阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置与流程

1.本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。


背景技术：

2.与传统的lcd(liquid crystal display，液晶显示器)显示技术相比，oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)具有主动发光、轻薄、响应速度快、稳定性好、驱动电压低、材料种类丰富、高对比度等优点，因此得到广泛应用。
3.制备oled显示面板的过程中，需要在形成驱动电路后制备信号线，用以将各驱动电路与外部集成电路电连接。在信号线上方制备其他膜层时需要应用刻蚀工艺，而该刻蚀工艺会导致已制备的信号线受到一定腐蚀，导致信号线的侧壁上出现沿信号线长度方向延伸的空隙，从而该空隙可能会导致显示面板封装失效。


技术实现要素：

4.本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以解决oled显示面板会因信号线被腐蚀而导致封装失效的问题。
5.第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，其包括基板和设置在所述基板上的驱动电路层；
6.所述驱动电路层包括驱动电路和与所述驱动电路电连接的信号线，所述信号线设置在所述驱动电路远离所述基板的一侧，且所述信号线延伸至所述阵列基板的显示区外侧；
7.所述信号线包括依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；所述第二金属层的至少部分侧壁上设置有隔离部，所述隔离部用于配合所述第一金属层和所述第三金属层对所述第二金属层进行隔离。
8.基于上述的阵列基板，可选地，所述驱动电路包括驱动晶体管，所述信号线的一端与所述驱动晶体管的源极电连接，所述信号线的另一端与位于所述阵列基板的显示区外侧的驱动芯片电连接。
9.基于上述的阵列基板，可选地，所述第二金属层的部分侧壁上设置有隔离部，所述部分侧壁位于所述阵列基板的显示区外侧。
10.基于上述的阵列基板，可选地，其特征在于，所述隔离部为覆盖所述第二金属层的侧壁的表面的氧化物薄膜。
11.基于上述的阵列基板，可选地，所述隔离部的材料为所述第二金属层的金属材料的氧化物。
12.基于上述的阵列基板，可选地，所述第二金属层的材料为铝，所述隔离部的材料为三氧化二铝；所述第一金属层和所述第三金属层的材料相同。
13.基于上述的阵列基板，可选地，所述第一金属层和所述第三金属层的材料均为钛。
14.第二方面，本发明实施例还提供一种显示面板其包括如第一方面任意一项所述的阵列基板。
15.第三方面，本发明实施例还提供一种显示装置，其包括如第二方面所述的显示面板。
16.第四方面，本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法，其包括：
17.在基板上形成驱动电路；
18.在所述驱动电路远离所述基板的一侧形成与所述驱动电路电连接的信号线；所述信号线延伸至所述阵列基板的显示区外侧，所述信号线包括依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；
19.对所述第二金属层的至少部分侧壁进行钝化处理，以在所述第二金属层的至少部分侧壁上形成隔离部；所述隔离部用于配合所述第一金属层和所述第三金属层对所述第二金属层进行隔离。
20.基于上述的显示面板的制备方法，可选地，所述对所述第二金属层的至少部分侧壁进行钝化处理，以在所述第二金属层的至少部分侧壁上形成隔离部，包括：
21.对所述第二金属层的至少部分侧壁进行氧化处理，以在所述第二金属层的至少部分侧壁上形成金属氧化物。
22.基于上述的显示面板的制备方法，可选地，所述对所述第二金属层的至少部分侧壁进行氧化处理，包括：
23.利用氧化性气体对所述第二金属层的至少部分侧壁进行等离子清洗。
24.本发明提供的阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置中，阵列基板包括基板和设置在基板上的驱动电路层；驱动电路层包括驱动电路和与驱动电路电连接的信号线，信号线设置在驱动电路远离基板的一侧，且信号线延伸至阵列基板的显示区外侧；信号线包括依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层，并且，第二金属层的至少部分侧壁上设置有隔离部，隔离部配合第一金属层和第三金属层对第二金属层进行隔离。如此设置，通过第一金属层和第三金属层对第二金属层顶部和底部进行隔离保护，通过隔离部对第二金属层的至少部分侧壁进行隔离保护，从而可以在形成信号线后制备其他膜层时，减轻甚至避免第二金属层受到的腐蚀，进而减轻甚至避免信号线(第二金属层)的侧壁上出现沿信号线长度方向延伸的空隙，避免封装失效等问题。
附图说明
25.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。此外，这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
26.图1为一种现有的显示面板的部分结构示意图；
27.图2为图1中信号线腐蚀前沿垂直于长度方向的剖面结构示意图；
28.图3为图1中信号线腐蚀后沿垂直于长度方向的剖面结构示意图；
29.图4为本发明实施例的一种阵列基板的结构示意图；
30.图5为图4所示阵列基板中的信号线的沿垂直于长度方向的剖面结构示意图；
31.图6为本发明实施例的一种显示面板的结构示意图；
32.图7为本发明实施例的一种阵列基板的制备方法的流程示意图。
33.附图标记说明：
34.1-显示区；2-挡墙；3-信号线；31-第一金属层；32-第二金属层；33-第三金属层；34-空隙；35-隔离部；4-基板；5-驱动电路层；51-驱动晶体管；6-平坦化层；7-阳极；8-像素定义层。
具体实施方式
35.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
36.参照图1，图1为一种现有的显示面板的部分结构示意图。如图1所示的显示面板，其包括显示区1和位于显示区1一侧的挡墙2(dam)，挡墙2起到对显示区1内部的膜层结构(主要是封装层)进行阻挡的作用(辅助封装)。并且，信号线3的一端与显示区1内部的驱动晶体管51电连接(图1中未示出)，而另一端向显示区1外侧延伸，并穿过挡墙2后再电连接至显示区1外侧的驱动芯片(图1中未示出)，以使得驱动芯片能够对驱动电路进行控制。
37.其中，参照图2，图2为图1中信号线3腐蚀前沿垂直于长度方向的剖面结构示意图。如图2所示，信号线3的结构通常是层叠设置的三层结构，三层结构中依次为第一金属层31、第二金属层32和第三金属层33，第二金属层32为导电性较好的材料制成，用于电信号的传输，第一金属层31和第三金属层33则起到对第二金属层32的保护作用。
38.在此基础上，实际制备显示面板过程中，在形成信号线3后，还会在其上方依次形成平坦化层、阳极和像素定义层等等膜层结构，而形成前述结构时，需要首先形成一整层的膜层，再通过刻蚀工艺刻蚀掉不需要的部分。基于此，本发明的发明人研究后发现，进行刻蚀时，涂覆显影液(例如氢氟酸等)和刻蚀液(例如硝酸等)后，显影液和刻蚀液可能会流动至信号线3处，导致对第二金属层32的未被第一金属层31和第三金属层33保护的侧壁部分被腐蚀，从而出现沿信号线3长度方向延伸的空隙34。空隙34的位置如图1中的虚线所示(可以理解，为了便于示意和观察，对空隙34的比例进行了放大)，其沿垂直于信号线3长度方向的剖面结构如图3所示。显示区1外侧的水汽有可能通过该空隙34传输到显示区1(传输方向如图1中的箭头所示)，从而导致封装失效等问题。
39.为了解决上述问题，本发明实施例提出一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，通过在信号线3中增加隔离部结构以实现对信号线3的保护，进而减轻甚至避免信号线3被腐蚀，从而避免封装失效。以下通过示例性实施例对具体方案进行非限制性说明。
40.参照图4和图5，图4为本发明实施例的一种阵列基板的结构示意图，其可以看作是在图1的基础上，沿切割线aa
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的剖面结构示意图，图5为图4所示阵列基板中的信号线3的沿垂直于长度方向的剖面结构示意图。如图4所示，本实施例的阵列基板包括基板4和设置在基板4上的驱动电路层5；驱动电路层5包括驱动电路和与驱动电路电连接的信号线3，信号
线3设置在驱动电路远离基板4的一侧，且信号线3延伸至阵列基板的显示区1外侧(可参照图1所示)并且，如图5所示，信号线3包括依次层叠设置的第一金属层31、第二金属层32和第三金属层33；其中，第二金属层32的至少部分侧壁上设置有隔离部35，隔离部35用于配合第一金属层31和第三金属层33对第二金属层32进行隔离。
41.具体地，由上文分析可知，现有方案中基于第二金属层32侧壁处的空隙34导致封装失效的水汽，是从显示区1外侧进入空隙34并侵入到显示区1的，因此，为了避免水汽侵入，本发明实施例中，至少需要针对第二金属层32侧壁上的水汽能够进入的部分设置隔离部35，也即若第二金属层32的部分侧壁上设置有隔离部35，则所述的部分侧壁位于阵列基板的显示区1外侧。当然，为了更好地对第二金属层32进行保护，也可在第二金属层32的所有侧壁上均设置隔离部35。
42.如此，在第二金属层32的至少部分侧壁上设置隔离部35后，参照图6，在后续的步骤中形成显示面板，也即在信号线3上方依次形成平坦化层6、阳极7和像素定义层8等膜层结构的过程中，刻蚀工艺中的显影液和刻蚀液流动到信号线3处时，会分别被信号线3中的第一金属层31、第三金属层33和隔离部35阻挡，从而减轻甚至避免用于传输电信号的第二金属层32被酸液腐蚀，从而减少或避免信号线3侧壁上出现空隙34，进而避免因空隙34而导致的封装失效或其他问题。
43.并且，实际应用中，在形成信号线3后，制备平坦化层6之前，可在信号线3上方通过薄膜封装工艺(thin film encapsulation，tfe)形成薄膜封装层以进行封装，因此在通过上述实施例的方案减少或避免信号线3侧壁上出现空隙34后，该薄膜封装层可以很好地覆盖该空隙34，避免水汽入侵。而如果采用常规方案(也即不在信号线3侧壁上形成隔离部35)，则由于信号线3侧壁上的空隙34较大，而薄膜封装层的厚度很小，则薄膜封装层不能完全覆盖信号线3侧壁上的空隙34，也即不能完全防止水汽入侵。
44.此外，如图4和5所示，一些实施例中，驱动电路包括驱动晶体管51，信号线3的数量为多个(若非特别说明，本发明各实施例中，多个均指至少两个)，且一部分信号线3的一端与驱动晶体管51的源极电连接，另一端与位于阵列基板的显示区1外侧的驱动芯片(图中未示出)电连接；而另一部分信号线3的一端与驱动晶体管51的漏极电连接，另一端与阳极7电连接。其中，制备完成后的显示面板中，驱动芯片发出的驱动信号通过信号线3传输至驱动晶体管51(的源极)，进而实现对显示面板的发光子像素的发光亮度等的调节。
45.一些实施例中，隔离部35可以为覆盖第二金属层32的侧壁的表面的氧化物薄膜。通过氧化物薄膜，可以至少阻挡一部分显影液和刻蚀液流动至第二金属层32的侧壁处，从而减轻第二金属层32的侧壁受到的腐蚀。
46.进一步地，隔离部35的材料可以为第二金属层32的金属材料的氧化物。如此，可以采用将第二金属层32的侧壁处的金属材料氧化的方式，形成隔离部35，而无需额外在第二金属层32的侧壁上设置特定材料的隔离部35，从而简化工艺，便于实际实施。比如，可以采用氧气或臭氧等具有氧化性的气体，利用等离子清洗(plasma)工艺对第二金属层32的侧壁进行氧化处理，使得第二金属层32的侧壁形成金属氧化物而钝化。
47.比如，一些实施例中，考虑到金属铝具有良好的导电性且密度较小、成本低，因此第二金属层32的材料可以为铝，则相应地，隔离部35的材料可以为铝氧化后形成的致密的三氧化二铝薄膜。
48.当然可以理解的是，隔离部35也可以采用其他材料或工艺形成，只要能够起到隔离的目的均可，对此不进行限制。
49.此外，考虑到第一金属层31和第三金属层33的作用相同，因此一些实施例中，第一金属层31和第三金属层33的材料也相同。比如，第一金属层31和第三金属层33的材料可以均为钛。钛具有密度小、强度高、耐腐蚀等特性，可以对铝等材质的第二金属层32形成有效保护。
50.可见，上述各实施例的阵列基板中，通过第一金属层31和第三金属层33对第二金属层32顶部和底部进行隔离保护，通过隔离部35对第二金属层32的至少部分侧壁进行隔离保护，从而可以在形成信号线3后制备其他膜层时，减轻甚至避免第二金属层32受到的腐蚀，进而减轻甚至避免信号线3(第二金属层32)的侧壁上出现沿信号线3长度方向延伸的空隙34，避免封装失效等问题。
51.此外，在上述方案的基础上，本发明实施例还提供了一种显示面板，其包括如上述任一实施例所述的阵列基板。该显示面板由于具有上述实施例所述的阵列基板，因此可以减轻甚至避免因信号线上的空隙而导致的封装失效等问题。
52.此外，本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括如上述的显示面板。该显示装置可以为智能手机、平板电脑和数码相机等设备的显示装置，其由于具有上述实施例所述的显示面板，因此可以减轻甚至避免因信号线上的空隙而导致的封装失效等问题。
53.此外，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，参照图7，该制备方法包括以下步骤：
54.步骤s101：在基板上形成驱动电路。
55.其中，驱动电路包括驱动晶体管和缓冲层和绝缘层等膜层结构，其具体结构为现有技术，本步骤中可不对其进行改进，因此不再进行详述。
56.步骤s102：在驱动电路远离基板的一侧形成与驱动电路电连接的信号线。
57.其中，信号线延伸至阵列基板的显示区外侧，且信号线包括依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。形成信号线的各层时，可依次在驱动电路上形成第一金属层、第二金属层和第三金属层，第一金属层和第三金属层可以为钛材料，第二金属层可以为铝材料。
58.具体地，形成信号线的步骤主要包括清洗、物理气相沉积、黄光、干刻、剥离和退火等。其为现有技术，因此不再详述。
59.步骤s103：对第二金属层的至少部分侧壁进行钝化处理，以在第二金属层的至少部分侧壁上形成隔离部。
60.其中，隔离部用于配合第一金属层和第三金属层对第二金属层进行隔离。
61.进一步地，一些实施例中，对第二金属层的至少部分侧壁进行钝化处理，以在第二金属层的至少部分侧壁上形成隔离部的步骤中，具体可以包括：对所述第二金属层的至少部分侧壁进行氧化处理，以在第二金属层的至少部分侧壁上形成金属氧化物。其中，至少在位于阵列基板的显示区外侧的第二金属层的部分侧壁上形成金属氧化物。
62.通过氧化处理，可以使得第二金属层的侧壁处的金属材料钝化，从而提高抗腐蚀的能力。
63.更进一步地，可以利用氧化性气体对第二金属层的至少部分侧壁进行等离子清
洗，从而对第二金属层的至少部分侧壁进行氧化处理。
64.当然，也可以采用其他方式对第二金属层的至少部分侧壁进行氧化处理，只要能够在第二金属层的侧壁上形成有效隔离腐蚀的膜层均可，具体不进行限制。
65.通过上述制备方法制备得到的阵列基板的功能和效果可参照前述实施例的说明，此处不再赘述。
66.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。