一种底面清洗装置的制作方法

本发明涉及半导体晶圆加工，尤其涉及一种底面清洗装置。

背景技术：

1、目前半导体行业采用在半导体晶圆的表面上形成有ic(integrated circuit，集成电路)或lsi(large scale integration，大规模集成电路)等电子电路来制造半导体芯片。晶圆在被分割为半导体芯片之前，通过磨削减薄加工装置来磨削晶圆的背面，该背面是指形成有电子电路的器件面的相反面，也称衬底。晶圆的背面减薄(grinding)指对封装前的硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精度磨削，使其厚度减少至合适的超薄形态。

2、磨削减薄的去除厚度在700μm左右甚至更多，由于这么大量的去除厚度，在磨削过程中会产生大量的大尺寸污染物如大颗粒，并且晶圆总厚度在减薄至一定程度后，例如7μm以下，晶圆的边缘会发生少量剥离从而产生碎渣。随着设备的长期运行，磨削工序后晶圆底面携带的大尺寸污染物会在传输单元的表面不断累积，同时作为磨削工序上料位，污染物会传递回至磨削工位，进而影响磨削表面的均匀性、一致性。

技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种底面清洗装置，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

2、本发明实施例提供了一种底面清洗装置，安装在晶圆减薄设备的基座上，所述晶圆减薄设备包括在晶圆磨削过程中使用的工作台和磨削机械手，所述底面清洗装置用于清洗磨削之后的晶圆底面和/或磨削机械手的底面，位于工作台的旁边并处于磨削机械手的移动轨迹上；所述底面清洗装置包括向上喷射液体或气体的喷淋件，用于对晶圆和/或磨削机械手的底面进行非接触式的清洗和/或干燥。

3、在一个实施例中，所述底面清洗装置还包括摆臂、支座和驱动机构，摆臂位于支座上方，摆臂的自由端固定有喷淋件，摆臂的定位端可转动地连接驱动机构，从而实现驱动机构控制摆臂带动喷淋件水平摆动。

4、在一个实施例中，所述底面清洗装置还包括顶部开口的外罩，喷淋件在外罩内移动。

5、在一个实施例中，所述底面清洗装置还包括用于对摆臂的摆动角度进行限位的光电传感器，光电传感器安装在支座的顶端靠近摆臂的定位端。

6、在一个实施例中，所述底面清洗装置还包括刷洗组件，用于清洗晶圆和/或磨削机械手的底面。

7、在一个实施例中，所述刷洗组件包括第一刷洗组件、第二刷洗组件和磨抛组件。

8、在一个实施例中，所述第一刷洗组件包括第一刷洗件和第一支撑件。

9、在一个实施例中，所述第二刷洗组件包括第二刷洗件和第二驱动件。

10、在一个实施例中，所述磨抛组件包括磨抛件和第三驱动件。

11、在一个实施例中，所述磨削机械手为吸盘式机械手。

12、本发明实施例的有益效果包括：实现了在磨削之后对晶圆底面进行清洗，以及在磨削机械手不带片时清洗其底面，清洗效果好。

技术特征：

1.一种底面清洗装置，其特征在于，安装在晶圆减薄设备的基座上，所述晶圆减薄设备包括在晶圆磨削过程中使用的工作台和磨削机械手，所述底面清洗装置用于清洗磨削之后的晶圆底面和/或磨削机械手的底面，位于工作台的旁边并处于磨削机械手的移动轨迹上；所述底面清洗装置包括向上喷射液体或气体的喷淋件，用于对晶圆和/或磨削机械手的底面进行非接触式的清洗和/或干燥。

2.如权利要求1所述的底面清洗装置，其特征在于，还包括摆臂、支座和驱动机构，摆臂位于支座上方，摆臂的自由端固定有喷淋件，摆臂的定位端可转动地连接驱动机构，从而实现驱动机构控制摆臂带动喷淋件水平摆动。

3.如权利要求2所述的底面清洗装置，其特征在于，还包括顶部开口的外罩，喷淋件在外罩内移动。

4.如权利要求3所述的底面清洗装置，其特征在于，还包括用于对摆臂的摆动角度进行限位的光电传感器，光电传感器安装在支座的顶端靠近摆臂的定位端。

5.如权利要求1所述的底面清洗装置，其特征在于，还包括刷洗组件，用于清洗晶圆和/或磨削机械手的底面。

6.如权利要求5所述的底面清洗装置，其特征在于，所述刷洗组件包括第一刷洗组件、第二刷洗组件和磨抛组件。

7.如权利要求6所述的底面清洗装置，其特征在于，所述第一刷洗组件包括第一刷洗件和第一支撑件。

8.如权利要求6所述的底面清洗装置，其特征在于，所述第二刷洗组件包括第二刷洗件和第二驱动件。

9.如权利要求6所述的底面清洗装置，其特征在于，所述磨抛组件包括磨抛件和第三驱动件。

10.如权利要求1所述的底面清洗装置，其特征在于，所述磨削机械手为吸盘式机械手。

技术总结
本发明公开了一种底面清洗装置，安装在晶圆减薄设备的基座上，所述晶圆减薄设备包括在晶圆磨削过程中使用的工作台和磨削机械手，所述底面清洗装置用于清洗磨削之后的晶圆底面和/或磨削机械手的底面，位于工作台的旁边并处于磨削机械手的移动轨迹上；所述底面清洗装置包括向上喷射液体或气体的喷淋件，用于对晶圆和/或磨削机械手的底面进行非接触式的清洗和/或干燥。

技术研发人员：许刚,刘远航,杨晓良,马旭
受保护的技术使用者：华海清科股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13