技术特征：
1.一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线，其特点在于，包括圆形介质基板(1)、金属地板(2)，以及设置在所述圆形介质基板(1)与金属地板(2)之间且与圆形介质基板(1)、金属地板(2)垂直的矩形介质基板(3)；所述圆形介质基板(1)与矩形介质基板(3)之间设置有立体倒f的馈电结构(4)，所述馈电结构(4)与设置在所述金属地板(2)下方的同轴电缆(6)内导体连接，所述同轴电缆(6)外导体与所述金属地板(2)连接；所述圆形介质基板(1)上还设置有近场寄生结构(5)，所述馈电结构(4)通过近场寄生耦合原理激励所述近场寄生结构(5)。2.如权利要求1所述的一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线，其特点在于，所述馈电结构(4)包括第一金属条带(7)、第二金属条带(8)、下层金属贴片(9)、第一金属短路柱(10)；所述第一金属条带(7)、第二金属条带(8)分别印制在所述矩形介质基板(3)的两侧壁上，所述第一金属条带(7)的下端与所述同轴电缆(6)的内导体连接，所述第一金属条带(7)将电磁能量耦合到第二金属条带(8)上；所述下层金属贴片(9)印制在所述圆形介质基板(1)的下表面，所述第二金属条带(8)的上端与所述下层金属贴片(9)连接；所述第一金属短路柱(10)的中轴线与圆形介质基板(1)上下端面垂直，所述第一金属短路柱(10)的上端与所述下层金属贴片(9)连接，所述第一金属短路柱(10)的下端与所述金属地板(2)连接。3.如权利要求1所述的一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线，其特点在于，所述近场寄生结构(5)包括顶端金属贴片(11)、第二金属短路柱(12)；所述顶端金属贴片(11)印制在所述圆形介质基板(1)的上表面，两个第二金属短路柱(12)中轴线均与圆形介质基板(1)上下端面垂直，且两个二金属短路柱(12)关于所述圆形介质基板(1)的中轴线中心对称设置；两个第二金属短路柱(12)的上端均与顶端金属贴片(11)连接，两个第二金属短路柱(12)的下端均与金属地板(2)连接；所述顶端金属贴片(11)上蚀刻有两个用于实现高频滤波的c型槽(13)，两个c型槽(13)关于所述圆形介质基板(1)上表面的圆心中心对称设置。4.如权利要求1所述的一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线，其特点在于，所述c型槽(13)为椭圆形开口槽，c型槽(13)的总长度为高频辐射零点的半个波长。5.如权利要求1所述的一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线，其特点在于，所述天线的总高度为h为11mm；所述圆形介质基板(1)与矩形介质基板(3)材料均采用rogers 5880，其相对介电常数为2.2，相对磁导率为1.0，损耗角正切为0.0009，所述圆形介质基板(1)的半径r1为15mm；所述金属地板(2)材料采用金属铝板，所述金属地板(2)的半径为400mm。6.如权利要求1所述的一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线，其特点在于，所述第一金属条带(7)的宽度w1为2.6mm，所述第一金属条带(7)的长度l1为9.2mm；所述第二金属条带(8)的宽度w2为2.0mm，所述第二金属条带(8)的长度l2为7.3mm；所述下层金属贴片(9)的半径r2为2.6mm；
所述第一金属短路柱(10)的直径d1为1.6mm，所述第一金属短路柱(10)的中轴线与下层金属贴片(9)中心的距离s1为1.4mm；所述第二金属条带(8)与下层金属贴片(9)中心的距离s2为2.3mm。7.如权利要求1所述的一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线，其特点在于，所述顶端金属贴片(11)的半径r3为15mm；所述第二金属短路柱(12)的直径d2为3.8mm；所述第二金属短路柱(12)的中轴线与顶端金属贴片(11)中心的距离s3为4.6mm。8.如权利要求1所述的一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线，其特点在于，所述c型槽(13)椭圆形的短半轴a为4.8mm，所述c型槽(13)椭圆形的长半轴b为13mm，所述c型槽(13)的缺口宽度w3为6.6mm，所述c型槽(13)的槽宽g为0.22mm，两个c型槽(13)的最小边缘间距s4为1.56mm。
技术总结
本申请提供一种全向辐射的垂直极化宽带电小滤波天线，包括圆形介质基板、金属地板、同轴电缆，以及设置在圆形介质基板、金属地板之间的立体倒F的馈电结构、近场寄生结构，所述近场寄生结构包括顶端金属贴片，所述顶端金属贴片上蚀刻有两个用于实现高频滤波的C型槽。本申请立体倒F的馈电结构通过近场寄生耦合原理激励所述近场寄生结构，使得天线在缩小尺寸及扩展带宽的同时实现了高通滤波特性；同时C型槽的加载使得天线在带宽扩展的同时实现带通滤波特性；本申请天线具有尺寸小、剖面低、带宽宽、增益高的特点。宽、增益高的特点。宽、增益高的特点。
技术研发人员：唐明春 段云露 武震天 张哲豪 易达 李梅
受保护的技术使用者：重庆大学
技术研发日：2022.11.23
技术公布日：2023/2/27