微型发光二极管的转移装置及转移方法与流程

1.本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种微型发光二极管的转移装置及转移方法。


背景技术：

2.微型发光二极管(micro light-emitting diode，micro led)是一种尺寸单位为微米级的发光元件，具有亮度高、体积小和功耗低等优点。
3.正是受micro-led尺寸较小的影响，需要一种区别于传统多次取放(pick&place)的巨量转移方式实现micro-led的批量移送。目前，一般采用包含弹性印章的转移头粘附抓取多个micro-led，并将抓取的micro-led转移到衬底上进行释放来完成巨量转移；或采用激光作为驱动实现micro-led的巨量转移。
4.但是，目前的巨量转移方式的转移精度均较低，无法可靠将micro-led转移至基板上的指定位置。


技术实现要素：

5.提供了一种微型发光二极管的转移装置及转移方法，可以解决相关技术中巨量转移方式的转移精度均较低，无法可靠将micro-led转移至基板上的指定位置的问题，所述技术方案如下：
6.一方面，提供了一种微型发光二极管的转移装置，所述转移装置包括：
7.转移头结构；
8.所述转移头结构包括：转移头基体，以及开设于所述转移头基体上且相互间隔的多个容纳槽；
9.每个所述容纳槽包括：相互连通的第一容纳槽和第二容纳槽；
10.其中，所述第一容纳槽用于容纳微型发光二极管，所述第二容纳槽用于容纳夹持部件；并且，所述夹持部件用于在升温后由初始形态形变为延伸形态，且在降温后由所述延伸形态恢复为所述初始形态；在所述延伸形态下，所述夹持部件与所述第一容纳槽中容纳的微型发光二极管相互接触，以将所述微型发光二极管夹持于所述第一容纳槽内，以及，在所述初始形态下，所述夹持部件与所述第一容纳槽中容纳的微型发光二极管相互间隔。
11.可选的，所述第一容纳槽的长度大于所述第二容纳槽的长度，且所述第一容纳槽的宽度大于所述第二容纳槽的宽度；
12.其中，长度方向平行于所述转移头基体，宽度方向垂直于所述转移头基体。
13.可选的，所述第一容纳槽的形状与所容纳的微型发光二极管的形状相匹配，且所述第二容纳槽中容纳的夹持部件的形状与所述第二容纳槽的形状相匹配。
14.可选的，所述第二容纳槽中容纳的夹持部件的材料包括：形状记忆高分子材料，且所述第二容纳槽中容纳的夹持部件呈空心网状结构。
15.可选的，所述转移头基体的材料包括：石英玻璃，或不锈钢。
16.可选的，所述转移装置还包括：转移设备、加热设备和降温设备；
17.所述转移设备与所述转移头结构连接，所述转移设备用于控制所述转移头结构的移动；
18.所述加热设备用于对所述转移头结构进行加热处理；
19.所述降温设备用于对所述转移头结构进行降温处理。
20.另一方面，提供了一种微型发光二极管的转移方法，应用于如上述一方面所述的转移装置中；所述转移方法包括：
21.在转移头结构中，转移头基体的第二容纳槽内形成夹持部件，所述夹持部件处于初始形态，与所述第一容纳槽中容纳的微型发光二极管相互间隔；
22.将临时基板上的微型发光二极管容纳于所述转移头基体的第一容纳槽内；
23.对具有夹持部件的转移头结构进行加热处理，使得所述夹持部件由初始形态形变为延伸形态，与所述第一容纳槽中容纳的微型发光二极管相互接触，以将所述微型发光二极管夹持于所述第一容纳槽内；
24.将采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构由所述临时基板一侧移动至目标基板一侧，使得所述微型发光二极管转移至所述目标基板上；
25.对采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构进行降温处理，使得所述夹持部件由所述延伸形态恢复为所述初始形态，释放所述微型发光二极管。
26.可选的，所述在转移头结构中，转移头基体的第二容纳槽内形成夹持部件，包括：
27.通过三维打印技术或四维打印技术，在转移头结构中，转移头基体的第二容纳槽内打印形状记忆高分子材料，形成呈空心网状的夹持部件。
28.可选的，所述在转移头结构中，转移头基体的第二容纳槽内形成夹持部件，包括：
29.在转移头结构中，转移头基体包括的多个第二容纳槽的目标容纳槽内形成夹持部件；
30.其中，所述目标容纳槽包括：所连通的第一容纳槽中容纳无缺陷的微型发光二极管的第二容纳槽；或，所述目标基板中与所连通的第一容纳槽的对应位置处无需设置微型发光二极管的第二容纳槽。
31.可选的，所述对具有夹持部件的转移头结构进行加热处理，包括：
32.采用所述转移装置包括的加热设备对具有夹持部件的转移头结构进行加热处理；
33.所述将采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构由所述临时基板一侧移动至目标基板一侧，包括：
34.采用所述转移装置包括的转移设备将采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构由所述临时基板一侧移动至目标基板一侧；
35.所述对采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构进行降温处理，包括：
36.采用所述转移装置包括的降温设备对采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构进行降温处理。
37.综上所述，本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少可以包括：
38.提供了一种微型发光二极管的转移装置及转移方法。其中，该转移装置包括转移头结构，该转移头结构包括转移头基体和开设于转移头基体上间隔设置的多个容纳槽，且每个容纳槽包括相互连通并用于分别容纳微型发光二极管和夹持部件的两个容纳槽。因其
中容纳的夹持部件可以受温度影响处于初始形态和延伸形态等两个形态，以通过机械方式夹持或是不夹持微型发光二极管，故可以选择性的将微型发光二极管精确转移至显示产品包括的基板上的指定位置，转移灵活性较高，且转移精度较好。
附图说明
39.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
40.图1是本公开实施例提供的一种转移装置中转移头结构的俯视图；
41.图2是图1所示结构在aa'方向上的截面图；
42.图3是本公开实施例提供的一种转移流程示意图；
43.图4是本公开实施例提供的另一种转移装置的结构示意图；
44.图5是本公开实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法流程图；
45.图6是本公开实施例提供的一种转移过程中一个步骤的结构示意图；
46.图7是本公开实施例提供的一种转移过程中另一个步骤的结构示意图；
47.图8是本公开实施例提供的一种转移过程中又一个步骤的结构示意图；
48.图9是本公开实施例提供的一种转移过程中再一个步骤的结构示意图；
49.图10是本公开实施例提供的一种转移过程中再一个步骤的结构示意图；
50.图11是本公开实施例提供的一种转移过程中再一个步骤的结构示意图；
51.图12是本公开实施例提供的一种转移过程中再一个步骤的结构示意图；
52.图13是本公开实施例提供的一种转移过程中再一个步骤的结构示意图；
53.图14是本公开实施例提供的一种转移过程中再一个步骤的结构示意图。
具体实施方式
54.为了使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
55.同背景技术记载，针对micro-led显示产品而言，因micro-led的尺寸较小，一般约为1微米(μm)至100μm，故需要使用如弹性印章或激光辅助转移的方式批量转移micro-led至micro-led显示产品包括的目标基板上。
56.但是，如背景技术记载，其一，虽然采用包括弹性印章的转移头抓取micro-led，设备和操作均简单，也能够完成大批量的转移，但是无法进行选择性转移，选择性转移是指：通过一个转移头选择性的将位于临时基板一侧的多个micro-led中仅部分micro-led一次批量转移至目标基板上。而且受转移头材料(一般为聚二甲基硅氧烷pdms)影响，其与目标基板的热膨胀系数也不相同，进而容易造成转移偏移，即无法将micro-led精确转移至目标基板的对应位置。其二，虽然采用激光辅助转移的方式，可以以激光为驱动实现无接触的选择性加工，并以图案化激光光斑的方式实现阵列化和批量化的转移，具有快速加工和可选择性等优势，但是激光不可避免的会烧蚀临时基板一侧的牺牲层，产生的冲击容易造成芯片翻晶，轨迹不稳定等问题，芯片翻晶是指micro-led芯片方向翻转，轨迹不稳定是指转移
时转移轨迹发生偏移，从而也造成转移偏移的问题，转移精度较差。此外，激光光斑形状、激光能量不均匀、光斑分辨率和/或micro-led与目标基板之间的间距等也不可避免的影响转移精度。
57.本公开实施例提供了一种新的转移装置，采用该转移装置不仅可以将micro-led精确转移至所需位置，而且可以选择性转移micro-led。
58.图1是本公开实施例提供的一种微型发光二极管的转移装置的俯视图。图2是在图1所示结构基础上示出的一种转移装置在aa'方向上的截面图。参考图1和图2可以看出，本公开实施例记载的转移装置包括：转移头结构1。
59.该转移头结构1包括：转移头基体10，以及开设于转移头基体10上且相互间隔的多个容纳槽20。参考图2可以看出，该容纳槽20不贯穿转移头基体10。
60.每个容纳槽20包括：相互连通的第一容纳槽201和第二容纳槽202。
61.其中，第一容纳槽201用于容纳微型发光二极管l1，即，micro-led。第二容纳槽202用于容纳夹持部件b1。相应的，第一容纳槽201也可以称为微型发光二极管容纳槽；第二容纳槽202也可以称为夹持部件容纳槽。
62.在图2所示结构基础上，继续参考图3可以看出，其中，容纳于第二容纳槽202内的夹持部件b1能够在升温后由图3所示的初始形态(1)形变为图1所示的延伸形态(2)，且在降温后可以再由延伸形态(2)恢复为初始形态(1)。即，本公开实施例记载的夹持部件b1为受温度影响可形变的结构。
63.图3示出的初始形态(1)下夹持部件b1的长度l1小于延伸形态(2)下夹持部件b1的长度l2，而初始形态(1)下夹持部件b1的宽度l3大于延伸形态(2)下夹持部件b1的宽度l4。需要说明的是，本公开实施例记载的长度方向均平行于转移头基体10，宽度方向均垂直于转移头基体10。此处，是指平行于或垂直于转移头基体10的承载面的方向。
64.继续参考图3还可以进一步看出，在延伸形态(2)下，夹持部件b1与第一容纳槽201中容纳的微型发光二极管l1可以相互接触，以将微型发光二极管l1夹持于第一容纳槽201内。以及，在初始形态(1)下，夹持部件b1与第一容纳槽201中容纳的微型发光二极管l1可以相互间隔。相应的，夹持部件b1不会将微型发光二极管l1夹持于第一容纳槽201内。
65.也即是，在本公开实施例中，在较低温度(如，室温25摄氏度℃左右)下，容纳于第二容纳槽202内的夹持部件b1可以处于初始形态(1)或从延伸形态(2)恢复为初始形态(1)，不对微型发光二极管l1进行夹持。而在受热后的较高温度(如，80℃左右)下，夹持部件b1可以从初始形态(1)形变为延伸形态(2)，以对微型发光二极管l1进行夹持。如此，结合图3，在需要将位于临时基板100或外延基板上的微型发光二极管l1转移至所需设置微型发光二极管l1的目标基板200上时，可以先通过对夹持部件b1加热以将位于临时基板一侧的微型发光二极管l1夹持于第一容纳槽201内，然后再移动转移头结构1，以将微型发光二极管l1由临时基板100一侧移送至所需目标基板200一侧，最后可以通过对夹持部件b1降温以释放微型发光二极管l1，实现微型发光二极管l1的批量转移。该转移过程中的夹持方式属于一种机械夹持方式。
66.此外，结合夹持部件b1的受热形变特性可知，本公开实施例还可以基于需要转移的微型发光二极管l1，在多个容纳槽20中，所需夹持微型发光二极管l1的部分容纳槽20中的第二容纳槽202内设置夹持部件b1，实现对微型发光二极管l1的夹持，而在无需夹持微型
发光二极管l1的其余容纳槽20中的第二容纳槽202内不设置夹持部件b1。即结合图1至图3可以看出，在本公开实施例中，可以在多个第二容纳槽202中部分第二容纳槽202选择性容纳设置夹持部件b1，从而实现针对微型发光二极管l1的选择性转移。如，部分第二容纳槽202可以包括：所连通的第一容纳槽201中容纳无缺陷的微型发光二极管l1的第二容纳槽202；或，目标基板200中与所连通的第一容纳槽201的对应位置处无需设置微型发光二极管l1的第二容纳槽202。即，可以通过灵活设置夹持部件b1，选择性转移临时基板100上不存在缺陷的微型发光二极管l1，而不将存在缺陷的微型发光二极管l1转移至目标基板200上。如此，可以避免将有缺陷的微型发光二极管l1转移至目标基板200，带来检测和修复难度，可以省去针对目标基板200，检测和去除其上已转移的微型发光二极管l1的过程。
67.结合上述实施例记载可知，本公开实施例提供的转移装置在转移微型发光二极管l1时，相对于采用传统的印章(stamp)式转移头转移而言，可以避免pdms材料与目标基板200的热膨胀系数不同而引起的转移偏移问题，且可以实现选择性转移。相对于激光转移方式而言，可以避免激光烧蚀带来的冲击造成芯片翻晶和轨迹不稳定等问题。由此可知，采用该转移装置转移的精度较好。
68.综上所述，本公开实施例提供了一种微型发光二极管的转移装置。该转移装置包括转移头结构，该转移头结构包括转移头基体和开设于转移头基体上间隔设置的多个容纳槽，且每个容纳槽包括相互连通并用于分别容纳微型发光二极管和夹持部件的两个容纳槽。因其中容纳的夹持部件可以受温度影响处于初始形态和延伸形态等两个形态，以通过机械方式夹持或是不夹持微型发光二极管，故可以选择性的将微型发光二极管精确转移至显示产品包括的基板上的指定位置，转移灵活性较高，且转移精度较好。
69.可选的，参考图3还可以看出，每个容纳槽20中，第一容纳槽201的长度d1可以大于第二容纳槽202的长度d2，且第一容纳槽201的宽度d3可以大于第二容纳槽202的宽度d4。如上述实施例记载，长度方向可以平行于转移头基体1，宽度方向可以垂直于转移头基体1。即，每个容纳槽20的截面均可以呈图1所示的l型。当然，此处长度和宽度大小仅是示意性说明。如，在一些其他实施例中，第一容纳槽201的长度d1可以大于第二容纳槽202的长度d2，第一容纳槽201的宽度d3可以等于第二容纳槽202的宽度d4。
70.但是，无论第一容纳槽201和第二容纳槽202的长度和宽度如何，对于第一容纳槽201而言，为容纳微型发光二极管l1，其长度d1可以大于微型发光二极管l1的长度，且第一容纳槽201的形状与所容纳的微型发光二极管l1的形状可以相匹配，如，可以均为图1所示的矩形。以及，对于第二容纳槽202而言，其中容纳的夹持部件b1的形状与第二容纳槽202的形状也可以相匹配，如，也可以均为图1所示的矩形。当然，在一些其他实施例中，也可以为其他形状，如梯形。
71.需要说明的是，图1至图3示出的转移装置中，每个容纳槽20仅包括一个用于容纳夹持部件b1的第二容纳槽202，而在一些其他实施例中，也可以在第一容纳槽201的左右两侧均开设第二容纳槽202，以容纳两个夹持部件b1，该两个夹持部件b1可以在形变为延伸形态后，从微型发光二极管l1的左右两侧分别接触微型发光二极管l1，实现对微型发光二极管l1的可靠夹持。
72.可选的，在本公开实施例中，第二容纳槽202中容纳的夹持部件b1的材料可以包括：形状记忆高分子(shape memory polymer，smp)材料。相应的，该夹持部件b1可以为图3
所示的形状记忆高分子smp图案，第二容纳槽202还可以称为形状记忆高分子容纳槽。smp图案可以在低温加热至高温后由低温下所处的初始形态可靠形变为延伸形态，且可以在由高温降温冷却至低温后重新由延伸形态恢复为初始形态，将这种可形变特性称为形状记忆特性，且该形状记忆特性是在温度影响下的形状记忆特性。
73.目前，现有的可光固化smp材料在力学性能方面具有如伸长率偏低和抗疲劳性能差等局限性，这限制了smp材料的应用范围。为此，本公开实施例提供了一种可承受大形变且具备抗疲劳能力的可光固化smp，该smp在高温(如，80℃)下具有较低的弹性模量和较高的断裂伸长率，且同时还具有近乎100％的形状固定率和良好的形状恢复率(约90％)，以及可以承受超过10000次大变形的循环加载，循环应变在150％～250％之间。该可光固化smp的体系主要由丙烯酸叔丁酯tba和脂肪族聚氨酯二丙烯酸酯aud组成，极易光固化。此外，因aud的前驱体(即，形成smp之前的单体)的含量在50wt％(质量百分含量单位)以下时，该前驱体溶液即具有较低的黏度，故也适用于数字光处理(digital light procession，dlp)技术的三维(3-dimension，3d)打印，即可以与基于dlp的3d打印技术兼容，可以采用3d打印技术在第二容纳槽202内打印smp材料形成高分辨率且高度复杂的3d结构形式的夹持部件b1。并且，该材料优异的光聚合性能也使其称为dpl 4d打印的理想材料，即也可以采用4d打印技术在第二容纳槽202内打印smp材料形成高分辨率且高度复杂的3d结构形式的夹持部件b1，打印精度可以达到约2微米。
74.示例的，在本公开实施例中，可以在第二容纳槽202内采用3d打印或4d打印技术预先喷上用于粘合smp材料的胶，然后再通过3d打印或4d打印技术制作形成smp图案，得到夹持部件b1。该处理方式下，形成的夹持部件b1可以呈图3所示的空心网状结构。打印夹持部件b1的设备可以称为打印设备。
75.也即是，在本公开实施例中，在该第二容纳槽202中容纳的夹持部件b1可以呈空心网状结构。相对于实心结构而言，可以防止实心结构形变困难，以及形变后对微型发光二极管l1挤压力过大而造成微型发光二极管l1损坏。即，该空心网状结构可以在确保灵活形变的前提下，避免损坏微型发光二极管l1。
76.可选的，在本公开实施例中，转移头基体10的材料可以包括：石英玻璃，或不锈钢。即，可以采用石英玻璃或不锈钢材料制作转移头基体10。这类材料的共性在：具有高刚度、高强度以及高导热率。相应的可知，在一些其他实施例中，也可以采用除石英玻璃和不锈钢等其他具有高刚度、高强度以及高导热率的材料制作转移头基体10。如，金刚石。
77.通过设置转移头基体10的材料为具有高导热率的材料，可以通过给转移头基体10加热，以通过热传导，间接实现对第二容纳槽202中容纳的夹持部件b1的可靠加热，使得夹持部件b1能够处于不同形态(包括初始形态和延伸形态)。
78.可选的，在本公开实施例中，参考图4示出的另一种转移装置可以看出，该转移装置还可以包括：转移设备2、加热设备3和降温设备4。
79.其中，该转移设备2可以与转移头结构1连接，该转移设备2可以用于控制转移头结构1的移动。如，在需要将位于临时基板100或外延基板上的微型发光二极管l1转移至所需设置微型发光二极管l1的目标基板200时，可以先通过转移设备2将转移头结构1自动移动至临时基板100一侧；在夹持临时基板100上的微型发光二极管l1后，可以再通过转移设备2将转移头结构1自动移动至目标基板200的一侧。如此，可以提高转移灵活性，且转移效率较
好。
80.该加热设备3可以用于对转移头结构1进行加热，从而将热传导至容纳于转移头结构1的第二容纳槽202内容纳的夹持部件b1，实现对夹持部件b1的加热处理，使得夹持部件b1由初始形态可靠形变为延伸形态，可靠夹持微型发光二极管l1。如，该加热设备3可以为电热丝或电阻加热器阵列。
81.该降温设备4可以用于对转移头结构1进行降温，从而使得转移头结构1的第二容纳槽202内容纳的夹持部件b1由加热后的高温冷却至低温，进而由形变后的延伸形态再次恢复为初始形态，可靠释放夹持的微型发光二极管l1。如，该降温设备4可以为冷气机或降温风扇。
82.当然，在一些其他实施例中，也可以不设置降温设备4，可以通过停止加热处理使得夹持部件b1自动降温至较低温度，以由形变后的延伸形态再次恢复为初始形态。以及，在一些其他实施例中，也可以由不隶属于转移装置的外部加热装置和外部降温装置对夹持部件b1进行加热和降温。此外，上述实施例记载的打印设备也可以为转移装置的一部分，或者也可以为独立于转移装置的外部打印设备。本公开实施例对转移装置包括的结构不做限定，前提是包括转移头结构1。需要说明的是，图4中未示出转移头结构1中容纳的微型发光二极管。
83.结合上述实施例记载可知，本公开实施例可以通过在转移头基体10上开设微型发光二极管容纳槽(即，第一容纳槽201)和夹持部件容纳槽(即，第二容纳槽202)，可以使用3d打印或4d打印技术在第二容纳槽202中打印形状记忆高分子材料形成夹持部件，以根据温度变化夹持微型发光二极管l1或释放微型发光二极管l1，从而实现巨量转移。此外，因兼容3d打印或4d打印技术，故可以实现在所需位置处选择性打印夹持部件b1，进而实现选择性转移微型发光二极管l1，避免将有缺陷的微型发光二极管l1转移至目标基板，而带来修复难度。同时由于采用的是机械夹持的方式，故可以解决传统stamp方式的转移头因材料pdms与目标基板热膨胀系数不同而因引起的转移偏移问题。
84.综上所述，本公开实施例提供了一种微型发光二极管的转移装置。该转移装置包括转移头结构，该转移头结构包括转移头基体和开设于转移头基体上间隔设置的多个容纳槽，且每个容纳槽包括相互连通并用于分别容纳微型发光二极管和夹持部件的两个容纳槽。因其中容纳的夹持部件可以受温度影响处于初始形态和延伸形态等两个形态，以通过机械方式夹持或是不夹持微型发光二极管，故可以选择性的将微型发光二极管精确转移至显示产品包括的基板上的指定位置，转移灵活性较高，且转移精度较好。
85.图5是本公开实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的流程图，应用于如上述附图所示的转移装置中。如图5所示，该转移方法包括：
86.步骤501、在转移头结构中，转移头基体的第二容纳槽内形成处于初始形态夹持部件。
87.示例的，图6示出了一种所提供的转移头结构1，以及在其包括的转移头基体10中第二容纳槽202内形成的夹持部件b1。
88.可选的，结合图6，如上述实施例记载，可以采用打印设备，并通过三维(即，3d)打印技术或四维(即，4d)打印技术，在转移头结构1中，转移头基体10的第二容纳槽202内打印形状记忆高分子smp材料，形成呈空心网状的夹持部件b1。此时，结合上述图3可知，形成的
夹持部件b1(即，smp图案)可以处于初始形态，与第一容纳槽201中容纳的微型发光二极管l1可以相互间隔，即不接触，相应的，此时还无法将微型发光二极管l1夹持于第一容纳槽201内。
89.需要说明的是，夹持部件b1处于初始形态时，转移头基体10的温度可以控制在25℃左右，该温度可以是指室温，当然，也可以是通过图4所示的加热设备3所控制的温度。即，在采用smp材料形成夹持部件b1的基础上，可以认为是通过控制温度为25℃左右，使得形状记忆高分子容纳槽(即，第二容纳槽202)内的smp图案处于初始形态。
90.可选的，继续结合图6，如上述实施例记载，可以根据需要转移的微型发光二极管l1，在转移头结构1中，转移头基体10包括的多个第二容纳槽202的目标容纳槽内形成夹持部件b1。
91.其中，结合图3，该目标容纳槽可以包括：所连通的第一容纳槽201中容纳无缺陷的微型发光二极管l1的第二容纳槽202。或，目标基板200中与所连通的第一容纳槽201的对应位置处无需设置微型发光二极管l1的第二容纳槽202。也即是，有缺陷的微型发光二极管l1或目标基板200无需设置微型发光二极管l1的位置所对应的第二容纳槽202内不打印形成smp图案得到夹持部件b1，该未设置夹持部件b1的部位可以称为smp空缺部位，而仅在除该smp空缺部位的其余第二容纳槽202中对应设置夹持部件b1。
92.例如，参考图6，从左往右看，其仅在第1个第二容纳槽202、第2个第二容纳槽202和第4个第二容纳槽202中形成了该夹持部件b1，而未在第3个第二容纳槽202中形成该夹持部件b1，相应的，该第3个第二容纳槽202位置可以称为smp空缺部位。该第3个第二容纳槽202中容纳的微型发光二极管l1可以为存在缺陷的微型发光二极管。
93.步骤502、将临时基板上的微型发光二极管容纳于转移头基体的第一容纳槽内。
94.示例的，图7和图8分别示出了一种容纳有微型发光二极管l1的示意图。可选的，结合图7可知，在本公开实施例中，当图6所示结构未处于临时基板100一侧的场景下，可以先通过图4所示的转移设备2将图6所示结构自动移动至临时基板100一侧，以使得多个第一容纳槽201分别与临时基板100上需要转移的多个微型发光二极管l1一一对应。当然，若图6所示结构原本就处于临时基板100一侧，则无需执行该移动至临时基板100一侧的操作。
95.随后，结合图8可以看出，可以继续控制转移头结构1向下移动至临时基板100上，使得多个微型发光二极管l1一一对应的容纳于多个第一容纳槽201中，从而完成将临时基板上的微型发光二极管容纳于转移头基体的第一容纳槽内的操作。该移向临时基板100的操作也可以通过图4所示的转移设备2自动完成。当然，在一些其他实施例中，也可以由其他移动设备控制移动。
96.步骤503、对具有夹持部件的转移头结构进行加热处理，使得夹持部件由初始形态形变为延伸形态，与第一容纳槽中容纳的微型发光二极管相互接触，以将微型发光二极管夹持于第一容纳槽内。
97.示例的，图9示出了一种将微型发光二极管l1夹持于第一容纳槽201中的示意图。
98.可选的，结合图9，在本公开实施例中，可以采用图4所示转移装置包括的加热设备3对具有夹持部件b1的转移头结构1进行加热处理。
99.示例的，如上述实施例记载，转移头基体10可以采用高导热率的材料制成，故可以直接对转移头结构1中的转移头基体10进行加热，加热温度可以通过其高导热率快速且可
靠的传递至夹持部件b1，如传递至形状记忆高分子smp，使得其温度升高。在升高到约80℃左右时，形状记忆高分子smp即可以由图6所示的初始形态形变为图9所示的延伸形态，并将微型发光二极管l1可靠夹持于第一容纳槽201(即，微型发光二极管容纳槽)中。
100.可选的，结合图10，在夹持微型发光二极管l1之后，可以进一步提升转移头结构1，以使被夹持于第一容纳槽201中的微型发光二极管l1脱离临时基板100。可选的，该提升转移头结构1的操作也可以通过图4所示的转移设备2自动完成。当然，也可以通过其他提升设备控制提升。并且，结合图6还可以看出，因第3个第二容纳槽202中未打印smp材料形成夹持部件b1，故无法实现对与其连通的第3个第一容纳槽201中容纳的微型发光二极管l1的夹持。进而，在提升转移头结构1后，如图10所示，本来容纳于第3个第一容纳槽201中的微型发光二极管l1无法脱离临时基板100，依然位于临时基板100的一侧。
101.步骤504、将采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构由临时基板一侧移动至目标基板一侧，使得微型发光二极管转移至目标基板上。
102.示例的，图11示出了一种将微型发光二极管转移至目标基板的结构示意图。
103.可选的，结合图11，在本公开实施例中，可以采用图4所示转移装置包括的转移设备2，将采用夹持部件b1夹持微型发光二极管l1的转移头结构2由临时基板100一侧移动至目标基板200一侧。即，可以控制转移头结构1携带夹持的微型发光二极管l1由临时基板100一侧自动移动至图11所示的目标基板200一侧。随后，可以将夹持的微型发光二极管l1与目标基板200上所需设置微型发光二极管l1的位置一一对准，也可以称为对准目标位置。参考图11还可以看出，目标基板200上可以包括间隔排布的多个焊点组z1，每个焊点组z1包括相邻的两个焊点p1，每个焊点组z1可以对应设置一个微型发光二极管l1。相应的可知，可以将夹持的微型发光二极管l1与多个焊点组z1一一对准。
104.再然后，结合图12可以看出，在对准目标位置后，可以对转移头结构1施加一定压力，使得微型发光二极管l1的各电极对应目标基板200上的各电极连接材料并保持接触。每个微型发光二极管l1可以包括一正一负两个电极。可选的，可以采用加压设备对转移头结构1施加压力，加压设备可以为图4所示转移装置中转移设备2的一部分。或者，也可以为独立于转移设备2的其他部分。
105.接着，可以处理微型发光二极管l1的各电极和目标基板200之间电极连接材料，使得电极连接材料将微型发光二极管l1与目标基板200上预制电路(如，驱动微型发光二极管l1发光的电路)可靠连接。
106.可选的，可以通过加热加压处理，使得焊点p1熔化为图13所示的形状，完成微型发光二极管l1与目标基板200的焊接。
107.步骤505、对采用夹持部件夹持微型发光二极管的转移头结构进行降温处理，使得夹持部件由延伸形态恢复为初始形态，释放微型发光二极管。
108.示例的，图14示出了一种释放微型发光二极管后的示意图。
109.可选的，结合图14，在本公开实施例中，可以采用图4所示转移装置包括的降温设备4对采用夹持部件b1夹持微型发光二极管l1的转移头结构1进行降温处理，使得其中夹持部件b1的温度降低。如，可以通过给转移头基体10降温，来间接将夹持部件b1(即，smp图案)的温度降低至较低温度，如25℃，使得夹持部件b1由图9所示的延伸形态再次可靠恢复至图14所示的初始形态，取消对微型发光二极管l1的夹持。当然，在一些实施例中，也可以不提
供降温设备4，而是通过停止加热使得夹持部件b1自动降温至较低温度，以恢复至初始形态。最后，如上述图10记载，可以再次提升转移头结构1，使转移头结构1远离目标基板200，至此即完成了对微型发光二极管l1的转移。
110.需要说明的是，因不同场景下，所需打印smp材料形成夹持部件b1的位置不同，故在一次转移完成之后，可以去除第二容纳槽202中形成的夹持部件b1，以便下次继续在所需位置灵活打印smp材料形成夹持部件b1。可选的，可以采用刻蚀方式去除第二容纳槽202中形成的夹持部件b1。
111.综上所述，本公开实施例提供了一种微型发光二极管的转移方法。该转移方法中，可以在转移头结构的第二容纳槽中形成夹持部件，并通过加热和降温处理，改变夹持部件的形态，实现机械方式夹持或是不夹持微型发光二极管。如此，可以选择性的将微型发光二极管精确转移至显示产品包括的基板上的指定位置，转移灵活性较高，且转移精度较好。
112.本公开实施方式部分使用的术语仅用于对本公开的实施例进行解释，而非旨在限定本公开。除非另作定义，本公开的实施方式使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。
113.如，在本公开实施例中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
114.同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。
[0115]“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。
[0116]“上”、“下”、“左”或者“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则相对位置关系也可能相应地改变。
[0117]“和/或”，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0118]
以上仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。