发光单元110的顶面110a上。
164.图9a至图9f是依照本发明的第九实施例的一种发光装置9的部分制作方法的部分剖视示意图。本实施例的发光装置901的制造方法与前述实施例的发光装置(例如：发光装置101，但不限)的制造方法相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省略描述。具体而言，图9a至图9f是接续图1b的步骤的发光装置901的部分制作方法的部分剖视示意图。
165.请参照图1b及图9a，移除部分的荧光材料140(标示于图1b)，以形成外表面上具有多个沟槽347及多个放置平台340a的荧光材料340(标示于图9a)。沟槽347及放置平台340a 彼此对应。举例而言，于荧光材料340中，相较于具有沟槽347处，放置平台340a处的厚度较厚。沟槽347或放置平台340a的数量或形状依据设计上的需求而加以调整。
166.在本实施例中，沟槽347暴露出部分的低浓度荧光材料342。
167.请参照图9a至图9b，于荧光材料340的放置平台340a(标示于图9a)上配置发光单元 110。发光单元110与荧光材料340通过粘着层920而相结合。粘着层920的材质相同或相似于前述的粘着层120。粘着层920至少覆盖发光单元110的侧面110c及放置平台340a的表面。另外，由于表面张力，构成粘着层920的胶体基本上(例如：在适当的胶量下)不会溢出于放置平台340a和/或填入沟槽347。
168.在一实施例中，于将发光单元110与荧光材料340相接合后，发光单元110的顶面110a 与荧光材料340之间仍有部分的粘着材料。举例而言，先在发光单元110的顶面110a上形成适当的粘着材料，然后，使具有粘着材料于其顶面110a上的发光单元110与放置平台340a 的表面相黏合。并且，构成部分的粘着材料的胶体因为挤压，而溢至发光单元110的侧面110c (即，位于顶面110a与底面110b之间的一表面)。
169.在一实施例中，于将发光单元110与荧光材料340相接合后，发光单元110的顶面110a 直接接触荧光材料340。举例而言，先以发光单元110的顶面110a面向放置平台340a的方式将发光单元110配置于放置平台340a上，然后，通过点胶(dispensing)的方式将粘着材料形成于发光单元110的侧面110c上。
170.在一实施例中，粘着材料在适当的时机中通过适当的方式而被固化(例如：加热和/或照光)。固化后的粘着材料被称为粘着层920。
171.请参照图9b至图9c，类似于前述图1e至图1f的步骤，形成反射材料959于荧光材料 340上，以覆盖发光单元110。反射材料959的材质或形成方式相同或相似于前述的反射材料 159。
172.请参照图9c至图9d，类似于前述图1f至图1g的步骤，移除部分的反射材料959(标示于图9c)，以形成暴露出部分的荧光材料340的沟槽957，并形成对应且覆盖发光单元110 的反射层950(标示于图9d)。
173.在本实施例中，沟槽957暴露出部分的低浓度荧光材料342。
174.在本实施例中，在移除部分的反射材料959的过程中，部分的低浓度荧光材料342(例如：接近被移除的反射材料959处的部分低浓度荧光材料342)被些微地移除。
175.请参照图9d至图9e，类似于前述图1g至图1h的步骤，形成吸光材料969以至少覆盖
(标示于图11c)及部分的荧光材料340(标示于图11c)，以对应地形成吸光层1160(标示于图11d)及荧光层330(标示于图11d)。位于相邻的两个发光单元110之间的部分吸光材料1169及对应的荧光材料340通过适当的方式(例如：切割或蚀刻)而被移除。也就是说，被移除的部分吸光材料1169及部分荧光材料340至少对应于内凹外表面569a。
190.经过上述制程后即可大致上完成第十一实施例的一种发光装置1101的制作。
191.请参照图11d，发光装置1101包括发光单元110、荧光层330、反射层1150以及吸光层 1160。吸光层1160覆盖反射层1150的侧面150c及内凹曲面550a。反射层1150位于发光单元110的侧面110c与部分的吸光层1160之间。
192.请参照图11e，类似于图1j所示，在一实施例中，发光单元110的电极112电性连接于电路板170，而视为第十一实施例中的另一种形式的发光装置1102。换句话说，在理解图11e 中的发光装置1102时，参酌图11d中的发光装置1101及其对应的叙述或制造方法(例如：图1a至图1b、图9a至图9b及图11a至图11d)。
193.请参照图11e，发光装置1102包括发光单元110、荧光层330、反射层1150、吸光层1160 以及电路板170。
194.图12是依照本发明的第十二实施例的一种发光装置的部分剖视示意图。本实施例的发光装置1202的制造方法与前述实施例的发光装置(例如：发光装置202、402、1102，但不限) 的制造方法相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省略描述。
195.请参照图12，发光装置1102包括发光单元110、荧光层430、反射层1150以及吸光层 1160。荧光层430设置于发光单元110的顶面110a上。
196.综上所述，本发明的发光单元具有较佳的出光品质，和/或通过本发明的发光装置的制作方法所制作的发光装置具有较佳的出光品质。