Micro发光二极管结构的制作方法

micro发光二极管结构
技术领域
1.本实用新型属于半导体技术领域，具体地说是一种micro发光二极管结构。


背景技术：

2.micro led可显著提升显示分辨率，在ar、vr和平板等领域都有广泛的应用前景。随着显示器的不断薄型化，对led发光均匀性的要求也越来越高。
3.通常，采用收敛波长等级、收敛亮度等级与模组电路微调控等手段，来实现发光的均匀性提升。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种能改善micro led背光显示的发光均匀性的micro发光二极管结构。
5.按照本实用新型提供的技术方案，所述micro发光二极管结构，包括第一焊盘、第二焊盘、第一半导体层接触电极、绝缘保护层、第二半导体层、有源层、第一半导体层、缓冲层与分布式布拉格反射镜；
6.在缓冲层的正面设有第一半导体层，第一半导体层的正面为台阶面，在第一半导体层的正面低台阶面设有第一半导体层接触电极，在第一半导体层的正面高台阶面设有有源层，在有源层的正面设有第二半导体层，在第二半导体层的正面设有绝缘保护层，绝缘保护层包围第一半导体层接触电极，在绝缘保护层的正面设有第一焊盘与第二焊盘，第一焊盘通过绝缘保护层上的第一通孔与所述第一半导体层接触电极欧姆接触，第二焊盘通过绝缘保护层上的第二通孔与第二半导体层欧姆接触，在所述缓冲层的背面设有分布式布拉格反射镜。
7.作为优选，所述第一半导体层的正面低台阶面至第二半导体层的正面之间的高度d3与第一半导体层接触电极的厚度d4之间的高度差异小于0.1μm。
8.作为优选，所述分布式布拉格反射镜不仅完全覆盖缓冲层的背面而且分布式布拉格反射镜部分覆盖缓冲层的侧面。
9.作为优选，所述分布式布拉格反射镜完全覆盖缓冲层的背面。
10.作为优选，所述分布式布拉格反射镜部分覆盖缓冲层的背面，且分布式布拉格反射镜的外轮廓缩进缓冲层的外轮廓一段距离。
11.进一步优选，所述分布式布拉格反射镜的正面面积w2与所述缓冲层的背面面积w1二者之间满足w2/w1=0.6~0.95。
12.本实用新型利用在缓冲层的背面制作分布式布拉格反射镜，减弱了正面出光，增强了侧面出光，可以显著降低与光学层（即含量子点的颜色转换层）的距离，达到了改善发光均匀性、提升面发光特性的目的。
附图说明
13.图1是本实用新型实施例1的结构示意图。
14.图2是本实用新型实施例2的结构示意图。
15.图3是本实用新型实施例3的结构示意图。
具体实施方式
16.下面结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。
17.本实用新型可以为n-p结构，也可以为p-n结构。
18.以下实施例均为n-p结构进行说明，其中，第一半导体层接触电极3为n接触电极，第二半导体层5为p-gan，第一半导体层7为n-gan，缓冲层8为u-gan。
19.实施例1
20.一种micro发光二极管结构，如图1所示，包括第一焊盘1、第二焊盘2、第一半导体层接触电极3、绝缘保护层4、第二半导体层5、有源层6、第一半导体层7、缓冲层8与分布式布拉格反射镜9；
21.在缓冲层8的正面设有第一半导体层7，第一半导体层7的正面为台阶面，在第一半导体层7的正面低台阶面设有第一半导体层接触电极3，在第一半导体层7的正面高台阶面设有有源层6，在有源层6的正面设有第二半导体层5，在第二半导体层5的正面设有绝缘保护层4，绝缘保护层4包围第一半导体层接触电极3，在绝缘保护层4的正面设有第一焊盘1与第二焊盘2，第一焊盘1通过绝缘保护层4上的第一通孔与所述第一半导体层接触电极3欧姆接触，第二焊盘2通过绝缘保护层4上的第二通孔与第二半导体层5欧姆接触，在所述缓冲层8的背面设有分布式布拉格反射镜9，所述分布式布拉格反射镜9不仅完全覆盖缓冲层8的背面而且分布式布拉格反射镜9部分覆盖缓冲层8的侧面，且部分覆盖缓冲层8的侧面的分布式布拉格反射镜9的深度d2小于缓冲层8的厚度d1。
22.所述第一半导体层7的正面低台阶面至第二半导体层5的正面之间的高度d3与第一半导体层接触电极3的厚度d4之间的高度差异小于0.1μm，以保证第一焊盘1与第二焊盘2尽量在同一高度。
23.分布式布拉格反射镜9可以由sio2，tio2，sin
x
，al2o3，aln，hfo2，sbo等材料交替形成，可以是4层到20层（过厚易引入过大的应力，导致结构层的破坏）。
24.实施例2
25.一种micro发光二极管结构，如图2所示，包括第一焊盘1、第二焊盘2、第一半导体层接触电极3、绝缘保护层4、第二半导体层5、有源层6、第一半导体层7、缓冲层8与分布式布拉格反射镜9；
26.在缓冲层8的正面设有第一半导体层7，第一半导体层7的正面为台阶面，在第一半导体层7的正面低台阶面设有第一半导体层接触电极3，在第一半导体层7的正面高台阶面设有有源层6，在有源层6的正面设有第二半导体层5，在第二半导体层5的正面设有绝缘保护层4，绝缘保护层4包围第一半导体层接触电极3，在绝缘保护层4的正面设有第一焊盘1与第二焊盘2，第一焊盘1通过绝缘保护层4上的第一通孔与所述第一半导体层接触电极3欧姆接触，第二焊盘2通过绝缘保护层4上的第二通孔与第二半导体层5欧姆接触，在所述缓冲层8的背面设有分布式布拉格反射镜9，且所述分布式布拉格反射镜9完全覆盖缓冲层8的背
面。
27.所述第一半导体层7的正面低台阶面至第二半导体层5的正面之间的高度d3与第一半导体层接触电极3的厚度d4之间的高度差异小于0.1μm，以保证第一焊盘1与第二焊盘2尽量在同一高度。
28.分布式布拉格反射镜9可以由sio2，tio2，sin
x
，al2o3，aln，hfo2，sbo等材料交替形成，可以是4层到20层（过厚易引入过大的应力，导致结构层的破坏）。
29.实施例3
30.一种micro发光二极管结构，如图3所示，包括第一焊盘1、第二焊盘2、第一半导体层接触电极3、绝缘保护层4、第二半导体层5、有源层6、第一半导体层7、缓冲层8与分布式布拉格反射镜9；
31.在缓冲层8的正面设有第一半导体层7，第一半导体层7的正面为台阶面，在第一半导体层7的正面低台阶面设有第一半导体层接触电极3，在第一半导体层7的正面高台阶面设有有源层6，在有源层6的正面设有第二半导体层5，在第二半导体层5的正面设有绝缘保护层4，绝缘保护层4包围第一半导体层接触电极3，在绝缘保护层4的正面设有第一焊盘1与第二焊盘2，第一焊盘1通过绝缘保护层4上的第一通孔与所述第一半导体层接触电极3欧姆接触，第二焊盘2通过绝缘保护层4上的第二通孔与第二半导体层5欧姆接触，在所述缓冲层8的背面设有分布式布拉格反射镜9，所述分布式布拉格反射镜9部分覆盖缓冲层8的背面，且分布式布拉格反射镜9的外轮廓缩进缓冲层8的外轮廓一段距离，且所述分布式布拉格反射镜9的正面面积w2与所述缓冲层8的背面面积w1二者之间满足w2/w1=0.6~0.95。
32.所述第一半导体层7的正面低台阶面至第二半导体层5的正面之间的高度d3与第一半导体层接触电极3的厚度d4之间的高度差异小于0.1μm，以保证第一焊盘1与第二焊盘2尽量在同一高度。
33.分布式布拉格反射镜9可以由sio2，tio2，sin
x
，al2o3，aln，hfo2，sbo等材料交替形成，可以是4层到20层（过厚易引入过大的应力，导致结构层的破坏）。
34.上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型，本领域技术人员可以在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。