聚合物涂层半导体装置及形成半导体组合件的混合接合的制作方法

聚合物涂层半导体装置及形成半导体组合件的混合接合
1.相关申请案的交叉参考
2.本技术案主张于2021年9月1日提交申请的美国临时申请案第63/239,839号的权益；所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
3.本公开涉及聚合物涂层半导体装置，且更特定地涉及聚合物涂层半导体装置及用以形成半导体组合件的混合接合。


背景技术：

4.制造更小的电子装置的趋势导致密集填充有许多半导体薄膜及材料的半导体装置显著变薄。这些薄且密集填充的半导体装置的侧壁在被封装到半导体装置组合件中之前的几个制造过程期间容易受到损坏。下面概述了在个别半导体装置中引入破坏封装的半导体装置组合件的裂纹、碎屑或颗粒的一些制造过程。在从半导体装置移除颗粒及残留物的清洁过程期间，沿着半导体装置侧壁会形成轻微裂缝及空腔。此外，在形成个别半导体装置的切割过程及从载体衬底移除个别半导体装置的拾取过程期间，颗粒可被引入到半导体装置侧壁中并且可沿着半导体装置侧壁形成轻微的裂缝或碎屑。此外，在形成半导体装置组合件或封装的堆叠过程期间，可沿着半导体装置侧壁形成碎屑或裂缝。在这些过程完成之后，堆叠的半导体装置通过例如混合接合过程接合在一起，其中产生的颗粒可导致解接合、个别半导体装置故障及/或进一步损坏半导体装置的侧壁裂缝的发展及导致封装半导体装置组合件的整个堆叠失效。


技术实现要素：

5.在一个方面中，本技术案是针对一种半导体装置组合件，其包括：第一半导体装置，其具有正面及与所述正面相对的背面，所述第一半导体装置包含：第一多个金属互连件，其形成在所述背面上，第一聚合物材料，其沉积在所述第一半导体装置上方以直接囊封侧壁、所述背面及所述第一多个金属互连件，其中所述第一聚合物材料经平面化以暴露所述第一多个金属互连件的上部表面；第二半导体装置，其具有顶侧及与所述顶侧相对的底侧，所述第二半导体装置包含：第二聚合物材料，其沉积在所述第二半导体装置上方以直接囊封所述侧壁及所述底侧，第三材料，其沉积在形成有第二多个金属互连件的所述第二半导体装置的所述顶侧上；其中所述第二半导体装置堆叠在所述第一半导体装置上方，使得所述第二多个金属互连件中的每一个与所述第一多个金属互连件中的对应一个对准并电耦合；且其中所述第一半导体装置及所述第二半导体装置混合接合在一起。
6.在另一方面中，本技术案是针对一种半导体装置，其包括：正面及与所述正面相对的背面；第一多个金属互连件，其形成在所述背面上；第一聚合物材料，其沉积在所述半导体装置上方以直接囊封侧壁、所述背面及所述第一多个金属互连件；其中所述第一聚合物材料经平面化以暴露所述第一多个金属互连件的上部表面。
7.在另一方面中，本技术案是针对一种制造半导体装置组合件的方法，其包括：将包含多个半导体装置的装置晶片安置在临时载体上，所述多个半导体装置中的每一个具有面对所述临时载体的正面及与所述正面相对的背面；在所述多个半导体装置中的每一个的所述背面上形成第一多个金属互连件；切割所述多个半导体装置以将所述半导体装置彼此分离并暴露其侧壁；在所述多个经单个化半导体装置上方沉积第一聚合物材料，使得所述聚合物材料直接囊封所述多个半导体装置中的每一个的所述侧壁、所述背面及所述第一多个金属互连件；通过从所述多个半导体装置中的相邻者之间移除所述第一聚合物材料的部分来将所述囊封的半导体装置彼此单个化；及通过平面化所述聚合物材料的上部表面来暴露所述多个半导体装置中的每一个的所述第一多个金属互连件。
附图说明
8.图1a到1b是现有技术的经处理半导体装置中的侧壁碎屑及裂缝的简化示意性横截面图及平面图。
9.图2a到2e是根据本公开的实施例使用聚合物材料处理示范性半导体装置的简化示意性横截面图。
10.图3是根据本公开的实施例的示范性封装半导体装置组合件。
11.图4是展示包含根据本公开的实施例配置的半导体装置组合件的示范性系统的示意图。
12.图5是说明根据本公开的实施例的制造半导体装置组合件的示范性方法的流程图。
13.虽然易于对本公开作出各种修改及替代形式，但已在图式中以实例方式展示具体实施例且将在本文中对其进行详细描述。然而，应理解，本公开并非旨在限于所公开的特定形式。而是，旨在涵盖属于如由所附权利要求所界定的本公开的范围内的所有修改、等效内容及替代方案。
具体实施方式
14.下文描述半导体装置的若干实施例以及相关联系统及方法的具体细节。所属领域的技术人员将认识到，本文中所描述方法的合适阶段可以晶片级或裸片级执行。因此，取决于使用的上下文，术语“衬底”可指晶片级衬底或经单个化裸片级衬底。此外，除非上下文另有指示，否则可使用常规半导体制造技术形成本文中所公开的结构。可例如使用化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、电镀、化学镀、旋涂及/或其它合适的技术来沉积材料。类似地，可例如使用等离子蚀刻、湿法蚀刻、化学机械平面化或其它合适的技术来移除材料。
15.在本公开中，论述许多具体细节以提供对本公开的实施例的全面且可行描述。所属领域的普通技术人员将认识到，可在没有具体细节中的一或多个的情况下实践本公开。通常与半导体装置相关联的众所周知的结构及/或操作可不会被展示及/或可不会被详细描述以避免模糊本公开的其它方面。一般来说，应理解，除本文中所公开的那些具体实施例外，各种其它装置、系统及/或方法也可在本公开的范围内。
16.术语“半导体装置组合件”可是指一或多个半导体装置、半导体装置封装及/或衬底的组合件，其可包含中介层、支撑件及/或其它合适的衬底。半导体装置组合件可制造为
但不限于离散封装形式、条或矩阵形式，及/或晶片面板形式。术语“半导体装置”通常是指包含半导体材料的固态装置。半导体装置可包含例如半导体衬底、晶片、面板或来自晶片或衬底的单个裸片。一种半导体装置可进一步包含沉积在衬底上的一或多个装置层。半导体装置在本文中可指半导体裸片，但半导体装置不限于半导体裸片。
17.术语“半导体装置封装”可指具有并入到共用封装中的一或多个半导体装置的布置。半导体封装可包含部分或完全囊封至少一个半导体装置的壳体或外壳。半导体封装还可包含承载一或多个半导体装置的衬底。衬底可附接到壳体或外壳或以其它方式并入在壳体或外壳内。
18.图1a到1b是现有技术的经处理半导体装置中的侧壁碎屑及裂缝的简化示意性横截面图及平面图。如参考图1a可看出，第一半导体装置a及第二半导体装置b通过粘合剂2附接到载体衬底1并经受清洁过程11。载体衬底1可为例如在清洁过程11期间保持半导体装置a、b的载体盘或玻璃衬底。虽然清洁过程11移除在制造过程之后会损坏半导体装置a、b的大部分颗粒、残留物及表面污染物，但清洁过程11是磨蚀性的且可沿着半导体装置a的侧壁4、5及半导体装置b的侧壁8、10蚀刻到硅中并损坏硅。例如，如在图1a中所说明，清洁过程11可导致半导体装置b的侧壁8、10中的芯片损坏15(例如，碎屑、裂缝、空腔及微裂隙)。
19.如参考图1b可看出，第一半导体装置c及第二半导体装置d通过粘合剂2附接到载体衬底1并经受裸片拾取过程9。承载衬底1可为例如载体盘或玻璃衬底，其保持半导体装置c、d以用于个别裸片拾取过程9。在裸片拾取过程9期间，半导体装置c的侧壁4、5及半导体装置d的侧壁8、10经受导致半导体装置侧壁损坏的额外力。例如，如在图1a中所说明，裸片拾取过程9向半导体装置b的侧壁4、5施加足够的力以导致芯片劣化19(例如，颗粒污染、撕裂及裂缝)。
20.侧壁损坏可贯穿整个制造过程发展并进入半导体装置的接合及封装。微裂隙发展成裂缝，空腔发展成碎屑，等等。对每一个别半导体装置的此损坏会危及封装的半导体装置组合件的整个堆叠，从而导致半导体装置组合件的故障，并且由于一个损坏的半导体装置而导致显著的成本及时间损失。
21.本公开的实施例可通过使用与随后的混合接合操作兼容的材料及过程为个别半导体装置提供侧壁保护来解决这些问题及其它问题。通过在个别装置单个化之后但在将其从载体晶片移除之前保护其侧壁，可避免及/或改善传播微裂缝、碎屑及空腔的前述困难，如下文更详细阐述。
22.图2a到2e是根据本公开的实施例使用聚合物材料处理示范性半导体装置的简化示意性横截面图。如参考图2a可看出，装置晶片293的背面处理已完成。装置晶片293包含正面201及背面202，正面201可通过粘合剂291附接到载体衬底290。装置晶片293可包含形成在正面201上的材料层292以及形成在材料层292中的多个金属互连件208、209、228及229。导电(例如，金属)穿硅通孔(tsv)210、211、230及231形成在装置晶片293中，延伸穿过装置晶片293的正面201及背面202，连接形成在背面202上的多个金属互连件212、213、232及233中的每一个与形成在正面201上的多个金属互连件208、209、228及229中的对应一个。
23.可用于形成tsv 210、211、230及231、正面金属互连件208、209、228及229以及背面金属互连件212、213、232及233的金属的实例包含铜、铝、钨、锡、银、金或六种铂类金属(即，ru、rh、pd、os、ir或pt)中的任何一个。可使用任何方便的沉积方法，包含化学气相沉积
(cvd)、物理气相沉积(pvd)，例如溅射或电镀。
24.可用于形成材料层292的材料的实例可选自氮化硅、碳化硅、硅化物、碳氮化硅、二氧化硅、聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯中的一个。可使用任何方便的沉积方法，包含旋涂、化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)、气相沉积聚合(vdp)或物理气相沉积(pvd)。
25.如参考图2b可看出，装置晶片293处理进一步包含切割多个半导体装置203及223以将其彼此分离、移除材料层292、形成锯道或划线281并从而暴露半导体装置203的侧壁205及207以及半导体装置223的侧壁225、227。可使用任何方便的切割方法，包含等离子切割、离子蚀刻、激光切割或刀片切割中的一或多个。
26.如参考图2c可看出，装置晶片293的处理进一步包含在装置晶片293上方沉积聚合物材料294，包含划线281、金属互连件212、213、232及233，以及多个经单个化半导体装置(例如，半导体装置203及223)。聚合物材料294分别直接囊封半导体装置203及223的侧壁205、207、225及227。此外，聚合物材料294直接囊封金属互连件212、213、232及233。聚合物材料294可进一步囊封装置晶片293的背面202以及粘合剂291的顶面。聚合物材料294可部分或全部地包含单一聚合物材料或复合聚合物材料，例如聚酰亚胺、聚苯并恶唑、苯并环丁烯或其组合。
27.尽管在图2a到2e中未说明，但在一些实施例中，装置晶片293的正面201也可设置有一层直接囊封装置晶片293的正面201的单一或复合聚合物材料，从而暴露正面金属互连件208、209、228及229。例如，金属互连件208、209、228及229可形成在装置晶片293的正面201上，随后沉积聚合物材料作为直接囊封装置晶片293的正面201以及金属互连件208、209、228及229的材料层292。聚合物材料层292及金属互连件208、209、228及229然后可在附接到载体衬底291之前经受图案化过程及平面化。替代地，聚合物材料层292以及金属互连件208、209、228及229可在完成背面202上的处理步骤之后在正面201上形成及处理。可使用任何方便的抛光或平面化方法，包含化学机械抛光(cmp)或旋转蚀刻平面化(sep)。聚合物材料层292的厚度优选地可在5到6um的范围中，且更优选地3到4um。聚合物材料层292的部分的移除可经配置以允许期望量或厚度的聚合物材料保留在装置晶片293的正面201上，以保护半导体装置在切割、拾取、堆叠及混合接合过程期间免受损坏，并促进正-背半导体装置混合接合过程中的金属-金属互连件连接，如在图3中所展示。
28.如参考图2d可看出，装置晶片293的处理进一步包含移除聚合物材料294的部分以暴露划线283及粘合剂291的顶面，同时分别在半导体装置203及223的侧壁205、207、225及227上留下聚合物材料214及234的剩余部分。可使用任何方便的单个化方法来移除聚合物材料的部分并从而分离多个半导体装置，包含激光移除或图案化蚀刻中的一或多个。聚合物材料294的部分的移除可经配置以允许期望量或厚度的聚合物材料保留在侧壁205、207、225及227上，以保护半导体装置免受切割、拾取、堆叠及混合接合过程的影响。例如，从相邻的半导体装置203、223或沿着划线283移除聚合物材料294的部分可分别沿着多个半导体装置203及223中的每一个的侧壁205、207、225及227将聚合物材料214及234的剩余部分的厚度减小到约20到35μm的范围。更特定地，沿着多个半导体装置203及223中的每一个的侧壁205、207、225及227的聚合物材料的剩余部分214及234可具有在25到30μm范围内的厚度，并且更优选地约30um的厚度。
29.如参考图2e可看出，装置晶片293的处理可进一步包含平面化过程以减小装置晶
片293的背面202上的聚合物材料214及234的厚度并暴露且任选地平面化金属互连件212、213、232及233。可使用任何方便的抛光或平面化方法，包含化学机械抛光(cmp)或旋转蚀刻平面化(sep)。聚合物材料214及234的背面厚度可优选地在5到6um的范围内，且更优选地3到4um。聚合物材料214及234的部分的移除可经配置以允许期望量或厚度的聚合物材料保留在装置晶片293的背面202上，以保护半导体装置在切割、拾取、堆叠及混合接合过程期间免受损坏，并平面化金属互连件212、213、232及233，以便促进正-背半导体装置混合接合过程中的金属-金属互连件连接，下文参考图3更详细地展示。
30.聚合物材料214、234及聚合物材料层292比钝化层、氧化物、氮化物及碳化物(例如氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、硅化物、二氧化硅等)更柔软且更灵活。除其它益处及优点之外，聚合物材料214、234及聚合物材料层292的柔性还提供对金属(例如，铜)互连件的cmp碟形缺陷(dishing)及过度平面化的更佳耐受性。聚合物材料更符合cmp过程并且不需要精确或刚性的平面化过程来防止金属互连件的过度移除/平面化。就某些颗粒保留在接合表面上的程度来说，聚合物材料可具有足够的顺应性以适应颗粒周围的变形而没有分层的风险。此外，聚合物材料可旋涂在装置晶片293上，从而更容易沉积及更好地覆盖装置晶片293并囊封侧壁205、207、225及227、正面金属互连件208、209、228及229，以及半导体装置203及223的背面金属互连件212、213、232及233。此外，由于其低得多的工作温度、更低压力、更低负载，以及更短时间，因此聚合物材料比使用钝化层、氧化物、氮化物及碳化物(例如氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、硅化物及二氧化硅)的更常用热接合具有优势。此外，聚合物材料214、234及聚合物材料层292将在混合接合过程期间围绕接合线顺应。此外，聚合物材料214、234及聚合物材料层292贯穿整个切割、拾取、堆叠及混合接合过程更耐受聚合物材料中的陷俘颗粒、污染物及残留物。
31.尽管上文将装置晶片293的正面201及背面202描述为具有聚合物材料，但正面201上的材料层292可由任何非聚合物制成以获得上文所描述益处。材料层292可包含例如钝化层、氧化物、氮化物及碳化物，例如可根据需要使用氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、硅化物及二氧化硅等来获得上文所描述益处。也就是说，可通过在装置晶片293的背面202上沉积聚合物材料来获得上文所描述益处，其中聚合物材料214及234分别囊封装置晶片293的背面202及半导体装置203及223的侧壁205、207以及侧壁225、227。
32.图3是根据本公开的实施例的示范性封装半导体装置组合件。如参考图3可看出，多个半导体装置被堆叠并混合接合在一起，形成封装的半导体组合件300。半导体组合件300包含第一半导体装置303，其具有由聚合物材料314直接囊封的侧壁305及307以及背面金属互连件312及313。第一半导体装置303的正面金属互连件308及309分别堆叠在封装衬底396的封装触点394及395上方并连接到所述封装触点。第一半导体装置303进一步包含将正面金属互连件308及309连接到背面金属互连件312及313的金属tsv 310及311。正面金属互连件308及309以及正面被材料层302囊封。如上文所描述，材料层302可选自氮化硅、碳化硅、硅化物、二氧化硅、聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯中的一个。第一半导体装置303的正面及背面可被平面化或抛光以暴露正面金属互连件308及309以及背面金属互连件312及313。
33.半导体组合件300进一步包含堆叠在第一半导体装置303上方的第二半导体装置323。第二半导体装置323的正面金属互连件328及329分别堆叠在第一半导体装置303的背
面金属互连件312及313上方并连接到所述背面金属互连件。第二半导体装置323具有由聚合物材料334直接囊封的侧壁325及327以及背面金属互连件332及333。第二半导体装置323进一步包含将正面金属互连件328及329连接到背面金属互连件332及333的金属tsv 330及331。正面金属互连件328及329以及正面被材料层322囊封。如上文所描述，材料层322可选自氮化硅、碳化硅、硅化物、二氧化硅、聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯中的一个。第一半导体装置323的正面及背面可被平面化或抛光以暴露正面金属互连件328及329以及背面金属互连件332及333。
34.半导体组合件300可进一步包含堆叠在第二半导体装置323上方的第三半导体装置343。第三半导体装置343的正面金属互连件348及349分别堆叠在第二半导体装置323的背面金属互连件332及333上方并连接到所述背面金属互连件。第三半导体装置343具有由聚合物材料354直接囊封的侧壁345及347以及背面金属互连件352及353。第三半导体装置343进一步包含将正面金属互连件348及349连接到背面金属互连件352及353的金属tsv 350及351。正面金属互连件348及349以及正面被材料层342囊封。如上文所描述，材料层342可选自氮化硅、碳化硅、硅化物、二氧化硅、聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯中的一个。第一半导体装置343的正面及背面可被平面化或抛光以暴露正面金属互连件348及349以及背面金属互连件352及353。
35.半导体组合件300可进一步包含堆叠在第三半导体装置343上方的第四半导体装置363。第四半导体装置363的正面金属互连件368及369分别堆叠在第三半导体装置343的背面金属互连件352及353上方并连接到所述背面金属互连件。第四半导体装置363具有由聚合物材料374直接囊封的侧壁365及367。正面金属互连件368及369以及正面被材料层362囊封。如上文所描述，材料层362可选自氮化硅、碳化硅、硅化物、二氧化硅、聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯中的一个。第一半导体装置363的正面及背面可被平面化或抛光以暴露正面金属互连件368及369并根据需要减小聚合物材料374的厚度。
36.半导体装置303、323、343及363接合在一起，例如通过混合接合然后囊封在囊封剂398中。焊球397形成为与封装衬底396的封装触点394及395接触以形成封装的半导体装置组合件300。
37.图4是展示包含根据本公开的实施例配置的半导体装置组合件的示范性系统的示意图。上文参考图2a到2e及3所描述的示范性半导体装置及半导体装置组合件中的任一个可并入到大量更大及/或更复杂的系统中的任一个中，其代表性实例为图4中示意性展示的系统400。系统400可包含半导体装置组合件(例如，或离散半导体装置)402、电源404、驱动器406、处理器408及/或其它子系统或组件410。半导体装置组合件402可包含与上文参考图2a到2e及3所描述的半导体装置的特征大体相似的特征。所得系统400可执行广泛各种功能中的任一个，例如存储器存储、数据处理及/或其它合适的功能。因此，代表性系统400可包含但不限于手持装置(例如，移动电话、平板、数字阅读器及数字音频播放器)、计算机、车辆、电器及其它产品。系统400的组件可容纳在单个单元中或分布在多个互连单位上方(例如，通过通信网络)。系统400的组件还可包含远程装置及广泛各种计算机可读媒体中的任一个。
38.图5是说明制造半导体装置组合件的示范性方法的流程图。示范性方法是以实例方式提供，因为存在多种方式来实施所述方法。图5中所展示的每一框表示在示范性方法中
实施的一或多个过程、方法或子例程。图2a到2e及3展示实施图5的方法的示范性实施例。示范性方法可在框502处开始。进一步出于解释的目的，实例过程500的框在本文中被描述为连续地或线性地发生。然而，实例过程500的多个框可并行发生。另外，实例过程500的框可以与所展示次序不同的次序执行及/或实例过程500的一或多个框可不执行。
39.图5的示范性方法包含将包含多个半导体装置的装置晶片安置在临时载体上(框502)，其中多个半导体装置中的每一个具有面向临时载体的正面及与正面相对的背面。
40.方法进一步包含在多个半导体装置中的每一个的背面上形成第一多个金属互连件(框504)。在一些示范性实施例中，形成金属互连件可包含沉积铜、铝、钨、锡、银或金中的一或多个。
41.方法进一步包含切割多个半导体装置以将半导体装置彼此分离并暴露其侧壁(框506)。在一些示范性实施例中，切割过程可包含等离子切割、激光切割或刀片切割中的一或多个。
42.方法进一步包含在多个经单个化半导体装置上方沉积第一聚合物材料，使得聚合物材料直接囊封多个半导体装置中的每一个的侧壁、背面及第一多个互连件(框508)。在一些示范性实施例中，第一聚合物材料可选自聚酰亚胺、聚苯并恶唑、苯并环丁烯或其组合。与非有机钝化层相比，聚合物材料具有更高的弹性性质，并且在化学机械抛光中对颗粒、表面粗糙度及铜碟形缺陷具有更高的耐受性。除了半导体装置的侧壁及背面之外，聚合物材料还可沉积在半导体装置的正面或顶侧上，以提供在制造过程(例如，切割及拾取过程)中对半导体装置的裂缝、碎屑及颗粒污染物的更高的耐受性以及在堆叠及混合接合过程中保护半导体装置及组合件免受裂缝或碎屑影响。
43.方法进一步包含通过从多个半导体装置中的相邻者之间移除第一聚合物材料的部分来将囊封的半导体装置彼此单个化(框510)。在一些示范性实施例中，可通过激光移除或图案化蚀刻来移除多个半导体装置中的每一个之间的第一聚合物材料。此外，移除第一聚合物材料的部分的过程将沿着多个半导体装置中的每一个的侧壁的第一聚合物材料的厚度减小到约30μm。
44.方法进一步包含通过平面化聚合物材料的上部表面来暴露多个半导体装置中的每一个的第一多个互连件(框512)。平面化过程可使用化学机械抛光(cmp)或飞切来平面化聚合物表面并暴露金属互连件。在一些示范性实施例中，平面化第一聚合物材料将多个半导体装置的背面上方的第一聚合物材料的厚度减小到约4μm。
45.在一些示范性实施例中，方法可进一步包含在多个半导体装置中的每一个的正面上形成第二材料并在第二材料中形成第二多个金属互连件，其中第二多个金属互连件中的每一个与第一多个金属互连件中的对应一个对准。此外，第二材料可选自氮化硅、碳化硅、硅化物、二氧化硅、聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯中的一个。
46.方法可进一步包含通过混合接合堆叠多个半导体装置的子组来形成半导体装置组合件。在一些示范性实施例中，个别半导体装置通过粘合剂解接合从临时载体衬底移除，随后是清洁及拾取用于聚合物混合接合。
47.本文中所论述的装置，包含存储器装置，可形成在半导体衬底或裸片上，例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些状况下，衬底为半导体晶片。在其它状况下，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体
材料的外延层。可通过使用各种化学物质(包含但不限于磷、硼或砷)掺杂来控制衬底或衬底的子区域的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂手段执行掺杂。
48.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任一组合来实施。其它实例及实施方案在本公开及随附权利要求书的范围内。实施功能的特征也可实际上位于各种位置处，包含经分布使得在不同物理部位处实施功能的部分。
49.如本文中(包含在权利要求书中)所使用，如在物项列表(例如，后面接以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语的物项列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)a、b或c中的至少一个的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a及b及c)。此外，如本文中所使用，短语“基于”不应被认作对条件的闭集的参考。例如，被描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a及条件b两者而不背离本公开的范围。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应在方式上应被认作与短语“至少部分地基于”相同。
50.如本文中所使用，术语“垂直”、“侧向”、“上部”、“下部”、“上面”及“下面”可指代半导体装置中的特征鉴于图中所展示的定向的相对方向或位置。例如，“上部”或“最上部”可指代特征经定位比另一特征更靠近页的顶部。然而，这些术语应被广义地解释为包含具有其它定向的半导体装置，例如倒置或倾斜定向，其中顶部/底部、上方/下方、上面/下面，上/下及左/右可取决于定向互换。
51.应注意，上文所描述方法描述可能实施方案，且可重新布置或以其它方式修改操作及步骤，且其它实施方案为可能的。此外，可组合来自方法中之两个或多于两个的实施例。
52.从前述内容，将了解，出于说明的目的，本文中已描述本公开的特定实施例，但在不脱离本公开的范围的情况下可进行各种修改。确切地说，在前述描述中，论述许多具体细节，以便对本公开的实施例进行全面且有利的描述。然而，所属领域的技术人员将认识到，在没有具体细节中的一或多个的情况下，可实践本公开。在其它情况下，通常与存储器系统及装置相关联的已知结构或操作未展示，或未详细描述，以避免模糊本公开的其它方面。一般说来，应理解，除本文中所公开的那些具体实施例外，各种其它装置、系统及方法可在本公开的范围内。