技术特征：
1.一种具有超结结构的半导体器件，其特征是：所述半导体器件形成在半导体基板上，所述半导体基板包括元胞区和终端区，所述元胞区位于半导体基板的中心区域，在所述元胞区内形成mos结构，所述终端区位于半导体基板的外围区域并环绕所述元胞区，在所述终端区内形成场氧层和多晶场极板结构；所述半导体基板包括：衬底；位于衬底上方的第一导电类型的外延层；多个第二导电类型的第一柱体，位于所述第一导电外延层内，所述第二导电类型的第一柱体和外延层中的对应第一导电类型的第二柱体形成多组pn柱对，在半导体基板内形成超结结构；所述超结结构分别存在于元胞区和终端区内，所述第一柱体沿着电流流通的方向在第一导电类型外延层内向下延伸，且所述第一柱体延伸的深度小于外延层的厚度；第二导电类型的注入阱区，形成在所述第一柱体的正上方；绝缘氧化层，设置在所述第二柱体的正下方；其中，所述注入阱区的掺杂浓度不低于所述第一柱体的掺杂浓度，所述注入阱区的宽度不小于所述第一柱体上方的宽度。2.根据权利要求1所述的具有超结结构的半导体器件，其特征是：多个第二导电类型的第一柱体中的每一个的宽度和深度均相同。3.根据权利要求1所述的具有超结结构的半导体器件，其特征是：所述绝缘氧化层厚度范围为4.根据权利要求1所述的具有超结结构的半导体器件，其特征是：所述mos结构包括平面型mos结构或沟槽型mos结构。
技术总结
本公开涉及一种具有超结结构的半导体器件。所述半导体器件形成在半导体基板上，所述半导体基板包括元胞区和终端区，所述半导体基板包括：衬底；位于衬底上方的第一导电类型的外延层；多个第二导电类型的第一柱体，位于所述第一导电外延层内，所述第二导电类型的第一柱体和外延层中的对应第一导电类型的第二柱体形成多组PN柱对，在半导体基板内形成超结结构；第二导电类型的注入阱区，形成在所述第一柱体的正上方；绝缘氧化层，设置在所述第二柱体的正下方。体的正下方。体的正下方。
技术研发人员：尹玉春
受保护的技术使用者：上海昱率科技有限公司
技术研发日：2022.02.18
技术公布日：2022/6/6