半导体器件和形成RDL混合内插器衬底的方法与流程

本发明总体上涉及半导体器件，并且更特别地，涉及半导体器件和形成再分布层(rdl)混合内插器衬底的方法，其中散热器与在半导体器件的第一部分周围的衬底接触，同时保持半导体器件的第二部分开放。

背景技术：

1、半导体器件普遍在现代电子产品中找到。半导体器件执行广泛范围的功能，诸如信号处理、高速计算、发送和接收电磁信号、控制电子器件、光电以及为电视显示器创建可视图像。半导体器件在通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域中找到。半导体器件也在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中找到。

2、半导体器件易受来自半导体管芯的操作的热量的影响。一些半导体管芯，诸如微处理器，以高时钟频率操作并且因为快速晶体管切换而产生热量。其它半导体器件，诸如功率mosfet，通过传导显著电流来产生热量。半导体管芯安装到衬底，并且热沉通常安装到在半导体管芯周围的衬底的区域。热沉的一部分热接触沉积在半导体管芯的顶表面上的热界面材料(tim)，而热沉的另一部分用另一tim层而机械和热接触衬底，以将热量从半导体管芯中转移或消散离开到衬底中。在半导体管芯的所有侧面上的热沉的机械和热接触或者物理附着增加了制造的复杂性和成本。

技术实现思路

技术特征：

1.一种制成半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电部件包括:

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述散热器包括:

4.根据权利要求3所述的方法，还包括将所述散热器的第二水平部分附着到所述第一衬底的靠近所述第一电部件的第一侧的表面。

5.一种半导体器件，包括:

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一电部件包括：

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述散热器包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述散热器的所述第二水平部分附着到所述第一衬底的靠近所述第一电部件的第一侧的表面。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述散热器附着到第一衬底的靠近所述第一电部件的第一侧的表面，同时保持所述第一衬底的靠近所述第一电部件的第二侧的表面开放而免于附着。

10.一种半导体器件，包括：

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述盖包括散热器或电磁屏蔽层。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一电部件包括：

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述盖包括：

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述盖附着到所述第一衬底的靠近所述第一电部件的第一侧的表面，同时保持所述第一衬底的靠近所述第一电部件的第二侧的表面开放而免于附着。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括在所述盖的覆盖区之外设置在所述第一衬底上的第二电部件。

技术总结
本公开涉及半导体器件和形成RDL混合内插器衬底的方法。一种半导体器件具有第一衬底和设置在第一衬底上的第一电部件。第一电部件具有第二衬底和形成在第二衬底上的再分布层。第一电部件设置在再分布层上。散热器设置在第一电部件上。散热器设置在第一电部件上。散热器具有第一水平部分、从第一水平部分垂直偏移的第二水平部分、以及从第二水平部分连接第一水平部分的倾斜部分。第二水平部分附着到第一衬底的靠近第一电部件的第一侧的表面。散热器靠近第一电部件的第一侧附着到第一衬底并且靠近第一电部件的第二侧保持开放。

技术研发人员：金钟泰,赵南柱,崔涬喆
受保护的技术使用者：星科金朋私人有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11