半导体结构和半导体结构的制造方法与流程

本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构和半导体结构的制造方法。

背景技术：

1、为提高半导体结构的集成度，可以在同一封装结构内放置一个以上的存储芯片。hbm(high bandwidth memory，高带宽内存)是一款新型的内存。以hbm为代表的存储芯片堆叠技术，将原本一维的存储器布局扩展到三维，即将很多个存储芯片堆叠在一起并进行封装，从而大幅度提高了存储芯片的密度，并实现了大容量和高带宽。

2、然而，随着堆叠层数的增加，hbm的性能有待提升。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法，至少有利于提高半导体结构的性能。

2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：基板，所述基板具有供电端口；存储模块，位于所述基板的上表面；所述存储模块包括在第一方向上堆叠的多个存储芯片，所述第一方向平行于所述基板的上表面；每个所述存储芯片具有供电信号线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电信号线与所述供电布线层电连接；所述供电布线层位于所述存储模块内，且所述供电布线层远离所述基板的端面被所述存储模块露出；所述端面还具有焊接凸块；引线框架，与所述焊接凸块连接；所述引线框架还与所述供电端口电连接。

3、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制造方法，制造方法包括：提供基板，所述基板具有供电端口；提供存储模块；所述存储模块包括在第一方向上堆叠的多个存储芯片；每个所述存储芯片具有供电信号线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电信号线与所述供电布线层电连接；所述供电布线层位于所述存储模块内，且所述供电布线层远离所述基板的端面被所述存储模块露出；所述端面还具有焊接凸块；将所述存储模块固定在所述基板上，且所述第一方向平行于所述基板的上表面；提供引线框架；将所述引线框架与所述焊接凸块连接，并将所述引线框架与所述供电端口电连接。

4、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：多个存储芯片的堆叠方向平行于基板，因此，多个存储芯片的通信距离相同，从而利于统一通信延时，且提高运行速率。此外，存储芯片内的供电布线层可以将供电信号线引出至存储芯片外，从而实现有线供电。有线供电的稳定性、可靠性较高。此外，焊接凸块与引线框架相连接，从而提高结构的强度。

技术特征：

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑架至少为两个，且所述支撑架分别位于所述存储模块的相对两侧，并分别与所述焊接架的相对两端连接。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述引线框架还包括：延伸架，与所述支撑架远离所述焊接架的侧面相连；

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述引线框架内还具有凹槽，所述焊接凸块与所述凹槽正对且焊接。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的开口面积大于所述焊接凸块的顶面面积。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述引线框架包括多个间隔设置的框架条，且多个所述框架条在第二方向上排列；所述第二方向垂直于所述第一方向，且平行于所述基板的上表面；

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述供电布线包括接地布线和电源布线，所述框架条包括接地框架条和电源框架条，所述接地框架条与所述接地布线电连接，所述电源框架条与所述电源布线电连接，所述接地框架条与所述电源框架条在所述第二方向上交替排列。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，多个所述框架条等间距排列。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

13.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述焊接凸块包括层叠设置的第一凸块和第二凸块；所述第一凸块与所述供电布线层相连；所述第二凸块与所述引线框架相焊接；

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一凸块的宽度与所述存储芯片的宽度之比为0.8～1.2。

15.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：逻辑芯片，位于所述基板与所述存储模块之间，所述逻辑芯片具有第一无线通信部；

16.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

技术总结
本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基板，所述基板具有供电端口；存储模块，位于所述基板的上表面；所述存储模块包括在第一方向上堆叠的多个存储芯片，所述第一方向平行于所述基板的上表面；每个所述存储芯片具有供电信号线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电信号线与所述供电布线层电连接；所述供电布线层位于所述存储模块内，且所述供电布线层远离所述基板的端面被所述存储模块露出；所述端面还具有焊接凸块；引线框架，与所述焊接凸块和所述供电端口电连接。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。

技术研发人员：吕开敏,庄凌艺
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/5