本发明涉及一种半导体装置。
背景技术:
1、半导体装置包括功率器件,并被用作电力转换装置。功率器件包括半导体芯片。半导体芯片例如是igbt(insulated gate bipolar transistor:绝缘栅双极型晶体管)、功率mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)。这样的半导体装置至少包括半导体芯片、配置该半导体芯片的绝缘电路基板、以及p型的连接端子和n型的连接端子而容纳于壳体。从外部分别与p型的连接端子和n型的连接端子连接。特别地,p型的连接端子和n型的连接端子一体成型于壳体(例如,参照专利文献1)。此外,相对于外包装壳体的上表面,水平地配设弯曲成l字状的p型和n型的电极板的端子部并安装有螺栓(例如,参照专利文献2)。此时,必须维持p型的连接端子与n型的连接端子之间的绝缘。因此,例如,在这些端子之间夹有绝缘部件(例如,参照专利文献3、4)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:国际公开第2018/142863号
5、专利文献2:日本特开平09-069603号公报
6、专利文献3:日本特开2021-106235号公报
7、专利文献4:日本特开2008-125240号公报
技术实现思路
1、技术问题
2、在半导体装置中,作为p型的连接端子与n型的连接端子之间的绝缘部件,例如能够使用与壳体相同性质的树脂。在该情况下,为了维持p型的连接端子与n型的连接端子之间的绝缘,绝缘部件需要预定的厚度。这关系到半导体装置的增大。此外,如果使用绝缘纸作为绝缘部件,则能够抑制半导体装置的增大。然而,绝缘纸难以处理,与构成壳体的树脂之间的紧贴性也不好。例如,在p型的连接端子和n型的连接端子之间夹有绝缘纸的情况下,有可能在绝缘纸产生弯折。即使在弯折的状态下将绝缘纸夹在p型的连接端子和n型的连接端子之间,有时也无法充分地维持p型的连接端子与n型的连接端子的绝缘。
3、本发明是鉴于这一点而完成的,其目的在于提供一种能够维持连接端子之间的绝缘并抑制增大的半导体装置。
4、技术方案
5、根据本发明的一个观点,提供一种半导体装置,其具备:第一功率端子,其包含第一接合区域;第二功率端子,其包含第二接合区域;平板状的绝缘单元,其以使所述第一接合区域和所述第二接合区域露出的方式设置于所述第一功率端子与所述第二功率端子之间;以及壳体,其以使所述第一接合区域和所述第二接合区域露出的方式包含所述第一功率端子和所述第二功率端子,且接合有所述绝缘单元,所述绝缘单元具备片状的第一绝缘部、以及覆盖所述第一绝缘部的上表面和下表面中的至少一方的第二绝缘部。
6、技术效果
7、上述构成的半导体装置能够维持连接端子之间的绝缘,并抑制增大。
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于,
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,
10.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
11.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
12.根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,