具有气隙脊的叉片晶体管装置的制作方法

本公开涉及集成电路，并且更具体地，涉及叉片晶体管装置的制造。

背景技术：

1、随着集成电路的尺寸继续按比例缩小，出现了许多挑战。例如，减小存储器和逻辑单元的尺寸或另外地增大晶体管装置密度正变得越来越困难。由于晶体管装置间隔得更靠近一起以增大给定管芯上的装置密度，因此某些制造过程变得具有挑战性。此外，还会出现抑制性能的寄生效应，诸如不期望的电容。

技术实现思路

技术特征：

1.一种集成电路，包括：

2.如权利要求1所述的集成电路，其中：

3.如权利要求2所述的集成电路，其中，所述第一组和所述第二组的所述半导体主体的所述端面是第一端面，并且其中：

4.如权利要求1所述的集成电路，包括：

5.如权利要求1所述的集成电路，包括：

6.如权利要求1所述的集成电路，包括：

7.如权利要求6所述的集成电路，其中，所述空隙没有气体。

8.如权利要求6所述的集成电路，包括在所述源极区域或所述漏极区域上的接触结构。

9.如权利要求1至8中任一项所述的集成电路，其中，所述第一组一个或多个半导体主体和所述第一栅极结构是p型金属氧化物半导体(pmos)晶体管结构的部分，并且所述第二组一个或多个半导体主体和所述第二栅极结构是n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管结构的部分。

10.如权利要求9所述的集成电路，其中，所述pmos晶体管结构和所述nmos晶体管结构是叉片装置的部分。

11.如权利要求1至8中任一项所述的集成电路，包括在所述第一栅极结构上的第一接触结构和在所述第二栅极结构上的第二接触部。

12.如权利要求1至8中任一项所述的集成电路，其中，所述第一栅极结构包括高k栅极电介质和p型栅极电极，并且所述第二栅极结构包括所述高k栅极电介质和n-型栅极电极。

13.如权利要求1至8中任一项所述的集成电路，其中，所述第一组一个或多个半导体主体包括第一半导体材料，并且所述第二组一个或多个半导体主体包括在组成上不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料。

14.一种叉片装置，包括：

15.如权利要求14所述的叉片装置，其中，所述第一栅极结构包括限定所述空隙的所述第一侧的部分的一个或多个表面，并且所述第二栅极结构包括限定所述空隙的所述第二侧的部分一个或多个表面。

16.如权利要求14所述的叉片装置，其中，所述第一半导体主体和所述第二半导体主体的所述端面是第一端面，并且其中：所述第一半导体主体具有与其第一端面相对且与所述第一栅极结构接触的第二端面；并且所述第二半导体主体具有与其第一端面相对且与所述第二栅极结构接触的第二端面。

17.如权利要求14所述的叉片装置，包括：

18.如权利要求14所述的叉片装置，包括：

19.如权利要求14所述的叉片装置，包括：

20.如权利要求14所述的叉片装置，其中，所述第一半导体主体和所述第一栅极结构是p型金属氧化物半导体(pmos)晶体管结构的部分，并且所述第二半导体主体和所述第二栅极结构是n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管结构的部分。

21.一种集成电路，包括如权利要求14至20中任一项所述的叉片装置。

22.一种集成电路，包括：

23.如权利要求22所述的集成电路，包括：

24.如权利要求22所述的集成电路，包括：

25.一种微处理器或存储器芯片，包括如权利要求22至24中任一项所述的集成电路。

技术总结
本文提供了形成具有气隙脊的叉片装置的技术。气隙可以没有气体，或者可以有气体。在示例中，装置包括从空隙(气隙)的第一侧横向延伸并具有限定空隙的第一侧的部分的端面的第一半导体主体，以及从空隙的第二侧横向延伸并且具有限定空隙的第二侧的部分的端面的第二半导体主体。第一栅极结构在第一半导体主体上，并且第二栅极结构在第二半导体主体上。在一些情况下，间隔体结构位于源极或漏极区域与对应的栅极结构之间，间隔体结构包括空隙的一个或多个部分。空隙可以通过装置形成后背面工艺来产生。

技术研发人员：A·阿格拉瓦尔,C·M·诺伊曼,S·H·宋,M·拉多萨夫列维奇,J·T·卡瓦列罗斯
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12