一种巨量转移方法与流程

1.本发明涉及led芯片转移技术领域，尤其涉及一种巨量转移方法。


背景技术：

2.micro-led即为微型的发光二级极管，且均能独立发光。可应用于智能穿戴、终端手机、墙壁电视、汽车显示以及ar/vr产品等。相比液晶lcd和oled显示技术，micro-led具有高解析度、低功耗、高亮度、高色彩饱和度、反应速度快、且使用寿命长等特点，是业界公认的下一代新型显示技术。但是相对于led单颗led芯片的尺寸不同，led的尺寸为3mm左右，micro-led基本为50μm以下，也就是构成一个背光源或显示器时，需要更多的micro led，因此现有材料及工艺越来越难以满足micro led的加工需求。
3.目前，micro led的制程上主要包含四大关键技术难点，即芯片外延技术、巨量转移技术、金属共晶键合技术、彩色化方案。micro led的加工工艺中，将生长在外延衬底上的micro-led芯片快速精准地转移到驱动电路基板上，并与驱动电路之间形成良好的电气连接的技术被称为巨量转移技术。其所需转移的micro-led芯片数量庞大，因此巨量转移的效率、良品率以及转移成本都决定了产品经济价值。常规led是采用真空吸取的方式进行转移，但由于真空管在物理极限大约80μm，并不适用与micro-led的巨量转移，因此巨量转移工艺是制约是micro-led发展的关键技术点。
4.cn111095516a公开了一种巨量转移装置及巨量转移方法，其公开的巨量转移装置上设置有多个通道，各个通道的第一开口设置在所述巨量转移装置的第一面，各个通道的第二开口设置在所述巨量转移装置的第二面，且各个通道之间的距离沿第一面到第二面的方向逐渐增大，本发明提供的巨量转移方法通过激光照射的方式使第一基板上的micro-led掉落并通过第一开口进入巨量转移装置的通道，从通道的第二开口落入第二基板上的micro-led待安装位置，实现了将micro-led从第一基板上转移至第二基板上，且在第二基板上的间距大于在第一基板上的间距，巨量转移过程简单、成本低。
5.cn112992721a公开了一种微发光二极管的巨量转移方法和巨量转移装置，其公开的微发光二极管的巨量转移方法包括：提供多个微发光二极管，微发光二极管包括磊晶和与磊晶连接的第一电极及第一磁极，且第一磁极与第一电极具有间隔距离，多个微发光二极管设置在第一基板上；提供多个背板组件，背板组件包括背板和与背板连接的第二电极及第二磁极，第二电极和第一电极位置对应，第二磁极和第一磁极位置对应，且第二磁极和第一磁极的磁性相异，多个背板组件设置在第二基板上；将多个微发光二极管从第一基板剥离并转移至溶液中；通过喷墨组件将溶液中的多个微发光二极管与多个背板组件一一对位连接，其中，将第一磁极和第二磁极磁性吸附，将第一电极和第二电极连接。
6.现有的巨量转移方法主要有弹性印章法、静电吸附转移法、电磁转移法、流体自组装法以及激光诱导转移法。上述方法都有一定的积极效果，但是在实际应用中也存在一定的不足，比如弹性印章法易变性，材料cet大等，转移精准性不足；静电吸附转移法外加电压容易导致led芯片损坏；电磁转移法需要外加铁磁性材料以及磁性层，工艺复杂成本高；流
体自组装法可靠性及效率不高。激光诱导转移法效率高、成本低、工艺简单且可可对芯片实现图案化转移，但其目前转移良率仅能到达90％左右，严重限制了其在巨量转移中的应用。
7.因此，提供一种高良率的激光诱导技术方案，解决巨量转移问题是至关重要的。


技术实现要素：

8.针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种巨量转移方法，所述巨量转移方法保证转移精确度好、效率高、成品率高、工艺成本低且可实现不同芯片的激光分选释放。
9.为达此目的，本发明采用以下技术方案：
10.本发明提供一种巨量转移方法，所述巨量转移方法包括如下步骤：
11.(1)将含有至少两个(5个、10个、15个、20个、50等)led芯片的外延片与第一衬底进行键合，形成键合对，所述第一衬底的表面由内至外依次设置有激光释放层和临时粘接层；
12.(2)将键合对在激光下照射，剥离外延片，使led芯片转移至所述第一衬底上；
13.(3)将步骤(2)中的led芯片与设置有激光诱导释放层的第二衬底键合，所述led芯片与激光诱导释放层相接触；
14.(4)将激光透过第一衬底，分解激光释放层，剥离第一衬底后除胶，去除临时粘接层和部分激光诱导释放层，使led芯片各自独立分布；
15.(5)激光照射剩余部分激光诱导释放层，对应位置的led芯片掉落至基板，完成led芯片的翻转。
16.本发明中，所述巨量转移方法无需复杂的装置，简单方便地实现led芯片的巨量转移，转移精确度好、效率高、成品率高及工艺成本低。其中，步骤(1)-(2)属于led芯片的激光(llo)剥离阶段，此过程剥离的芯片完整的，原位的转至第一衬底上，步骤(3)-(5)属于led芯片的翻转阶段，此过程通过简单的操作实现对芯片的激光诱导分选，完成相应的芯片的翻转。
17.优选地，所述步骤(1)中，所述键合的方式包括热压键合。
18.优选地，所述热压键合的温度为120-180℃，例如130℃、140℃、150℃、160℃、170℃等。
19.优选地，所述热压键合的时间为5-10min，例如6min、7min、8min、9min等。
20.优选地，所述热压键合的压力为1-5kn，例如1.5kn、2kn、2.5kn、3kn、3.5kn、4kn、4.5kn等。
21.优选地，所述热压键合的真空度≤0.1mtorr，例如0.09mtorr、0.07mtorr、0.05mtorr、0.03mtorr等。
22.优选地，所述键合对中，led芯片与临时粘接层相接触。
23.优选地，所述led芯片包括micro-led芯片。
24.优选地，所述激光释放层的厚度为100-1000nm，例如200nm、300nm、400nm、500nm、600nm、700nm、800nm、900nm等，进一步优选100-500nm。
25.本发明中，所述激光释放层的厚度为100-1000nm，；厚度过高，一方面容易引起胶材分层，另一方面，也会使解键合后的残胶过多，后续plasma除胶需要更长的时间或者除胶不净；厚度过薄将导致吸收激光不足，透过的激光可能对led芯片造成损伤。
26.优选地，所述激光释放层的材质包括uv响应的聚酰亚胺(pi)，所述材质uv吸收性很强。
27.优选地，所述激光释放层的材质包括wlp lb210和/或wlp lb220。
28.本发明中，优选上述几种材质的激光释放材料的原因在于该类材料具有优异的uv激光吸收和响应，在150mj/cm2的激光能量下就可实现自动分离，且残胶容易通过plasma去除。
29.优选地，所述临时粘接层的厚度为1-20μm，例如2μm、4μm、6μm、8μm、10μm、12μm、14μm、6μm、18μm等，进一步优选1-10μm。
30.优选地，所述临时粘接层的材质包括烯烃聚合物。
31.优选地，所述临时粘接层的材质包括wlp tb 1238、wlp tb4130或wlp tb130中的任意一种或至少两种的组合，其中典型但非限制性的组合包括：wlp tb1238和wlp tb4130的组合，wlp tb4130和wlp tb130的组合，wlp tb1238，wlp tb4130和wlp tb130的组合等。
32.本发明中，优选上述几种临时粘接材料的原因在于一方面具有优异的耐化性，同时对激光响应材料及led均具有优异的粘接性。
33.优选地，所述激光释放层的制备方法包括如下步骤：
34.在第一衬底上涂覆激光释放材料，固化，得到所述激光释放层。
35.优选地，所述涂覆的方式包括旋涂。
36.优选地，所述固化的温度为100-300℃，例如120℃、140℃、160℃、180℃、200℃、220℃、240℃、260℃、280℃等，所述固化的时间为5-10min，例如6min、7min、8min、9min等。
37.优选地，所述临时粘接层的制备方法包括如下步骤：
38.在激光释放层上涂覆临时粘接材料，固化，得到所述临时粘接层。
39.优选地，所述涂覆的方式包括旋涂。
40.优选地，所述固化的温度为100-200℃，例如120℃、140℃、160℃、180℃等，所述固化的时间为5-15min，例如6min、7min、8min、9min、10min、11min、12min、13min、14min等。
41.优选地，所述步骤(2)中，所述激光的波长为200-400nm，例如220nm、240nm、260nm、280nm、300nm、320nm、340nm、360nm、380nm等，进一步优选266nm。
42.优选地，所述剥离外延片后，还包括将led芯片进行清洗和干燥。
43.优选地，所述清洗的溶剂包括浓盐酸，所述浓盐酸中氯化氢的质量百分数在20％以上，例如25％、30％、35％等。
44.优选地，所述清洗的时间为10-60s，例如20s、30s、40s、50s等。
45.优选地，所述干燥的温度为50-70℃，例如55℃、60℃、65℃等。
46.优选地，所述步骤(3)中，所述键合的温度为20-30℃，例如22℃、24℃、26℃、28℃等。
47.优选地，所述键合的压力为1-3kn，例如1.5kn、2kn、2.5kn等。
48.优选地，所述键合的时间为5-30min，例如10min、15min、20min、25min等。
49.优选地，所述键合的真空度≤0.1mtorr，例如0.09mtorr、0.07mtorr、0.05mtorr、0.03mtorr等。
50.优选地，所述步骤(3)中，所述激光诱导释放层的厚度为1-5μm，例如2μm、3μm、4μm等，进一步优选2～3μm。
51.本发明中，所述激光诱导释放层的厚度为1-5μm，厚度控制在此范围的原因是；厚度过高，激光诱导材料在激光照射后会无法完全分解，造成残胶；厚度过薄：由于晶圆的翘曲以及衬底的ttv，激光诱导释放层的厚度过薄，会影响键合质量，出现键合气泡问题。
52.优选地，所述激光诱导释放层的材质包括三氮烯聚合物。
53.优选地，所述激光诱导释放层的材质包括wlp lap810和/或wlp lap811，进一步优选wlp lap810。
54.本发明中，所述激光诱导释放层的材质优选wlp lap810，优选此材料的原因在于该材料在308nm及355nm不仅具有优异的吸收性能，同时在激光辐照下可迅速的产生气体，诱导芯片从胶层分离。此外，激光诱导释放层对激光具有很好的分辨率，可以实现单颗芯片的激光诱导释放。
55.优选地，所述步骤(4)中，所述激光的波长为300-400nm，例如308nm、320nm、340nm、360nm、380nm等，进一步优选355nm。
56.优选地，所述激光的能量为100-300mj/cm2，例如120mj/cm2、140mj/cm2、160mj/cm2、180mj/cm2、200mj/cm2、220mj/cm2、240mj/cm2、260mj/cm2、280mj/cm2等。
57.本发明中，所述激光的能量为100-300mj/cm2，能量控制在此范围的原因在于：激光能量过高容易造成芯片的损伤；能量过低则无法自动分离，且残胶量大，去胶更困难。
58.优选地，所述步骤(4)中，所述除胶的方式包括等离子体除胶。
59.优选地，所述除胶包括如下步骤：
60.先在氧气氛围下第一次除胶，再在氧气和氩气氛围下第二次除胶。
61.优选地，所述第一次除胶中，所述氧气的流速为40-60ml/min，例如45ml/min、50ml/min、55ml/min等，进一步优选50ml/min，功率为1-3kw，例如1.5kw、2kw、2.5kw等，时间为3-8min，例如4min、5min、6min、7min等，进一步优选5min。
62.优选地，所述第二次除胶中，所述氧气的流速为40-60ml/min，例如45ml/min、50ml/min、55ml/min等，进一步优选50ml/min，所述氩气的流速为100-200ml/min，例如120ml/min、140ml/min、160ml/min、180ml/min等，进一步优选150ml/min，功率为1-3kw，例如1.5kw、2kw、2.5kw等，时间为5-20min，例如10min、15min等。
63.优选地，所述步骤(5)中，所述激光的波长为300-400nm，308nm、320nm、355nm、365nm等，进一步优选355nm。
64.优选地，所述激光的能量为80-200mj/cm2，例如80mj/cm2、100mj/cm2、120mj/cm2、140mj/cm2、160mj/cm2、180mj/cm2等。
65.本发明中，所述激光的能量为80-200mj/cm2，能量控制在此范围的原因在于：能量过高则会使lap811迅速的产气，使得芯片在释放到载板时出现偏移或偏转，高能量的激光甚至会把芯片撞碎；能量过低则会造成芯片转移失败，即使成功转移也会使得lap无法完全被激光分解，造成残胶。
66.优选地，所述基板包括tft基板。
67.优选地，所述第一衬底和第二衬底的材质包括玻璃或蓝宝石。
68.作为优选的技术方案，所述制备方法包括如下步骤：
69.(1)在第一衬底上旋涂激光释放材料，在100-300℃下固化5-10min，得到厚度为100-1000nm的激光释放层；
70.在激光释放层上旋涂临时粘接材料，在100-200℃下固化5-15min，得到厚度为1-20μm的临时粘接层；
71.将含有至少两个led芯片的外延片与第一衬底上的临时粘接层接触，在温度为120-180℃、压力为1-5kn和真空度≤0.1mtorr的条件下，热压键合5-10min，形成键合对；
72.(2)将键合对在波长为200-400nm的激光下照射，剥离外延片，再将led芯片使用浓盐酸清洗10-60s，并在50-70℃下干燥，使led芯片转移至所述第一衬底上；
73.(3)在第二衬底上旋涂激光诱导释放材料，固化，得到厚度为1-5μm的激光诱导释放层；
74.将步骤(2)中的led芯片与第二衬底上的激光诱导释放层接触，在温度为20-30℃、压力为1-3kn和真空度≤0.1mtorr的条件下键合5-30min；
75.(4)将波长为300-400nm和能量为100-300mj/cm2的激光透过第一衬底，分解激光释放层，剥离第一衬底后除胶，去除临时粘接层和部分激光诱导释放层，使led芯片各自独立分布；
76.所述除胶的具体方式为：在氧气的流速为40-60ml/min和功率为1-3kw的条件下，采用等离子体处理3-8min，完成第一次除胶；再在氧气的流速为40-60ml/min、氩气的流速为100-200ml/min和功率为1-3kw的条件下，采用等离子体处理5-20min，完成第二次除胶；
77.(5)采用波长为300-500nm和能量为80-200mj/cm2的激光照射剩余部分激光诱导释放层，对应位置的led芯片掉落至tft基板，完成led芯片的翻转。
78.相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
79.(1)本发明所述巨量转移方法保证转移精确度好、效率高、成品率高、工艺成本低且可实现不同芯片的激光分选释放。
80.(2)本发明所述巨量转移方法在micro-led的应用中，转移精确度在
±
2.1μm以内，产品良率在60.3％以上。
附图说明
81.图1是实施例1的步骤(1)中所述含有led芯片的外延片的结构示意图；
82.图2是实施例1的步骤(1)中所述键合对的结构示意图；
83.图3是实施例1的步骤(2)中所述led芯片转移至所述第一衬底的中间过渡示意图；
84.图4是实施例1的步骤(2)中所述led芯片转移至所述第一衬底后的结构示意图；
85.图5是实施例1的步骤(3)中所述键合后的组件的结构示意图；
86.图6是实施例1的步骤(4)分解激光释放层的过程示意图；
87.图7是实施例1的步骤(4)完成后组件的结构示意图；
88.图8是实施例1的步骤(5)中led芯片掉落至tft基板的示意图；
89.其中，1-led芯片；2-外延片；3-临时粘接层；4-激光释放层；5-第一衬底；6-激光诱导释放层；7-第二衬底；8-tft基板。
具体实施方式
90.为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
91.实施例1
92.本实施例提供一种巨量转移方法，其流程图如图1-8所示，所述巨量转移方法包括如下步骤：
93.(1)在第一衬底5(蓝宝石)上旋涂激光释放材料lb210，在200℃下固化5min，得到厚度为300nm的激光释放层4；
94.在激光释放层上旋涂临时粘接材料tb1238，在150℃下固化5min，得到厚度为3μm的临时粘接层3；
95.将含有led芯片1的外延片2(结构示意图如图1所示)与第一衬底上的临时粘接层接触，在温度为150℃、压力为3kn和真空度≤0.1mtorr的条件下，热压键合8min，形成键合对(结构示意图如图2所示)；
96.(2)将键合对在波长为248nm的激光下照射，激光照射的方向如箭头所示，剥离外延片(材质为蓝宝石)，再将led芯片使用浓盐酸清洗20s，并在60℃下干燥，使led芯片转移至所述第一衬底上，过程示意图如图3所示，结构示意图如图4所示；
97.(3)在第二衬底7(蓝宝石)上旋涂激光诱导释放材料lap811，固化，得到厚度为3μm的激光诱导释放层6；
98.将步骤(2)中的led芯片与第二衬底上的激光诱导释放层接触，在温度为100℃、压力为1kn和真空度≤0.1mtorr的条件下键合20min，键合后的组件的结构示意图如图5所示；
99.(4)将波长为355nm和能量为150mj/cm2的激光透过第一衬底，分解激光释放层，示意图如图6所示，激光透过的方向如箭头所示，剥离第一衬底后除胶，去除临时粘接层和部分激光诱导释放层，使led芯片各自独立分布，示意图如图7所示；
100.所述除胶的具体方式为：在氧气的流速为50ml/min和功率为2kw的条件下，采用等离子体处理8min，完成第一次除胶；再在氧气的流速为50ml/min、氩气的流速为150ml/min和功率为2kw的条件下，采用等离子体处理15min，完成第二次除胶；
101.(5)采用波长为355nm和能量为120mj/cm2的激光照射剩余部分激光诱导释放层，对应位置的led芯片掉落至tft基板8，示意图如图8所示，完成led芯片的翻转，实现对micro-led的激光诱导分选。
102.实施例2
103.本实施例提供一种巨量转移方法，所述巨量转移方法包括如下步骤：
104.(1)在第一衬底玻璃上旋涂激光释放材料lb220，在100℃下固化10min，得到厚度为1000nm的激光释放层；
105.在激光释放层上旋涂临时粘接材料tb4130，在100℃下固化15min，得到厚度为20μm的临时粘接层；
106.将含有led芯片的外延片与第一衬底上的临时粘接层接触，在温度为120℃、压力为1kn和真空度≤0.1mtorr的条件下，热压键合10min，形成键合对；
107.(2)将键合对在波长为248nm的激光下照射，剥离外延片，再将led芯片使用浓盐酸清洗10s，并在50℃下干燥，使led芯片转移至所述第一衬底上；
108.(3)在第二衬底玻璃上旋涂激光诱导释放材料lap810，固化，得到厚度为5μm的激光诱导释放层；
109.将步骤(2)中的led芯片与第二衬底上的激光诱导释放层接触，在温度为60℃、压力为1kn和真空度≤0.1mtorr的条件下键合10min；
110.(4)将波长为308nm和能量为200mj/cm2的激光透过第一衬底，分解激光释放层，剥离第一衬底后除胶，去除临时粘接层和部分激光诱导释放层，使led芯片各自独立分布；
111.所述除胶的具体方式为：在氧气的流速为40ml/min和功率为3kw的条件下，采用等离子体处理3min，完成第一次除胶；再在氧气的流速为60ml/min、氩气的流速为200ml/min和功率为1kw的条件下，采用等离子体处理10min，完成第二次除胶；
112.(5)采用波长为355nm和能量为200mj/cm2的激光照射剩余部分激光诱导释放层，对应位置的led芯片掉落至tft基板，完成led芯片的翻转。
113.实施例3
114.本实施例提供一种巨量转移方法，所述巨量转移方法包括如下步骤：
115.(1)在第一衬底蓝宝石上旋涂激光释放材料lb210，在300℃下固化5min，得到厚度为100nm的激光释放层；
116.在激光释放层上旋涂临时粘接材料tb130，在200℃下固化5min，得到厚度为12μm的临时粘接层；
117.将含有led芯片的外延片与第一衬底上的临时粘接层接触，在温度为180℃、压力为5kn和真空度≤0.1mtorr的条件下，热压键合5min，形成键合对；
118.(2)将键合对在波长为248nm的激光下照射，剥离外延片，再将led芯片使用浓盐酸清洗60s，并在70℃下干燥，使led芯片转移至所述第一衬底上；
119.(3)在第二衬底玻璃上旋涂激光诱导释放材料lap811，固化，得到厚度为2μm的激光诱导释放层；
120.将步骤(2)中的led芯片与第二衬底上的激光诱导释放层接触，在温度为30℃、压力为3kn和真空度≤0.1mtorr的条件下键合30min；
121.(4)将波长为308nm和能量为100mj/cm2的激光透过第一衬底，分解激光释放层，剥离第一衬底后除胶，去除临时粘接层和部分激光诱导释放层，使led芯片分离；
122.所述除胶的具体方式为：在氧气的流速为60ml/min和功率为1kw的条件下，采用等离子体处理8min，完成第一次除胶；再在氧气的流速为40ml/min、氩气的流速为100ml/min和功率为3kw的条件下，采用等离子体处理20min，完成第二次除胶；
123.(5)采用波长为355nm和能量为80mj/cm2的激光照射剩余部分激光诱导释放层，对应位置的led芯片掉落至tft基板，完成led芯片的翻转。
124.实施例4
125.本实施例与实施例1的区别在于所述激光释放层的厚度为80nm，其余均与实施例1相同。
126.实施例5
127.本实施例与实施例1的区别在于将激光诱导释放材料由lap811替换为lap810，其余均与实施例1相同。
128.实施例6-7
129.实施例6-7与实施例1的区别在于激光诱导释放层的厚度分别为0.5μm(实施例6)和5.5μm(实施例7)，其余均与实施例1相同。
130.对比例1
131.本对比例提供一种巨量转移方法，所述巨量转移方法包括如下步骤：
132.(1)在第一衬底蓝宝石上旋涂激uv减粘胶；
133.(2)将含有led芯片的外延片与第一衬底上的uv减粘胶接触，在室温、压力为3kn和真空度≤0.1mtorr的条件下，键合5min，形成键合对；
134.(3)将键合对在波长为248nm的激光下照射，剥离外延片，再将led芯片使用浓盐酸清洗60s，并在70℃下干燥，使led芯片转移至所述第一衬底上；
135.(4)在第二衬底玻璃上旋涂激光诱导释放材料，将步骤(2)中的led芯片与第二衬底上的激光诱导释放层接触键合。
136.(5)用365nm的300mw/cm2uv灯照射uv减粘胶层，剥离第一衬底后，实现led晶片转移
137.(6)采用波长为355nm和能量为80mj/cm2的激光照射剩余部分激光诱导释放层，对应位置的led芯片掉落至tft基板，完成led芯片的翻转。
138.性能测试
139.将实施例1-7和对比例1所述巨量转移方法处理后的micro-led进行如下统计：
140.测试结果汇总于表1中。
141.表1
[0142] 转移精确度(μm)产品良率(％)实施例10.9598.3实施例21.596.2实施例31.297.6实施例41.281.3实施例50.895.4实施例61.260.3实施例72.196.5对比例1＞230～40％
[0143]
分析表1数据可知，本发明所述巨量转移方法在micro-led的应用中，转移精确度在2.1μm以内，产品良率在60.3％以上，本发明所述巨量转移方法保证转移精确度好、效率高、成品率高及工艺成本低。
[0144]
分析对比例1与实施例1可知，对比例1性能不如实施例1，证明本发明所述巨量转移方法相对于现有技术的方法表现更优异。
[0145]
分析实施例4与实施例1可知，实施例4性能不如实施例1，证明所述激光释放层的厚度过薄，部分芯片表面有激光烧蚀的痕迹，造成转移的芯片良率不佳，厚度控制在300-1000nm范围内可以避免激光能量透过激光释放材料。
[0146]
分析实施例5与实施例1可知，实施例5性能不如实施例1，证明所述激光诱导释放层的材质优选wlp lap810更利于巨量转移过程的进行。
[0147]
分析实施例6-7与实施例1可知，实施例6-7性能不如实施例1，证明所述激光诱导
释放层的厚度对于转移良率影响很大，厚度过薄，造成键合后气泡，部分区域键合不良；厚度过容易造成芯片的偏移，因此厚度1-5μm更利于巨量转移过程的进行。
[0148]
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。