一种封装天线、无线电器件及雷达传感器的制作方法

1.本技术实施例涉及毫米波雷达天线技术领域，尤其涉及一种封装天线、无线电器件及雷达传感器。


背景技术：

2.随着毫米波通信技术的发展，将天线集成到芯片中的封装天线技术应运而生。封装天线由于尺寸小，成本低，损耗低，集成度高等优势而被广泛应用。同时，封装天线的设计是影响整个系统性能的关键所在。
3.传统的封装天线形式主要包括偶极子天线，微带天线，菱形天线，折叠偶极子天线等，但这些传统的封装天线结构存在带宽窄，或增益低等缺点。嵌入式晶圆级球栅阵列(embedded wafer level ball grid array，ewlb)作为目前最先进的封装技术之一，具有更小更薄的封装，良好的电性能，更低的寄生参数，适合高频毫米波应用。为了充分发挥出ewlb的封装结构优势，现有封装天线的方案在ewlb封装结构的基础上增加了基片集成波导(substrate integrated waveguide，siw)缝隙结构，但是利用此种结构设计的siw缝隙天线与传统的封装天线单元的带宽与增益性能相差不大，同样存在窄带与低增益等缺点。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供了一种封装天线、无线电器件及雷达传感器，以提高封装天线的带宽及增益。
5.第一方面，本技术实施例提供了一种封装天线，包括：
6.所述封装天线包括芯片和基片集成波导siw缝隙天线；所述芯片上的重布线层和印刷电路板的金属层构成所述siw缝隙天线的上下壁，连接所述重布线层和所述金属层的金属连接结构作为所述siw缝隙天线的金属侧壁，所述重布线层上设置有缝隙开槽，所述重布线层和所述金属层之间为空气介质；
7.其中，所述重布线层馈电于所述缝隙开槽，所述金属层用于与所述芯片所包括裸片的接地端连接。
8.可选的，所述芯片包括裸片、封装所述裸片的塑料模具和所述重布线层，所述印刷电路板朝向所述塑料模具一侧设置有所述金属层，所述塑料模具朝向所述印刷电路板一侧设置有所述重布线层，所述金属连接结构用于耦接所述重布线层和所述裸片的辐射端，所述金属连接结构包括用于连接第一焊点和第二焊点的焊球，所述第一焊点和所述第二焊点的个数为多个，所述第一焊点为芯片上与所述裸片的电平端连接的焊点，所述第二焊点位于所述金属层上。
9.可选的，所述缝隙开槽和所述裸片在所述重布线层上的投影不重合。
10.可选的，所述缝隙开槽为矩形。
11.可选的，所述缝隙开槽的长度和宽度根据所述siw缝隙天线的中心频率对应的波导波长确定。
12.可选的，所述金属连接结构为锡球，所述锡球的数量为多个，各所述锡球排列形成第一连接结构、第二连接结构和第三连接结构，所述第一连接结构所在直线和所述第二连接结构所在直线平行，所述第三连接结构所形成线段的两端点分别与所述第一连接结构和所述第二连接结构的端点连接，所述第三连接结构所在直线垂直于所述第一连接结构所在直线。
13.可选的，各所述锡球间的间距和所述锡球的直径的比值小于第一设定阈值，所述锡球的直径与目标间距的比值小于第二设定阈值，所述目标间距为所述第一连接结构和所述第二连接结构的间距。
14.可选的，所述缝隙开槽的中心到所述第三连接结构所形成线段的长度根据所述siw缝隙天线的中心频率对应的波导波长确定。
15.第二方面，本技术实施例还提供了一种无线电器件，包括：
16.封装结构，包含设置有缝隙开槽的重布线层，其中，所述重布线层用于馈电于所述缝隙开槽；
17.裸片，封装在所述封装结构，且其辐射端耦接于所述重布线层；
18.印刷电路板，包含金属层；其中，所述金属层用于与所述裸片的接地端连接；其中，所述重布线层和金属层构成siw缝隙天线的上下壁；
19.金属连接结构，连接所述重布线层和所述金属层以作为所述siw缝隙天线的金属侧壁。
20.可选的，所述裸片封装在封装结构里形成芯片，所述芯片包括裸片、封装所述裸片的塑料模具和所述重布线层，所述印刷电路板朝向所述塑料模具一侧设置有所述金属层，所述塑料模具朝向所述印刷电路板一侧设置有所述重布线层，所述金属连接结构用于耦接所述重布线层和所述裸片的辐射端，所述金属连接结构包括用于连接第一焊点和第二焊点的焊球，所述第一焊点和所述第二焊点的个数为多个，所述第一焊点为芯片上与所述裸片的电平端连接的焊点，所述第二焊点位于所述金属层上。
21.第三方面，本技术实施例还提供了一种雷达传感器，包括：
22.如第二方面所述的无线电器件；
23.所述无线电器件用于目标检测和/或通信，以向所述雷达传感器的运行提供参考信息。
24.本技术实施例提供了一种封装天线、无线电器件及雷达传感器，所述封装天线包括芯片和基片集成波导siw缝隙天线；所述芯片上的重布线层和印刷电路板的金属层构成所述siw缝隙天线的上下壁，连接所述重布线层和所述金属层的金属连接结构作为所述siw缝隙天线的金属侧壁，所述重布线层上设置有缝隙开槽，所述重布线层和所述金属层之间为空气介质；其中，所述重布线层用于馈电于所述缝隙开槽，所述金属层用于与所述芯片所包括裸片的接地端连接。利用上述技术方案，直接利用金属连接结构作为缝隙天线的金属侧壁，减少了加工铜柱的机械制程，同时，展宽了封装天线的带宽，提高了封装天线的增益。
附图说明
25.图1为本技术实施例一提供的一种封装天线的结构侧视图；
26.图2为又一种封装天线的结构侧视图；
27.图3为现有的一种封装天线的结构俯视图；
28.图4为本技术实施例一提供的一种封装天线的结构俯视图；
29.图5为本技术实施例一提供的回波损耗系数的对比图；
30.图6为本技术实施例一提供的e面方向图对比图；
31.图7为本技术实施例一提供的带宽范围内增益值对比图；
32.图8为本技术实施例二提供的一种无线电器件的结构示意图；
33.图9为本技术实施例三提供的一种雷达传感器的结构示意图。
具体实施方式
34.下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
35.在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各项操作(或步骤)描述成顺序的处理，但是其中的许多操作可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各项操作的顺序可以被重新安排。当其操作完成时所述处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。所述处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等等。此外，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
36.本技术使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”。
37.需要注意，本技术中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对相应内容进行区分，并非用于限定顺序或者相互依存关系。
38.需要注意，本技术中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。
39.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位，因此不能理解为对本技术的限制。此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
40.实施例一
41.图1为本技术实施例一提供的一种封装天线的结构侧视图，本实施例可适用于基于毫米波封装天线进行通信的情况，封装天线包含在无线电器件内，其中无线电器件一般集成在雷达传感器上，在本实施例中雷达传感器包括但不限于：毫米波雷达传感器等设备。
42.需要说明的是，相比于扇入型(fan-in)晶圆级(wafer level packaging，wlp)封装，ewlb作为一种扇出型(fan-out)wlp封装具有更多的集成电路(integrated circuit，ic)信号输出引脚，具有更小更薄的封装，良好的电性能，更低的寄生参数，适合高频毫米波应用。通常siw利用金属柱作为siw的金属侧壁，基板的上下两面金属板作为上下壁，通过在siw的上壁进行缝隙开槽，切割表面电流，以此形成siw缝隙天线，从而可以向空间辐射能量。
43.为了在ewlb封装结构中实现siw缝隙结构，现有封装天线的方案利用铜柱作为siw侧壁，塑料膜具(mc)层为介质层，mc上下两侧的重布线层(rdl)作为上下壁，在上侧的重布线层进行缝隙开槽，利用此种结构设计的封装天线存在窄带与低增益的缺点。图2为又一种封装天线的结构侧视图，如图2所示，封装天线包括裸片9、锡球10、重布线层(rdl)11及12、塑料膜具13、铜柱14、金属层15和印刷电路板(pcb)16。rdl 11和12用于连接电源电压、接地和控制信号，也可以用于形成天线单元。图3为现有的一种封装天线的结构俯视图，如图3所示，封装天线包括多个各铜柱14，重布线层11上设置有缝隙开槽17。
44.基于此，本技术提出了一种封装天线的设计，直接利用ewlb封装结构的锡球作为侧壁，减少了加工铜柱的机械制程；同时利用空气层作为介质层，提高了siw缝隙天线的带宽和增益，从而实现了结构简单，宽带高增益的封装天线辐射单元。
45.如图1所示，本技术实施例一提供的一种封装天线包括芯片1和基片集成波导siw缝隙天线2；芯片1上的重布线层3和印刷电路板4的金属层5构成siw缝隙天线2的上下壁，连接重布线层3和金属层5的金属连接结构6作为siw缝隙天线2的金属侧壁，重布线层3上设置有缝隙开槽，重布线层3和金属层5之间为空气介质；其中，重布线层3用于馈电于所述缝隙开槽，金属层5用于与芯片1所包括裸片7的接地端连接。
46.在本实施例中，芯片1包括裸片7、封装裸片7的塑料模具8和重布线层3，印刷电路板4朝向塑料模具8一侧设置有金属层5，塑料模具8朝向印刷电路板4一侧设置有重布线层3，金属连接结构6用于耦接重布线层3和裸片7的辐射端，金属连接结构6包括用于连接第一焊点和第二焊点的焊球，第一焊点和第二焊点的个数为多个，第一焊点为芯片1上与裸片7的电平端连接的焊点，第二焊点位于金属层5上。
47.其中，芯片1可以认为是半导体元件的统称，裸片7可以认为是裸装的半导体元件，主要以大圆片形式或单颗芯片的形式存在，其中，裸片7包括多个端口，如辐射端、电平端、接地端等。辐射端为用来辐射电磁波的端口，电平端(又称为数据信号端)为用来传输电信号的端口。接地端为用来连接地的端口。
48.塑料模具8是指材质为塑料的模具，以用于封装硅片7。
49.重布线层3可以理解为带有缝隙开槽的辐射层结构，用于馈电于所述缝隙开槽。其中，重布线层3可通过微带线、同轴线等方式耦接裸片7中的信号收发机的端口。重布线层3可以位于金属层5和介质层上方并形成相应的金属布线图形，重布线层3可以对芯片1的端口进行重新布局，将芯片1的端口布置到新的、节距占位可更为宽松的区域。此外，重布线层3上设置有缝隙开槽，其中，缝隙开槽的形状举例为矩形；缝隙开槽位于重布线层3上和裸片7在重布线层3上的投影不重合的位置处。所述缝隙开槽的长度和宽度根据所述siw缝隙天线2的中心频率对应的波导波长确定。
50.图4为本技术实施例一提供的一种封装天线的结构俯视图，如图4所示，封装天线包括多个金属连接结构6，重布线层3上设置有缝隙开槽18。参见图4，缝隙开槽18的长度可以记为l，缝隙开槽18的宽度记为w，siw缝隙天线2的中心频率对应的波导波长，记为λ，可选的，缝隙开槽18的长度可以根据公式l＝λ/2确定，缝隙开槽18的宽度可以根据公式w＜＜λ确定。
51.印刷电路板4朝向塑料模具8一侧设置有金属层5。在本实施例中，金属层5可以认为是参考地层结构，用于与芯片1所包括裸片7的接地端连接。其中，金属层5的厚度与材质
不限，本实施例不对此进行展开。
52.金属连接结构6可以理解为金属柱子，用于形成siw的侧壁，与重布线3及金属层5形成siw馈电结构。在重布线层3上采用微带线，共面波导等传输结构，可实现裸片7与siw馈电结构的连接。金属连接结构6可以包括多个排布在缝隙开槽18周围的焊接结构，焊接结构可以用于将封装结构固定在印刷电路板4上，所排布的多个焊接结构位于辐射层结构和参考地层结构之间，即位于重布线层3与金属层5之间，其中，焊接结构中的一部分可以包括连接第一焊点和第二焊点的焊球，但不包括连接射频端的焊球。
53.在本实施例中，金属连接结构6的形状与材料不限，金属连接结构6的数量可以为多个，例如，各金属连接结构6的大小可以相同，也可以不同；各金属连接结构6可以按照一定的规则进行排列，如按照特定的数字形状进行排列，也可以任意排列等，本实施例对此不作限定。
54.具体的，金属连接结构6用于耦接重布线层3和裸片7的辐射端，金属连接结构6可以包括用于连接第一焊点和第二焊点的焊球，第一焊点和第二焊点的个数可以为多个，其中，第一焊点可以理解为芯片1上与裸片7的电平端连接的焊点，第二焊点可以理解为金属层5上与焊球连接的焊点。
55.可选的，金属连接结构6为锡球，所述锡球的数量为多个，各所述锡球排列形成第一连接结构、第二连接结构和第三连接结构，所述第一连接结构所在直线和所述第二连接结构所在直线平行，所述第三连接结构所形成线段的两端点分别与所述第一连接结构和所述第二连接结构的端点连接，所述第三连接结构所在直线垂直于所述第一连接结构所在直线。
56.其中，如图4所示，第一连接结构可以为左边一列各锡球排列形成的结构，第二连接结构可以为右边一列各锡球排列形成的结构，第三连接结构可以为中间一排各锡球排列形成的结构，第一连接结构、第二连接结构和第三连接结构仅用于帮助理解连接结构的排布，例如，第一连接结构所在直线可以和第二连接结构所在直线平行，第三连接结构所形成线段的两端点可以分别与第一连接结构和第二连接结构的端点连接，第三连接结构所在直线可以垂直于第一连接结构所在直线。
57.此外，本实施例对各锡球的间距不作限定，只要能耦接重布线层3和裸片7的辐射端即可。例如，各锡球的间距可以等于锡球的直径，或者各锡球的间距可以小于锡球的直径等。
58.在一个实施例中，各所述锡球间的间距和所述锡球的直径的比值小于第一设定阈值，所述锡球的直径与目标间距的比值小于第二设定阈值，所述目标间距为所述第一连接结构和所述第二连接结构的间距。
59.在本实施例中，第一设定阈值可以是指各锡球间的间距和锡球直径的比值的临界值，第二设定阈值可以是指锡球的直径与目标间距的比值的临界值，目标间距为第一连接结构和第二连接结构的间距，其中，第一设定阈值和第二设定阈值仅用于对不同对象进行的区分，第一设定阈值和第二设定阈值可以由相关人员进行设置，本实施例可选第一设定阈值为2，第二设定阈值为0.2，例如参见图4，可以将各锡球间的间距记为p，锡球的直径记为d，目标间距记为a，那么各锡球间的间距和锡球的直径的关系可以由公式p/d＜2确定，锡球的直径与目标间距的关系可以由公式d/a＜0.2确定。
60.在一个实施例中，所述缝隙开槽的中心到所述第三连接结构所形成线段的长度根据所述siw缝隙天线的中心频率对应的波导波长确定。
61.如图4所示，缝隙开槽18的中心到第三连接结构所形成线段的长度可以是指缝隙开槽18的中心到siw短路边的距离，记为s。可选的，缝隙开槽18的中心到第三连接结构所形成线段的长度根据公式s＝λ/4确定。
62.通过上述描述可以发现，本技术实施例直接利用封装结构的金属连接结构作为侧壁，减少了加工铜柱的机械制程；同时本技术实施例利用空气层作为siw缝隙天线的介质层，由于空气层介电常数较低，损耗因子更低，从而展宽了封装天线的带宽，提高了封装天线的增益。
63.下面从带宽和增益两个方面，将利用铜柱作为siw侧壁结构的现有封装天线与利用锡球作为siw侧壁结构的本技术封装天线进行对比。
64.图5为本技术实施例一提供的回波损耗系数的对比图，如图5所示，现有封装天线在回波损耗系数为-10db时可以覆盖的频率为75.8～78ghz，而本技术封装天线在回波损耗系数为-10db时可以覆盖的频率为70～84ghz，对比可以发现本技术提供的封装天线在阻抗带宽上展宽了11.8ghz，故带宽性能得到了提升。
65.图6为本技术实施例一提供的e面方向图对比图，如图6所示，本技术提供的封装天线比现有封装天线在e面方向的各个角度增益大约高2.5db。
66.图7为本技术实施例一提供的带宽范围内增益值对比图，如图7所示，展示了现有封装天线与本技术提供的封装天线在70～84ghz的频率范围内，增益随频率变化的曲线，可以看出，利用锡球做siw侧壁结构的缝隙天线在频率范围内，各个频率点的增益都比利用铜柱做siw侧壁结构的缝隙天线高，其中，最低高2db，而最高可以高8db。故本技术的封装天线在增益性能上得到了较大的提升。
67.实施例二
68.本技术实施例二提供了一种无线电器件，与实施例一相似地，请参阅图8，图8为本技术实施例二提供的一种无线电器件的结构示意图，无线电器件包括封装结构19，封装结构19包含设置有缝隙开槽的重布线层，其中，所述重布线层用于馈电于所述缝隙开槽；裸片20，封装在封装结构19，且其辐射端耦接于所述重布线层；印刷电路板21，包含金属层；其中，所述金属层用于与裸片20的接地端连接；其中，所述重布线层和金属层构成siw缝隙天线的上下壁；金属连接结构22，连接所述重布线层和所述金属层以作为所述siw缝隙天线的金属侧壁。
69.在本实施例中，封装结构19、印刷电路板21、金属连接结构22的位置关系不限，例如，封装结构19可以位于金属连接结构22的上方，印刷电路板21位于金属连接结构22的下方，金属连接结构22用于连接封装结构19和印刷电路板21。
70.可选的，裸片20封装在封装结构19里形成芯片，所述芯片包括裸片20、封装裸片20的塑料模具和所述重布线层，印刷电路板21朝向所述塑料模具一侧设置有所述金属层，所述塑料模具朝向印刷电路板21一侧设置有所述重布线层，金属连接结构22用于耦接所述重布线层和裸片20的辐射端，金属连接结构22包括用于连接第一焊点和第二焊点的焊球，所述第一焊点和所述第二焊点的个数为多个，所述第一焊点为芯片上与裸片20的电平端连接的焊点，所述第二焊点位于所述金属层上。
71.可选的，所述缝隙开槽和裸片20在所述重布线层上的投影不重合。
72.可选的，所述缝隙开槽为矩形。
73.可选的，所述缝隙开槽的长度和宽度根据所述siw缝隙天线的中心频率对应的波导波长确定。
74.可选的，金属连接结构22为锡球，所述锡球的数量为多个，各所述锡球排列形成第一连接结构、第二连接结构和第三连接结构，所述第一连接结构所在直线和所述第二连接结构所在直线平行，所述第三连接结构所形成线段的两端点分别与所述第一连接结构和所述第二连接结构的端点连接，所述第三连接结构所在直线垂直于所述第一连接结构所在直线。
75.可选的，各所述锡球间的间距和所述锡球的直径的比值小于第一设定阈值，所述锡球的直径与目标间距的比值小于第二设定阈值，所述目标间距为所述第一连接结构和所述第二连接结构的间距。
76.可选的，所述缝隙开槽的中心到所述第三连接结构所形成线段的长度根据所述siw缝隙天线的中心频率对应的波导波长确定。
77.在一些实际应用中，所述的无线电器件包含如上所述的芯片，以及布置在印刷电路板21上的外围电路。所述无线电器件利用本技术实施例中的天线，发射探测信号波，以及接收该探测信号波经周围物体反射所形成的回波信号波。无线电器件还利用该探测信号波和回波信号测量其与周围环境物体之间的物理量。其中，所述物理量举例包括测量相对速度、相对角度、相对距离，以及测量物体的三维轮廓中的至少一种等。
78.在此，所述无线电器件还包括集成在芯片中的信号收发机；甚至还可以包含信号处理器。其中，所述信号收发机包含信号发射器和信号接收器。在此，本技术实施例所提供的封装天线可以天线阵列的方式布置在封装结构19的重布线层上，以及信号收发机、和信号处理器均依据无线电器件所测量的周围环境的方式而确定电路结构，以在预设频段、或定频发出探测信号波和接收回波信号波，以及对相应的变化电信号进行信号处理。
79.所述信号发射器用于将射频的发射电信号传输至天线阵列中的发射天线，以辐射出探测信号波。具体地，所述信号发射器将信号源所提供的基准电信号调频/调相处理，并调制成射频频段的发射电信号，输出至发射天线。例如，信号发射器将探测电信号调制到射频并馈电至发射天线，以使得发射天线产生中心频率在如64ghz、或77ghz等频段的探测信号波。其中，所述信号发射器可以产生中心频率为定频的探测信号波，或者以中心频率和预设带宽扫频的探测信号波。以所述探测信号波包括至少一个chirp信号为例，其中chirp信号为基于线性调频周期而形成的电磁波信号，所述信号发射器基于线性调频周期的信号源进行倍频处理，并馈电至发射天线，以发射包含chirp信号的探测信号波。当探测信号波被物体反射时，形成回波信号波。所述接收天线受回波信号波而产生回波电信号。
80.所述信号接收器用于利用使产生探测信号波的发射电信号，将天线阵列中的接收天线所输出的回波电信号进行解调和滤波等处理，以输出基带数字信号。
81.所述信号处理器与所述信号收发机连接，用于通过信号处理从所述基带数字信号中提取并输出测量数据。其中，所述信号处理包括基于对至少一路接收天线所提供的至少一路待处理信号进行相位、频率、时域等数字化信号处理计算。所述测量数据包括以下至少一种：用于表示所探测到的至少一个物体的相对距离的距离数据；用于表示所探测到的至
少一个物体的相对速度的速度数据；用于表示所探测到的至少一个物体的相对角度的角度数据等。
82.在又一些实际应用中，所述无线电器件利用本技术的实施例中所提供的天线发射用于数据交互的无线电信号。例如，所述无线电器件中包含编码器、信号调制器、信号发射器、信号接收器、信号解调器、信号解码器等。其中，编码器将待发射至其他终端设备或中继设备的数据，如图片、文字、语音、视频等中的至少一种，按照传输协议进行编码处理。信号调制器对编码后的信号进行调制处理。信号发射器将调制后的信号放大并通过天线发射。信号接收器通过天线接收外部设备所发出的携带有待提取数据的信号。信号解调器从所述信号接收器接收信号并解调出待解码的信号。信号解码器利用传输协议解码信号解调器所输出的信号，由此得到与外部设备进行通信的数据。
83.实施例三
84.本技术实施例三提供了一种雷达传感器，图9为本技术实施例三提供的一种雷达传感器的结构示意图，参见图9，雷达传感器包括：如实施例二所述的无线电器件23；所述无线电器件23用于目标检测和/或通信，以向所述雷达传感器的运行提供参考信息。其中，所述参考信息可以为雷达传感器在进行目标检测和/或通信时所需的信息。例如，所述参考信息包括上述测量数据，以供雷达传感器预测周围的物体与雷达传感器之间是否具备安全间隔。又如，所述参考信息包括经通信接收到的指令信息，以供雷达传感器按照所接收的指令信息启动、暂停等。
85.无线电器件23则可为本技术实施例二中所阐述的无线电器件，无线电器件23的结构和工作原理在上述实施例中已经进行了详细说明，此处不在一一赘述。
86.需要说明的是，无线电器件23可通过发射及接收无线电信号实现诸如目标检测和/或通信等功能，以向雷达传感器提供检测目标信息和/或通讯信息，进而辅助甚至控制雷达传感器的运行。
87.注意，上述仅为本技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本技术不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本技术的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本技术进行了较为详细的说明，但是本技术不仅仅限于以上实施例，在不脱离本技术构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本技术的范围由所附的权利要求范围决定。