半导体堆叠结构的制作方法

本公开涉及半导体，涉及但不限于一种半导体堆叠结构。

背景技术：

1、由于芯片密度的原因，低功耗双倍数据速率内存(low power double data ratesdram，lpddr)通常是两个芯片(例如die1和die3)连接到一个通道，当die1与die3之间的堆叠有错位的时候，一些die3的金线到金手指的角度会大于5度，此时die3的金线有可能会打到金手指的边缘或者不能打到金手指上，无法满足生产需求。

2、相关技术中，为了满足金线与金手指之间夹角的要求，通常会给die3重新打一个金手指(即第二个金手指)，此时，die1和die3分别连接不同的金手指，由于两个金手指之间的距离相距较远，因此，die3到第二个金手指的金线会比较长，从而影响半导体堆叠结构的性能。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体堆叠结构。

2、本公开实施例提供一种半导体堆叠结构，包括：

3、基板；

4、位于所述基板表面的多个连接焊盘；每一所述连接焊盘包括相互连接的第一连接焊盘和第二连接焊盘，且所述第一连接焊盘与第二连接焊盘之间具有弯折角度，所述弯折角度大于或者等于175°、且小于180°；

5、在所述基板表面依次堆叠的第一半导体芯片和第二半导体芯片；

6、其中，所述第一半导体芯片和第二半导体芯片分别与所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘电连接、且所述第一半导体芯片和第二半导体芯片分别连接同一信号通道的不同通道区域。

7、在一些实施例中，所述半导体堆叠结构还包括：第一连接结构；

8、所述第一连接结构用于连接所述第一半导体芯片与所述第一连接焊盘，且所述第一连接结构与所述第一连接焊盘的延伸方向之间的夹角小于第一预设角度。

9、在一些实施例中，所述半导体堆叠结构还包括：第二连接结构；

10、所述第二连接结构用于连接所述第二半导体芯片与所述第二连接焊盘，且所述第二连接结构与所述第二连接焊盘的延伸方向之间的夹角小于第二预设角度。

11、在一些实施例中，所述弯折角度能够使得所述第一预设角度和所述第二预设角度均小于或者等于5°。

12、在一些实施例中，所述第一连接焊盘的延伸方向与第一方向之间具有第三预设角度；所述第二连接焊盘的延伸方向与所述第一方向之间具有第四预设角度；所述第一方向为所述基板所在平面内的任意一个方向。

13、在一些实施例中，所述第三预设角度小于或者等于35°。

14、在一些实施例中，所述第三预设角度大于所述第四预设角度，且所述第三预设角度与所述第四预设角度之间的角度差为第五预设角度。

15、在一些实施例中，所述第五预设角度大于0°、且小于或者等于5°。

16、在一些实施例中，所述弯折角度与所述第五预设角度互为补角。

17、在一些实施例中，多个所述连接焊盘用于传输不同的信号。

18、在一些实施例中，所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片垂直堆叠。

19、在一些实施例中，所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片交错堆叠。

20、在一些实施例中，所述第一连接焊盘与所述第二连接焊盘的形状相同或不同。

21、在一些实施例中，所述半导体堆叠结构还包括：位于所述第一半导体芯片与所述基板之间的第一介质层。

22、在一些实施例中，所述半导体堆叠结构还包括：位于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的第二介质层。

23、本公开实施例提供的半导体堆叠结构包括具有弯折角度的连接焊盘，通过具有弯折角度的连接焊盘，可以使得位于同一信号通道中、且与不同通道区域连接的两个半导体芯片的金线与连接焊盘之间的角度均满足生产的需求。另外，通过一个具有弯折角度连接焊盘可以使得连接这两个半导体芯片的金线之间的差距缩小，进而信号反射减小，如此，可以提高半导体堆叠结构封装基板的性能。

技术特征：

1.一种半导体堆叠结构，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述半导体堆叠结构还包括：第一连接结构；

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述半导体堆叠结构还包括：第二连接结构；

4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述弯折角度能够使得所述第一预设角度和所述第二预设角度均小于或者等于5°。

5.根据权利要求1至4任一项所述的结构，其特征在于，所述第一连接焊盘的延伸方向与第一方向之间具有第三预设角度；所述第二连接焊盘的延伸方向与所述第一方向之间具有第四预设角度；所述第一方向为所述基板所在平面内的任意一个方向。

6.根据权利要求5所述的结构，其特征在于，所述第三预设角度小于或者等于35°。

7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述第三预设角度大于所述第四预设角度，且所述第三预设角度与所述第四预设角度之间的角度差为第五预设角度。

8.根据权利要求7所述的结构，其特征在于，所述第五预设角度大于0°、且小于或者等于5°。

9.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述弯折角度与所述第五预设角度互为补角。

10.根据权利要求6至9任一项所述的结构，其特征在于，多个所述连接焊盘用于传输不同的信号。

11.根据权利要求10所述的结构，其特征在于，所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片垂直堆叠。

12.根据权利要求10所述的结构，其特征在于，所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片交错堆叠。

13.根据权利要求11或12所述的结构，其特征在于，所述第一连接焊盘与所述第二连接焊盘的形状相同或不同。

14.根据权利要求13所述的结构，其特征在于，所述半导体堆叠结构还包括：位于所述第一半导体芯片与所述基板之间的第一介质层。

15.根据权利要求14所述的结构，其特征在于，所述半导体堆叠结构还包括：位于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的第二介质层。

技术总结
本公开实施例提供一种半导体堆叠结构，至少包括：基板；位于所述基板表面的多个连接焊盘；每一所述连接焊盘包括相互连接的第一连接焊盘和第二连接焊盘，且所述第一连接焊盘与第二连接焊盘之间具有弯折角度，所述弯折角度大于或者等于175°、且小于180°；在所述基板表面依次堆叠的第一半导体芯片和第二半导体芯片；其中，所述第一半导体芯片和第二半导体芯片分别与所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘电连接、且所述第一半导体芯片和第二半导体芯片分别连接同一信号通道的不同通道区域。

技术研发人员：石宏龙
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12