一种全彩显示屏制作方法及全彩显示屏与流程

1.本技术涉及全彩显示屏制作技术领域，特别是一种全彩显示屏制作方法及全彩显示屏。


背景技术：

2.随着集成电路技术的发展，电子芯片的封装尺寸越来越小型化。目前led全彩显示技术多采用红，绿，蓝三基色led芯片或灯珠焊接在电路控制板上，随着led显示屏幕分辨率的不断提高，led芯片的间距越来越小，led芯片的尺寸也越来越小，三种led芯片的巨量转移非常困难。


技术实现要素：

3.鉴于所述问题，提出了本技术以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的一种全彩显示屏制作方法及全彩显示屏，包括：
4.一种全彩显示屏制作方法，用于将发光芯片制作成全彩显示屏，包括：
5.将发光芯片的周侧及顶部铺设高于所述发光芯片的过渡层，得到第一预制封装件；
6.将所述第一预制封装件所述发光芯片顶部的区域去除至裸露所述发光芯片顶部，将透明材料铺设在所述发光芯片顶部处，再铺设高于所述透明材料的所述过渡层，得到第二预制封装件；
7.将所述第二预制封装件透明材料的区域进行去除至裸露所述透明材料，按照预设灯珠颜色分类每次灌一种量子点胶在所述透明材料处，得到全彩显示屏；其中，所述量子点胶包括红色量子点胶、绿色量子点胶、透明胶和蓝色量子点胶。
8.优选地，所述将所述第一预制封装件所述发光芯片顶部的区域去除至裸露所述发光芯片顶部，将透明材料铺设在所述发光芯片顶部处，再铺设高于所述透明材料的所述过渡层，得到第二预制封装件的步骤为：
9.所述第一预制封装件所述发光芯片顶部区域掩膜蚀刻至裸露所述发光芯片顶部，形成透明材料凹槽；
10.将所述透明材料凹槽内铺设透明材料至透明材料预设高度，再铺设高于所述透明材料的所述过渡层，得到所述第二预制封装件。
11.优选地，所述第一预制封装件所述发光芯片顶部区域掩膜蚀刻至裸露所述发光芯片顶部的步骤，包括：
12.在所述第一预制封装件的表面涂覆感光材料，形成光敏掩膜层并进行曝光，形成待刻蚀图形；其中，所述待刻蚀图形为发光芯片顶部区域；
13.通过显影去除对应位置的光敏掩膜层，露出所述待刻蚀图形；
14.对所述露出的待刻蚀图形区域刻蚀至裸露所述发光芯片顶部。
15.优选地，所述将所述第二预制封装件透明材料的区域进行去除至裸露所述透明材
料，灌按照预设灯珠颜色分类每次灌一种量子点胶在所述透明材料处，得到全彩显示屏的步骤，包括：
16.将所述第二预制封装件的第一目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料，并灌红色量子点胶，得到红光显示件；
17.将所述红光显示屏的第二目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料，并灌绿色量子点胶，得到绿光显示件；
18.将所述绿光显示屏的第三目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料，并灌透明胶或蓝色量子点胶，得到全彩显示屏。
19.优选地，所述将所述第二预制封装件的第一目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料，并灌红色量子点胶，得到红光显示屏的步骤，包括：
20.将所述第二预制封装件的第一目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料，得到第一凹槽；
21.将所述第一凹槽内灌红色量子点胶至第一预设高度，得到红光预制件；
22.将所述红光预制件表面涂覆透明保护胶，得到红光显示屏。
23.优选地，所述将所述红光显示屏的第二目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料，并灌绿色量子点胶，得到绿光显示件的步骤，包括：
24.将所述红光显示屏的第二目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料，得到第二凹槽；
25.将所述第二凹槽内灌绿色量子点胶至第一预设高度，得到绿光预制件；
26.将所述绿光预制件表面涂覆透明保护胶，得到绿光显示屏。
27.优选地，所述将所述绿光显示屏的第三目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料，并灌透明胶或蓝色量子点胶，得到全彩显示屏的步骤，包括：
28.将所述绿光显示屏的第三目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料，得到第三凹槽；
29.将所述第三凹槽内灌透明胶或蓝色量子点胶至第一预设高度，得到蓝光预制件；
30.将所述蓝光预制件表面涂覆透明保护胶，得到全彩显示屏。
31.根据权利要求1所述的全彩显示屏制作方法，其特征在于，所述将发光芯片的周侧及顶部铺设高于所述发光芯片的过渡层的步骤，包括：
32.将所述发光芯片的周侧及顶部铺设至预设高度，并使得所述过渡层的表面高度一致；其中，所述预设高度高于所述发光芯片的过渡层。
33.优选地，所述过渡层为封装胶或绝缘的隔离材料。
34.为实现本技术还包括一种全彩显示屏制作方法制备得到的全彩显示屏，包括：发光芯片、透明材料层、量子点胶层、过渡层；
35.发光芯片顶部依次设有透明材料层和量子点胶层；所述过渡层包裹在所述发光芯片、所述透明材料层和所述量子点胶层的周侧及顶部；其中，所述量子点胶层包括红色量子点胶层、绿色量子点胶层、透明封装胶层。
36.本技术具有以下优点：
37.在本技术的实施例中，通过将发光芯片的周侧及顶部铺设高于所述发光芯片的过渡层，得到第一预制封装件；其中，所述发光芯片的数量为3的倍数；将所述第一预制封装件
所述发光芯片顶部的区域去除至裸露所述发光芯片顶部，将透明材料铺设在所述发光芯片顶部处，再铺设高于所述透明材料的所述过渡层，得到第二预制封装件；将所述第二预制封装件透明材料的区域进行去除至裸露所述透明材料，按照预设灯珠颜色分类每次灌一种量子点胶在所述透明材料处，得到全彩显示屏；其中，所述量子点胶包括红色量子点胶、绿色量子点胶、透明胶和蓝色量子点胶。
附图说明
38.为了更清楚地说明本技术的技术方案，下面将对本技术的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
39.图1是本技术一实施例提供的一种全彩显示屏制作方法的步骤流程图；
40.图2是本技术一实施例提供的一种全彩显示屏制作方法的流程示意图；
41.图3是本技术一实施例提供的一种全彩显示屏的示意图；
42.图4是本技术一实施例提供的一种全彩显示屏的内部结构示意图；
43.图5是本技术一实施例提供的一种全彩显示屏的透明材料凹槽为v型结构示意图。
44.说明书附图中的附图标记如下：
45.1、发光芯片；2、第一预制封装件；3、透明材料；4、第二预制封装件；5、红色量子点胶；6、透明保护胶；7、绿色量子点胶；8、透明胶。
具体实施方式
46.为使本技术的所述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
47.需要说明的是，一组所述发光芯片1可以包括一个红光芯片、一个绿光芯片和一个蓝光芯片；一组所述发光芯片1也可以包括两个红光芯片、一个绿光芯片和一个蓝光芯片；一组所述发光芯片1也可以包括一个红光芯片、一个绿光芯片、一个蓝光芯片和一个黄光芯片，多种组合不限于本技术所列举的芯片组合。
48.需要说明的是，发光芯片1具体为蓝光led芯片的缩写，led芯片是一种固态的半导体器件，led的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极。led芯片也称为led发光芯片1，是led灯的核心组件，也就是指的p-n结。其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个p-n结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向p区，在p区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是led发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成p-n结的材料决定的。
49.如所述步骤s110所述，将发光芯片1的周侧及顶部铺设高于所述发光芯片1的过渡层，得到第一预制封装件2；其中，所述发光芯片1的数量为3的倍数。
50.在本发明一实施例中，可以结合下列描述进一步说明步骤所述“将发光芯片1的周
侧及顶部铺设高于所述发光芯片1的过渡层，得到第一预制封装件2；其中，所述发光芯片1的数量为3的倍数”的具体过程。
51.如下列步骤所述，将所述发光芯片1的周侧及顶部进行灌胶封装至设计高度，所述灌胶封装的部分为过渡层；其中，所述设计高度高于所述发光芯片1的厚度；
52.或；
53.将发光芯片1的周侧及顶部沉积隔离材料至设计厚度，所述沉积隔离材料的部分为过渡层；其中，所述隔离材料为绝缘材料，所述设计高度高于所述发光芯片1的厚度。
54.在本发明一实施例中，可以结合下列描述进一步说明步骤所述“将所述发光芯片1的周侧及顶部进行灌胶封装至设计高度，所述灌胶封装的部分为过渡层；其中，所述设计高度高于所述发光芯片1的厚度”的具体过程。
55.如下列步骤所述，将所述发光芯片1放置在所述电路板的表面，并对所述发光芯片1和所述电路板灌胶封装，对所述封装胶进行烘干处理，在电路板和发光芯片1表面形成第一封装胶层，得到第一预制封装件2；其中，所述封装胶包括环氧树脂、硅胶、pi(polyimide，聚酰亚胺)树脂、pe(polyethylene，聚乙烯)树脂和pt(phenolic triazine，酚三嗪)树脂中的一种或几种。所述封装胶固化后形成的第一封装胶层具有较好的绝缘和密封性能，能够提供保护并且防止产品受潮。具体的，在60-160℃下对所述封装胶进行烘干处理，形成所述第一封装胶层。
56.在一具体实施例中，所述第一封装胶层覆盖所述发光芯片1额电路板，使电路板和发光芯片1表面无露出部分，即灌胶封装的厚度大于发光芯片1的高度，所述灌胶封装至设计高度；具体的，所述设计高度根据芯片的大小和发光强度，量子点胶可以贴着发光芯片1，也可以离隔开一定的距离，这个距离就是透明胶的多少。整体高度也是要看具体情况，发光芯片1大小和发光强度，也包括量子点胶的多少，也决定了高度，在实际操作中视具体情况而定。
57.在一具体实施例中，采用封装胶对所述进行灌胶封装，得到所述第一预制封装件2。所述封装胶固化后形成的第一封装胶层具有较好的绝缘和密封性能，能够提供保护并且防止产品受潮。
58.在本发明一实施例中，可以结合下列描述进一步说明步骤所述“将发光芯片1的周侧及顶部沉积隔离材料至设计厚度，所述沉积隔离材料的部分为过渡层；其中，所述隔离材料为绝缘材料，所述设计高度高于所述发光芯片1的厚度。”的具体过程。
59.在一具体实施例中，将所述发光芯片1底部相互电连接，并翻转使电路向下，发光芯片1发光面向上。再通过溅射，蒸发等工艺沉积绝缘的隔离材料高过芯片高度至设计厚度。其中，所述发光芯片1为晶圆级芯片。
60.需要说明的是，真空镀膜中常用的方法有真空蒸发和离子溅射，真空蒸发镀膜是在真空度不低于10-2pa的环境中,用电阻加热或电子束和激光轰击等方法把要蒸发的材料加热到一定温度,使材料中分子或原子的热振动能量超过表面的束缚能，从而使大量分子或原子蒸发或升华，并直接沉淀在基片上形成薄膜.离子溅射镀膜是利用气体放电产生的正离子在电场的作用下的高速运动轰击作为阴极的靶，使靶材中的原子或分子逸出来而沉淀到被镀工件的表面,形成所需要的薄膜。
61.如所述步骤s120所述，将所述第一预制封装件2所述发光芯片1顶部的区域去除至
裸露所述发光芯片1顶部，将透明材料3铺设在所述发光芯片1顶部处，再铺设高于所述透明材料3的所述过渡层，得到第二预制封装件4。
62.在本发明一实施例中，可以结合下列描述进一步说明步骤所述“将所述第一预制封装件2所述发光芯片1顶部的区域去除至裸露所述发光芯片1顶部，将透明材料3铺设在所述发光芯片1顶部处，再铺设高于所述透明材料3的所述过渡层，得到第二预制封装件4；”的具体过程。
63.如下列步骤所述，所述第一预制封装件2所述发光芯片1顶部区域掩膜蚀刻至裸露所述发光芯片1顶部，形成透明材料凹槽；将所述透明材料凹槽内铺设透明材料3至透明材料预设高度，再铺设高于所述透明材料3的所述过渡层，得到所述第二预制封装件4。具体的，在60-160℃下对所述封装胶进行烘干处理，形成所述第二封装胶层。
64.在一具体实施例中，当过渡层为透明胶8时，所述第一预制封装件2所述发光芯片1顶部区域掩膜蚀刻至裸露所述发光芯片1顶部，形成透明材料凹槽；将所述透明材料凹槽内灌透明材料3至透明材料预设高度，再次将封装胶灌装再所述透明材料3和第一预制封装件2表面，使得表面齐平，即二次灌胶封装，得到所述第二预制封装件4。
65.在一具体实施例中，掩膜蚀刻的步骤包括，在所述第一预制封装件2的表面涂覆感光材料，形成光敏掩膜层并进行曝光，形成待刻蚀图形；其中，所述待刻蚀图形为发光芯片1顶部区域；通过显影去除对应位置的光敏掩膜层，露出所述待刻蚀图形；对所述露出的待刻蚀图形区域刻蚀至裸露所述发光芯片1顶部。
66.具体的，在所述第一预制封装件2表面涂覆所述感光材料，并进行曝光和显影，使得发生光聚合反应的所述感光材料固化形成第一感光材料层，并且未发生光聚合反应的所述感光材料(即所述目标部位表面的所述感光材料)被冲洗掉。所述感光材料包括光致抗蚀剂(包括正性光致抗蚀剂和负性光致抗蚀剂)、感光型聚酰亚胺树脂、感光型溶胶凝胶或其混合物或组合物、以及phtes、n-甲基-2-吡咯烷酮和聚甲基丙烯酸甲酯的混合溶液中的一种或几种，其具有较好的光敏特性。
67.在一具体实施例中，当过渡层为绝缘的隔离材料时，在发光芯片1顶部区域位置做掩膜，刻蚀形成透明材料凹槽，露出发光芯片1顶部。透明材料凹槽可以做成v型，反光最佳，如图5所示。在透明材料凹槽中沉积透明材料3，如二氧化硅等，至透明材料预设高度，再沉积绝缘的隔离材料至表面齐平。
68.在一具体实施例中，掩膜蚀刻的步骤包括，在所述第一预制封装件2的表面涂覆感光材料，形成光敏掩膜层并进行曝光，形成待刻蚀图形；其中，所述待刻蚀图形为发光芯片1顶部区域；通过显影去除对应位置的光敏掩膜层，露出所述待刻蚀图形；对所述露出的待刻蚀图形区域刻蚀至裸露所述发光芯片1顶部。
69.如所述步骤s130所述，将所述第二预制封装件4透明材料3的区域进行去除至裸露所述透明材料3，按照预设灯珠颜色分类每次灌一种量子点胶在所述透明材料3处，得到全彩显示屏；其中，所述量子点胶包括红色量子点胶5、绿色量子点胶7、透明胶8和蓝色量子点胶。
70.在一具体实施例中，如果发光芯片1为蓝光芯片，就只需加红色量子点胶5和绿色量子点胶7，蓝光部分加透明胶即可有蓝光透出；如果发光芯片是紫光芯片，就需要分别加红色量子点胶5、绿色量子点胶7和蓝色量子点胶，以此类推。
71.在本发明一实施例中，可以结合下列描述进一步说明步骤s130所述“将所述第二预制封装件4透明材料3的区域进行去除至裸露所述透明材料3，按照预设灯珠颜色分类每次灌一种量子点胶在所述透明材料3处，得到全彩显示屏；其中，所述量子点胶包括红色量子点胶5、绿色量子点胶7、透明胶8和蓝色量子点胶”的具体过程。
72.需要说明的是，发光芯片1与量子点胶之间的透明胶8就是为了控制量子点胶与发光芯片1的距离，可以为零，贴在所述发光芯片1上，可以保持一定的发光距离，根据设计而定。
73.如下列步骤所述，将所述第二预制封装件4的第一目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料3，并灌红色量子点胶5，得到红光显示件；将所述红光显示屏的第二目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料3，并灌绿色量子点胶7，得到绿光显示件；将所述绿光显示屏的第三目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料3，并灌透明胶8或蓝色量子点胶，得到全彩显示屏。
74.在一具体实施例中，所述第一目标区域、第二目标区域和第三目标区域分别为依次相连的列，每列具有相同的所述发光芯片1数量，且列与列之间间隔相等。
75.在本发明一实施例中，可以结合下列描述进一步说明步骤所述“将所述第二预制封装件4的第一目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料3，并灌红色量子点胶5，得到红光显示件”的具体过程。
76.如下列步骤所述，将所述第二预制封装件4的第一目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料3，得到第一凹槽；将所述第一凹槽内灌红色量子点胶5至第一预设高度，得到红光预制件；将所述红光预制件表面涂覆透明保护胶6，得到红光显示屏。
77.在本发明一实施例中，可以结合下列描述进一步说明步骤所述“将所述红光显示屏的第二目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料3，并灌绿色量子点胶7，得到绿光显示件”的具体过程。
78.如下列步骤所述，将所述红光显示屏的第二目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料3，得到第二凹槽；将所述第二凹槽内灌绿色量子点胶7至第一预设高度，得到绿光预制件；将所述绿光预制件表面涂覆透明保护胶6，得到绿光显示屏。
79.在本发明一实施例中，可以结合下列描述进一步说明步骤所述“将所述绿光显示屏的第三目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料3，并灌透明胶8或蓝色量子点胶，得到全彩显示屏”的具体过程。
80.如下列步骤所述，将所述绿光显示屏的第三目标区域掩膜蚀刻至裸露所述透明材料3，得到第三凹槽；将所述第三凹槽内灌透明胶8或蓝色量子点胶至第一预设高度，得到蓝光预制件；将所述蓝光预制件表面涂覆透明保护胶6，得到全彩显示屏。
81.在一具体实施例中，当所述发光芯片1为蓝光led芯片时，灌透明胶8；当所述发光芯片1不为蓝光led芯片时，灌蓝色量子点胶。
82.需要说明的是，本技术的红色量子点胶5与发光芯片1配合，使发光芯片1发红光；绿色量子点胶7与发光芯片1配合，使发光芯片1发绿光；蓝色量子点胶或透明胶8与发光芯片1配合，使发光芯片1发蓝光。
83.实施例一
84.1.将焊接好的蓝光led芯片的灯板做洁净处理。
85.2.灌封装胶高过芯片至设计厚度。
86.3.在芯片位置做掩膜，刻蚀形成凹坑，露出发光芯片1顶部。
87.4.在所有凹坑中灌透明胶8至封装胶齐平。
88.5.灌封装胶至设计厚度。
89.6.在将要发红光芯片位置做掩膜，刻蚀形成凹坑，露出下面透明胶8顶部。
90.7.在这些凹坑中灌红光量子点胶，至封装胶齐平。
91.8.涂覆透明保护胶6，将红光量子点胶保护好。
92.9.在将要发绿光芯片位置做掩膜，刻蚀形成凹坑，露出下面透明胶8顶部。
93.10.在这些凹坑中灌绿光量子点胶，至封装胶齐平。
94.11.涂覆透明保护胶6，将绿光量子点胶保护好。
95.12.在将要发蓝光光芯片位置做掩膜，刻蚀形成凹坑，露出下面透明胶8顶部。
96.13.在这些凹坑中灌透明胶8，至封装胶齐平。
97.14.涂覆透明保护胶6，将透明胶8保护好。
98.实施例二
99.1.完成晶圆级芯片互连，翻转使电路向下，发紫光芯片1发光面向上。
100.2.溅射，蒸发等工艺沉积绝缘的隔离材料高过芯片高度至设计厚度。
101.3.在芯片位置做掩膜，刻蚀形成凹坑，露出芯片顶部。凹坑可以做成v型，反光最佳。
102.4.在凹坑中沉积透明材料3，如二氧化硅等，至设计厚度。
103.5.沉积绝缘材料至设计厚度。
104.6.在将要发红光芯片位置做掩膜，刻蚀形成凹坑，露出下面透明材料3顶部。
105.7.在这些凹坑中灌红光量子点材料。
106.8.沉积透明保护材料，将红光量子点保护好。
107.9.在将要发绿光芯片位置做掩膜，刻蚀形成凹坑，露出下面透明材料3顶部。
108.10.在这些凹坑中灌绿光量子点材料。
109.11.沉积透明材料3，将绿光量子点材料保护好。
110.12.在将要发发光芯片1位置做掩膜，刻蚀形成凹坑，露出下面透明材料3顶部。
111.13.在这些凹坑中灌蓝光量子点材料。
112.最后沉积透明保护材料。
113.参照图4，示出了本技术一实施例提供的一种根据上述任一实施例所述的全彩显示屏制作方法制备得到的全彩显示屏，所述全彩显示屏包括：发光芯片1、透明材料3层、量子点胶层、过渡层；发光芯片1顶部依次设有透明材料3层和量子点胶层；所述过渡层包裹在所述发光芯片1、所述透明材料3层和所述量子点胶层的周侧及顶部；其中，所述量子点胶层包括红色量子点胶5层、绿色量子点胶7层、透明封装胶层。
114.尽管已描述了本技术实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本技术实施例范围的所有变更和修改。
115.最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作
之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
116.以上对本技术所提供的一种全彩显示屏制作方法及全彩显示屏，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。