显示面板与显示装置的制作方法

本申请涉及显示，具体涉及一种显示面板与显示装置。

背景技术：

1、近年来，越来越多显示设备在实现高分辨率、高清晰度、快速响应等性能指标同时，还有了越来越多关于其他性能诸如低成本、低能耗、环保、低蓝光的要求，而显示面板中的薄膜晶体管器件对于提升上述性能起到了至关重要的作用。

2、为了实现薄膜晶体管器件中有源层与源漏极的搭接，需要对有源层的非沟道区进行导体化处理，主要通过等离子体轰击或掺杂处理实现导体化处理。然而在导体化处理的过程中易引入过量的载流子或氢，随着后续工艺制程的进行，特别是在后续的高温退火制程中，导体化区中所存在的过量的载流子或氢易向沟道区扩散，使得实际有效的沟道长度变小，即发生短沟道效应，严重时会导致器件因短路而失效进而造成显示不良。

技术实现思路

1、本发明提供一种显示面板与显示装置，所述显示面板可解决因段沟道效应造成的器件短路进而引发显示不良的问题。

2、为解决上述问题，第一方面，本发明提供了一种显示面板，所述显示面板包括：

3、基板；

4、薄膜晶体管层，设置于所述基板上，包括多个间隔设置的薄膜晶体管；

5、其中，任意一所述薄膜晶体管层包括一有源部，所述有源部包括沟道段以及与所述沟道段弯折连接的导体化段，所述沟道段与所述基板的间距和所述导体化段与所述基板的间距相异。

6、在本发明一实施例提供的一所述显示面板中，所述沟道段与所述基板的间距小于所述导体化段与所述基板的间距。

7、在本发明一实施例提供的一所述显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述薄膜晶体管层与所述基板之间的垫高层，所述垫高层包括多个垫高部，一所述导体化段对应设置于一所述垫高部上方。

8、在本发明一实施例提供的一所述显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述垫高层与所述薄膜晶体管层之间的遮光层，所述遮光层包括的对应各所述有源部设置的多个遮光部，一所述遮光部相对的两端部分别设置于对应的两所述垫高部上。

9、在本发明一实施例提供的一所述显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述遮光层与所述薄膜晶体管层之间的缓冲层，所述缓冲层对应各所述遮光部的区域具有凹槽，对于任一所述有源部，所述沟道段设置于对应的所述凹槽的槽底上，所述导体化段的一端设置于所述凹槽的侧壁上且另一端延伸至所述凹槽以外。

10、在本发明一实施例提供的一所述显示面板中，所述垫高层沿垂直于所述基板方向上的厚度为1000埃-3000埃。

11、在本发明一实施例提供的一所述显示面板中，所述垫高层的材料选自氧化硅、氮化硅以及金属氧化物中的至少一种。

12、在本发明一实施例提供的一所述显示面板中，所述沟道段与所述基板的间距大于所述导体化段与所述基板的间距。

13、在本发明一实施例提供的一所述显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述薄膜晶体管层与所述基板之间的垫高层，所述垫高层包括多个垫高部，一所述沟道段对应设置于一所述垫高部上方。

14、第二方面，本发明提供了一种显示装置，所述显示装置包括前述的显示面板。

15、有益效果：本发明实施例提供了一种显示面板与显示装置，所述显示面板包括基板与设置于所述基板上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括多个间隔设置的薄膜晶体管；其中，任意一所述薄膜晶体管层包括一有源部，所述有源部包括沟道段以及与所述沟道段弯折连接的导体化段，所述沟道段与所述基板的间距和所述导体化段与所述基板的间距相异，在该显示面板中，通过将所述沟道段与所述基板的间距和所述导体化段与所述基板的间距设置为不同，延长所述导体化段中存在的载流子与氢向所述沟道段扩散的路径，从而减少由所述导体化段扩散至所述沟道段的载流子与氢的数量，避免因所述沟道段存在较多的载流子与氢而被导体化而导致短沟道效应，进而避免了因段沟道效应引起显示不良的问题出现。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述沟道段与所述基板的间距小于所述导体化段与所述基板的间距。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述薄膜晶体管层与所述基板之间的垫高层，所述垫高层包括多个垫高部，一所述导体化段对应设置于一所述垫高部上方。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述垫高层与所述薄膜晶体管层之间的遮光层，所述遮光层包括的对应各所述有源部设置的多个遮光部，一所述遮光部相对的两端部分别设置于对应的两所述垫高部上。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述遮光层与所述薄膜晶体管层之间的缓冲层，所述缓冲层对应各所述遮光部的区域具有凹槽，对于任一所述有源部，所述沟道段设置于对应的所述凹槽的槽底上，所述导体化段的一端设置于所述凹槽的侧壁上且另一端延伸至所述凹槽以外。

6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述垫高层沿垂直于所述基板方向上的厚度为1000埃-3000埃。

7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述垫高层的材料选自氧化硅、氮化硅以及金属氧化物中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述沟道段与所述基板的间距大于所述导体化段与所述基板的间距。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述薄膜晶体管层与所述基板之间的垫高层，所述垫高层包括多个垫高部，一所述沟道段对应设置于一所述垫高部上方。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-9任意一项所述的显示面板。

技术总结
本发明提供了一种显示面板与显示装置，所述显示面板包括基板与设置于所述基板上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括多个间隔设置的薄膜晶体管；任意一所述薄膜晶体管层包括一有源部，所述有源部包括沟道段以及与所述沟道段弯折连接的导体化段，所述沟道段与所述基板的间距和所述导体化段与所述基板的间距相异，即通过将所述沟道段与所述基板的间距和所述导体化段与所述基板的间距设置为不同，延长所述导体化段中存在的载流子与氢向所述沟道段扩散的路径，从而减少由所述导体化段扩散至所述沟道段的载流子与氢的数量，避免因所述沟道段存在较多的载流子与氢而被导体化而导致短沟道效应，进而避免了因段沟道效应引起显示不良的问题出现。

技术研发人员：蔡志辉,董钰华
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1