发光元件及其制造方法及发光电路与流程

本发明涉及一种发光元件，特别是涉及一种包括高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistor，hemt)的发光元件。

背景技术：

1、发光二极管(light-emitting diode，led)为p型半导体与n型半导体所组成的发光元件，其通过p-n接面上载流子的结合放出光线。由于具有体积小、低耗电量、寿命长、反应速度快等优点，随着发光二极管的尺寸缩小至微观尺度，带来了更多相关应用的机会。上述应用的机会除了传统笔记型电脑及电视的显示屏幕，也包括消费性电子产品，例如智能穿戴装置、手机、及虚拟实境眼镜等。

2、然而，虽然现有的发光二极管可大致满足它们原先预定的用途，但其仍未在各个方面都彻底地符合需求。发光二极管的微缩化也伴随着面对微缩产品的现有技术及元件结构上的不足，例如巨量移转、驱动整合、及信号控制等。尺寸微缩的发光二极管的驱动及控制模式在上下游整合的过程中所面临的挑战更显复杂，且微缩化的过程中也大幅增加了用于维持产品良率的制造成本。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种发光元件，包括：控制部，包括第一半导体叠层，具有二维电子气(two-dimensional electron gas)于其中；发光部，包括第二半导体叠层；第一电极，电连接控制部及发光部；以及第二电极，电连接控制部及发光部；其中控制部与发光部之间是经由第一电极与第二电极以并联形式电连接。

2、本发明实施例提供一种发光元件的制造方法，包括：提供基板，其上依序形成有第一半导体叠层与第二半导体叠层；移除第一预定区上的第二半导体叠层；形成第二电极于第一半导体叠层及第二半导体叠层上，第二电极电连接第一半导体叠层及第二半导体叠层；移除基板；移除对应于第二预定区上的第一半导体叠层；以及形成第一电极于第一半导体叠层及第二半导体叠层上，第一电极电连接第一半导体叠层及第二半导体叠层；其中第一半导体叠层与第二半导体叠层之间是经由第一电极与第二电极以并联形式电连接。

3、本发明实施例提供一种发光电路，包括：上述发光元件；晶体管，耦接发光元件，用以接收驱动信号，晶体管依据驱动信号选择性地导通；电阻器，耦接于发光元件与晶体管之间；以及二极管，耦接发光元件及电阻器，其中二极管的导通方向与发光部相反；其中，当晶体管不导通时，控制部导通；当晶体管导通时，控制部不导通，且电流通过发光部及电阻器。

技术特征：

1.一种发光元件，包括：

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该控制部包括贯穿该第一半导体叠层的第一导孔，该第一电极位于该第一半导体叠层的上表面；以及该发光元件还包括金属部件相对于该第一电极，位于该第一半导体叠层的下表面，该金属部件电连接该第一半导体叠层；其中该第一电极通过该第一导孔及该金属部件电连接该第一半导体叠层。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该发光部还包括导电层，且该导电层位于该第二电极与该第二半导体叠层之间。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一半导体叠层包括：

5.如权利要求1所述的发光元件，在该第一半导体叠层的下表面及该第二半导体叠层的侧壁上还具有保护层，且该保护层露出至少一部分的该第一半导体叠层；以及该发光元件还包括第三电极，该控制部还包括第二导孔与第三导孔，该第二电极与该第三电极分别经由该第二导孔与该第三导孔电连接该控制部。

6.如权利要求5所述的发光元件，还包括电流阻隔层，且该电流阻隔层位于该第二导孔与该第三导孔之间。

7.一种发光元件的制造方法，包括：

8.如权利要求7所述的发光元件的制造方法，还包括形成贯穿该第一半导体叠层的第一导孔，且该第一电极通过该第一导孔电连接该第一半导体叠层；以及形成导电层于该第二半导体叠层上。

9.如权利要求7所述的发光元件的制造方法，其中移除该第一预定区的该第二半导体叠层包括形成凹槽，且该凹槽露出该第一半导体叠层的顶表面；以及在该凹槽的侧表面及底表面上形成保护层，且该保护层露出至少一部分的该第一半导体叠层。

10.如权利要求9所述的发光元件的制造方法，还包括形成第三导孔及第二导孔于该凹槽中。

11.一种发光电路，包括：

技术总结
本发明公开一种发光元件及其制造方法及发光电路，其中该发光元件包括：控制部，包括第一半导体叠层，具有二维电子气(two‑dimensional electrongas)于其中；发光部，包括第二半导体叠层；第一电极，电连接控制部及发光部；以及第二电极，电连接控制部及发光部；其中控制部与发光部之间是经由第一电极与第二电极以并联形式电连接。

技术研发人员：陈志濠,傅乔,沈依如
受保护的技术使用者：嘉和半导体股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13