盖合结构、盖合方法以及包括盖合结构的半导体设备与流程

本公开涉及半导体设备领域，尤其涉及盖合结构、盖合方法以及包括盖合结构的半导体设备。

背景技术：

1、刻蚀设备(例如，等离子体刻蚀设备)设备是半导体元件如芯片制备的较常见的设备，以等离子体刻蚀设备为示例，其通常采用等离子体等气体对半导体工件(例如，晶圆)进行刻蚀，以形成特定的微结构。等离子体刻蚀设备通常包括用于执行刻蚀工艺的腔室，在对该腔室进行维护的过程中，往往需要更换腔室内的关键部件。

技术实现思路

1、本公开提供了一种盖合结构、盖合方法以及包括盖合结构的半导体设备，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

2、第一方面，本公开提供了一种盖合结构，该盖合结构用于开合半导体设备的盖体与第一腔体，并包括：升降模块，配置为带动盖体沿第一腔体的高度方向移动，以及滑动模块，与升降模块固定连接，并与盖体接触，滑动模块配置为带动盖体沿第一腔体的第一宽度方向滑动。根据本公开的一个示例性方面的盖合结构，能够提高半导体设备的盖体和第一腔体的盖合精准度以及在打开盖体之后可便于对第一腔体内部进行操作。

3、第二方面，本公开提供了一种半导体设备，包括前文所述的盖体和第一腔体、以及用于开合所述盖体和第一腔体的盖合结构。根据本公开的一个示例性方面的半导体设备，其包括的盖合结构能够提高半导体设备的盖体和第一腔体的盖合精准度以及在打开盖体之后可便于对第一腔体内部进行操作。

4、第三方面，提供了一种盖合方法，用于开合半导体设备的盖体和第一腔体，该方法包括：经由升降模块带动盖体沿第一腔体的高度方向移动；以及在盖体沿第一腔体的高度方向移动之前或之后，通过滑动模块带动盖体沿所述第一腔体的第一宽度方向滑动，其中，所述高度方向和所述第一宽度方向垂直。根据本公开的一个示例性方面的盖合方法，能够提高盖合半导体设备的盖体和第一腔体的精准度以及在打开盖体之后可便于对第一腔体内部进行操作。

5、根据本公开的盖合结构，能够提高半导体设备的盖体和第一腔体的盖合精准度以及在打开盖体之后可便于对第一腔体内部进行操作。

6、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.盖合结构，用于开合半导体设备的盖体与第一腔体，并包括：

2.根据权利要求1所述的盖合结构，其中，所述升降模块包括：

3.根据权利要求1所述的盖合结构，其中，所述滑动模块包括：

4.根据权利要求2所述的盖合结构，其中，所述升降机构包括：

5.根据权利要求4所述的盖合结构，其中，所述第一支撑件的底部设置有孔，所述升降机构还包括：

6.根据权利要求4所述的盖合结构，其中，所述第一驱动机构通过联轴器与所述升降单元连接，所述第一驱动结构还配置为驱动所述升降单元在所述第一腔体的高度方向移动。

7.根据权利要求4所述的盖合结构，其中，所述升降模块还包括：

8.根据权利要求7所述的盖合结构，其中，所述升降机构还包括：

9.根据权利要求8所述的盖合结构，其中，所述升降机构还包括：

10.根据权利要求9所述的盖合结构，其中，所述升降模块还包括：

11.根据权利要求3所述的盖合结构，其中，所述第一滑动机构还包括沿所述第一腔体的第二宽度方向延伸出所述盖体的延伸部分，所述第二驱动机构包括：

12.根据权利要求11所述的盖合结构，其中，所述延伸部分包括第二表面，所述第二表面与所述第一表面位于所述第一滑动机构的同一侧，其中，所述第二表面与所述第一轨道面形成具有预设高度差的台阶结构。

13.根据权利要求3所述的盖合结构，其中，所述滑动模块还包括：

14.根据权利要求13所述的盖合结构，其中，所述滑动模块还包括：

15.一种半导体设备，包括：

16.一种盖合方法，用于开合半导体设备的盖体和第一腔体，所述方法包括：

技术总结
本公开提供了一种盖合结构、盖合方法以及包括盖合结构的半导体设备，该盖合结构包括：升降模块，配置为带动盖体沿第一腔体的高度方向移动，以及滑动模块，与升降模块固定连接，并与盖体接触，滑动模块配置为带动盖体沿第一腔体的第一宽度方向滑动。根据本公开的盖合结构，能够提高半导体设备的盖体和第一腔体的盖合精准度以及在打开盖体之后可便于对第一腔体内部进行操作。

技术研发人员：张新云,管长乐
受保护的技术使用者：北京屹唐半导体科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13