1.本揭示内容是关于一种转译系统，特别是一种包含可彼此分离的扫描转译装置及信息呈现装置的转译系统。
背景技术：
：：2.传统手持式转译装置(例如，翻译笔)采用一体式设计,转译后的结果由整合于转译装置上的屏幕呈现。屏幕的大小对于用户体验造成影响。当转译装置上的屏幕尺寸较大时，虽然显示的结果较为清楚，但却增加了转译装置的持握困难度。相反的，当转译装置上的屏幕尺寸较小时，虽持握性较佳，尺寸较小的屏幕却会造成信息显示上的诸多限制。本揭露内容提供了一种可解决上述困境的装置。技术实现要素：3.一种转译系统包括：扫描转译装置及经配置以从所述扫描转译装置以无线传输方式接收数据的信息呈现装置。所述信息呈现装置包含显示面板。所述显示面板包含基板、设置于所述基板上且经由凸块间隔开的第一电极及第二电极、连续地设置于所述第一电极、所述第二电极、及所述凸块上的载体注入层、设置于所述载体注入层上且沿着所述载体注入层连续地加衬的载体传输层、及设置于所述载体传输层上的第一有机发射层及第二有机发射层。在所述凸块上，所述第一有机发射层的厚度沿着第一方向逐渐地减少，且所述第二有机发射层的厚度沿着与所述第一方向相反的第二方向逐渐地减少。在所述凸块的顶部附近，所述第二有机发射层覆盖所述第一有机发射层的一部分。4.在某些实施方式中，所述扫描转译装置进一步包括采集装置，所述采集装置经配置以感测目标区域内的二维特征或三维特征。5.在某些实施方式中，所述扫描转译装置进一步包括处理装置，其经配置以转译所述采集装置感测到的所述二维特征或所述三维特征；及通讯接口，其经配置以将所述处理装置产生的转译结果发送至所述信息呈现装置。6.在某些实施方式中，所述显示面板进一步包括：设置于所述第一有机发射层上的第一有机载体传输层；及设置于所述第二有机发射层上的第二有机载体传输层。其中在所述凸块上，所述第一有机载体传输层的厚度沿着所述第一方向逐渐地减少，且所述第二有机载体传输层的厚度沿着所述第二方向逐渐地减少。7.在某些实施方式中，在所述凸块的所述顶部附近，所述第一有机载体传输层延伸进入所述第二有机载体传输层下方。8.在某些实施方式中，所述第一有机发射层及所述第二有机发射层经配置以发出不同颜色的光。9.在某些实施方式中，所述信息呈现装置进一步包括镜头模块，所述镜头模块经配置以将所述显示面板上显示的信息投射至位于所述信息呈现装置外部的显示区域上。10.在某些实施方式中，所述信息呈现装置进一步包括镜头模块，所述镜头模块经配置以将所述显示面板上显示的信息投射至位于所述信息呈现装置内部的显示区域上。11.在某些实施方式中，所述扫描转译装置包括第一结合组件且所述信息呈现装置包括第二结合组件，其中所述扫描转译装置与所述信息呈现装置经由所述第一结合组件及所述第二结合组件可拆卸式地结合。12.在某些实施方式中，其中所述处理装置经配置以将感测到的所述二维特征或所述三维特征从第一种语言转译成第二种不同的语言。13.一种转译系统包括：信息呈现装置及扫描转译装置，所述扫描转译装置经配置以无线传输方式发送数据至所述信息呈现装置。所述信息呈现装置包含：显示面板及镜头模块，所述镜头模块经配置以将所述显示面板上显示的信息投射至显示区域上。所述显示面板包含：基板、设置于所述基板上，介于第一电极及第二电极之间的凸块、以及设置于所述凸块上方的第一有机发射层及第二有机发射层。所述第一有机发射层及所述第二有机发射层经配置以发出不同颜色的光。在所述凸块上，所述第一有机发射层的厚度沿着第一方向逐渐地减少，且所述第二有机发射层的厚度沿着与所述第一方向相反的第二方向逐渐地减少。14.在某些实施方式中，在所述凸块的顶部附近，所述第二有机发射层覆盖所述第一有机发射层的一部分。15.在某些实施方式中，所述显示面板进一步包括：设置于所述第一有机发射层上的第一有机载体传输层；及设置于所述第二有机发射层上的第二有机载体传输层。其中在所述凸块的顶部附近，所述第一有机载体传输层延伸进入所述第二有机载体传输层下方。16.在某些实施方式中，在所述凸块上，所述第一有机载体传输层的厚度沿着所述第一方向逐渐地减少，且所述第二有机载体传输层的厚度沿着所述第二方向逐渐地减少。17.在某些实施方式中，其中所述扫描转译装置包括第一结合组件且所述信息呈现装置包括第二结合组件，且其中所述扫描转译装置与所述信息呈现装置经由所述第一结合组件及所述第二结合组件可拆卸式地结合。18.在某些实施方式中，所述扫描转译装置进一步包括：采集装置，其经配置以感测目标区域内的二维特征或三维特征；处理装置，其经配置以转译所述采集装置感测到的所述二维特征或所述三维特征；及通讯接口，其经配置以将所述处理装置产生的转译结果发送至所述信息呈现装置。19.在某些实施方式中，其中所述显示区域位于所述信息呈现装置外部。20.在某些实施方式中，其中所述显示区域位于所述信息呈现装置内部。附图说明21.图1a为根据某些实施方式，一扫描转译装置的示意图。22.图1b为根据某些实施方式，一信息呈现装置的示意图。23.图1c为根据某些实施方式，一转译系统的示意图。24.图2为根据某些实施方式，一转译系统的使用方式示意图。25.图3为根据某些实施方式，一转译系统的使用方式示意图。26.图4为根据某些实施方式，一透镜模块与显示面板的示意图。27.图5为根据某些实施方式，一透镜模块与显示面板的示意图。28.图6a为根据某些实施方式，一显示面板的一部分的横截面示意图。29.图6b为根据某些实施方式，一显示面板的一部分的横截面放大图。30.图7a至7l的概要图式绘示根据本揭示内容某些实施方式处于不同制造阶段之显示面板。31.附图符号说明32.10扫描转译装置33.20信息呈现装置34.30目标区域35.40显示区域36.102采集装置37.202透镜模块38.302特征39.402转译结果具体实施方式40.以下揭示内容提供许多不同的实施例或范例，用于实施本技术案的不同特征。组件与配置的特定范例的描述如下，以简化本技术案的揭示内容。当然，这些仅为范例，并非用于限制本技术案。例如，以下描述在第二特征上或上方形成第一特征可包含形成直接接触的第一与第二特征的实施例，亦可包含在该第一与第二特征之间形成其他特征的实施例，因而该第一与第二特征并非直接接触。此外，本技术案可在不同范例中重复组件符号与/或字母。此重复是为了简化与清楚的目的，而非支配不同实施例与/或所讨论架构之间的关系。41.再者，本技术案可使用空间对应语词，例如「之下」、「低于」、「较低」、「高于」、「较高」等类似语词的简单说明，以描述图式中一组件或特征与另一组件或特征的关系。空间对应语词是用以包括除了图式中描述的位向之外，装置于使用或操作中的不同位向。装置或可被定位(旋转90度或是其他位向)，并且可相应解释本技术案使用的空间对应描述。42.尽管本揭露的广泛范围揭露的数值范围与参数为近似值，但在具体实施例中阐述的数值尽可能地精确。然而，任何数值固有地包含须由个别测试测量中得到的标准偏差所导致的某些误差。再者，如本文该，「约」通常是指给定值或范围的10％、5％、1％、或0.5％以内。或者，用语「约」是指该技艺中具有通常技术者考虑的平均值的可接受的标准误差之内。除了在操作/工作范例中，或是除非特别指明，否则本文所揭露例如材料的量、时间期间、温度、操作条件、量的比例、以及类似者的所有的数值范围、量、值与比例皆应被理解为在所有情况下都被用语「约」修饰。因此，除非有相反的说明，否则本揭露与申请专利范围该的数值参数皆为可视需要而变化的近似值。至少应根据报告的有效数字的数量且应用普通舍入技术来解释每个数值参数。在本文中，范围可表示为自一端点至另一端点，或是在两个端点之间。除非特别说明，否则本文所揭露的所有范围包含端点。43.图1a为根据某些实施方式，一扫描转译装置10的示意图。44.扫描转译装置10包括采集装置102、电源装置106、内存107、处理装置108、以及通讯接口110。扫描转译装置10另包含一个结合组件112。采集装置102可以包含传感器102a、光源102b、以及光源调控组件102c。45.虽然图1a中并未绘制，但采集装置102、电源装置106、内存107、处理装置108、以及通讯接口110之间彼此可具有电连接。数据、讯号、指令、电压、电流等等可以在采集装置102、电源装置106、内存107、处理装置108、以及通讯接口110之间传递。在某些实施例中，处理装置108可以控制传感器102a、光源102b、以及光源调控组件102c。在某些实施例中，处理装置108可以控制通讯接口110。电源装置106可以提供采集装置102、内存107、处理装置108、以及通讯接口110运作所需要的电源。46.在某些实施例中，传感器102a可以是一种影像传感器，可用以感测二维的图像、文字、花纹等等特征。在某些实施例中，传感器102a可以是一种声学传感器，可用以感测三维的结构特征。举例言之，设计让盲人使用的盲文(点字)就是一种三维的结构特征。在某些实施例中，传感器102a可以同时包含至少一个影像传感器以及至少一个声学传感器，以同时具备感测二维特征以及三维特征的功能。47.光源102b可用于照亮待采集的二维特征或三维特征。在某些实施例中，光源102b可以包括但不限于发光二极管(led)、钨丝灯泡、及紫外光灯泡。光源调控组件102c可以调整光源102b的照射范围。在某些实施例中，光源调控组件102c可以调整光源102b的照射强度。经由光源102b以及光源调控组件102c的搭配，传感器102a可以更佳清晰地感测或采集目标区域的二维特征或三维特征。传感器102a所感测或采集的二维特征或三维特征可以储存于内存107中。48.采集装置102所采集的二维特征或三维特征可以经过处理装置108进行转译。在某些实施例中，处理装置108可以将所采集的二维特征或三维特征从第一种语言转译成第二种不同的语言。举例言之，处理装置108可以将所采集的英文单字转译成中文。在其他实施例中，处理装置108可以将所采集的二维特征或三维特征从几何图形或几何结构转译成特定语言。举例言之，处理装置108可以将所采集的三维特征从(例如，盲文)转译成中文。49.在其他实施例中，处理装置108可以根据储存在内存107里的对应表(mappingtable)，将所采集的二维特征或三维特征转换成特定的文字输出或语音输出。在其他实施例中，处理装置108可以根据储存在内存107里的数据库，将所采集的二维特征或三维特征转换成特定的文字输出或语音输出。举例言之，内存107里的对应表或数据库可以包含数十首儿歌或者教学内容，当采集装置102采集到特定的二维特征或三维特征时，处理装置108可以选择内存107中相对应的儿歌或者教学内容，并将其输出。50.在某些实施例中，处理装置108可以经由通讯接口110将转译后的结果发送给另一装置(例如，图1b的信息呈现装置20)。在某些实施例中，通讯接口110可以是一种无线通信接口，包括但不限于bluetooth、wi-fi、zigbee、uwb、nfc、wimax、rfid、gprs、华为hilink协议、mesh、thread、z-wave、lifi等等。在某些实施例中，通讯接口110可包含有线通讯接口，包括但不限于rs-232、rs-485、通用接口总线(gpib)、高画质多媒体接口(hdmi)、通用串行总线(usb)、光纤等等。在某些实施例中，扫描转译装置10可以经由通讯接口110接收更新数据，以对内存107里的数据库进行更新。51.图1b为根据某些实施方式，一信息呈现装置的示意图。信息呈现装置20包括透镜模块202、显示面板204、扬声器205、电源装置206、处理装置208、以及通讯接口210。信息呈现装置20另包含一个结合组件212。52.虽然图1b中并未绘制，但透镜模块202、显示面板204、扬声器205、电源装置206、处理装置208、以及通讯接口210之间彼此可具有电连接。数据、讯号、指令、电压、电流等等可以在透镜模块202、显示面板204、扬声器205、电源装置206、处理装置208、以及通讯接口210之间传递。在某些实施例中，处理装置208可以控制透镜模块202、显示面板204、扬声器205、以及通讯接口210。电源装置206可以提供透镜模块202、显示面板204、扬声器205、处理装置208、以及通讯接口210运作所需要的电源。53.显示面板204可以具有复数个像素单元。在某些实施例中，显示面板204可以具有复数个自发光的像素单元。在本揭露中提供一种具有高像素密度的显示面板204，其制造方式将于后续段落中参照图7a至7l进行说明。显示面板204上所显示的信息可以经由透镜模块202投射出来。54.扬声器205可以播放音频讯号或语音讯号。55.信息呈现装置20可以从扫描转译装置10接收数据或指令。信息呈现装置20可以经配置以从扫描转译装置10以无线传输方式接收数据或指令。信息呈现装置20可以经由通讯接口210从扫描转译装置10的通讯接口110接收数据或指令。在某些实施例中，信息呈现装置20可以经由通讯接口210从扫描转译装置10的通讯接口110接收转译后的结果。处理装置208可以控制通讯接口210接收转译后的结果，并控制显示面板204及透镜模块202将转译后的结果投射出来。在某些实施例中，处理装置208可以控制通讯接口210接收转译后的结果，并控制扬声器205将转译后的结果以音频讯号或语音讯号播放出来。56.在某些实施例中，通讯接口210可以是一种无线通信接口，包括但不限于bluetooth、wi-fi、zigbee、uwb、nfc、wimax、rfid、gprs、华为hilink协议、mesh、thread、z-wave、lifi等等。在某些实施例中，通讯接口210可包含有线通讯接口，包括但不限于rs-232、rs-485、通用接口总线(gpib)、高画质多媒体接口(hdmi)、通用串行总线(usb)、光纤等等。57.信息呈现装置20可以与扫描转译装置10彼此结合。信息呈现装置20可以与扫描转译装置10彼此分离。在本揭露中，信息呈现装置20也可以称为一种可分离式信息呈现装置、或者一种远程信息呈现装置。58.经由结合组件112及结合组件212，信息呈现装置20可与扫描转译装置10结合。信息呈现装置20可与扫描转译装置10彼此分离。信息呈现装置20与扫描转译装置10可经由结合组件112及结合组件212可拆卸式地结合。在某些实施例中，结合组件112及结合组件212可以具有彼此匹配的物理结构。举例言之，结合组件112及结合组件212可以具有卡扣或卡榫结构。在其他实施例中，结合组件112及结合组件212可以是彼此相互相吸引的磁铁。在其他实施例中，结合组件112可以是一收纳结构，以部分容纳信息呈现装置20并固持信息呈现装置20。在其他实施例中，结合组件212可以是一收纳结构，以部分容纳扫描转译装置10并固持扫描转译装置10。59.图1c为根据某些实施方式，一转译系统的示意图。图1c显示的转译系统包括一扫描转译装置与信息呈现装置。如图1c所示，信息呈现装置20可以与扫描转译装置10彼此结合成为一个整体。扫描转译装置10与信息呈现装置20可以统称为一个转译系统。信息呈现装置20与扫描转译装置10彼此结合后可便于收纳及携带。虽然图1c显示扫描转译装置10与信息呈现装置20以纵向的方式彼此结合，在其他实施例中，扫描转译装置10与信息呈现装置20可以横向的方式彼此结合。也就是说，结合组件112及结合组件212可以设置于扫描转译装置10与信息呈现装置20的侧面。60.图2为根据某些实施方式，一转译系统的使用方式示意图。图2显示了一扫描转译装置与信息呈现装置的使用方式示意图。61.扫描转译装置10可经由采集装置102获取目标区域30上的特征302。特征302可以是一种二维特征或一种三维特征。在某些实施例中，特征302可以是文字、图像、几何形状、盲文、码字、或者任何其他形式的待辨识特征。扫描转译装置10可将特征302转译后的结果发送至信息呈现装置20。在某些实施例中，扫描转译装置10可经由无线方式将转译后的结果发送至信息呈现装置20。在其他实施例中，扫描转译装置10可经由有线方式将转译后的结果发送至信息呈现装置20。信息呈现装置20可以将转译结果402呈现于显示区域40上。在此实施例中，信息呈现装置20可以经由投影的方式将转译结果402投射至显示区域40上。在此实施例中，显示区域40是位于扫描转译装置10及信息呈现装置20外部的一块区域。在此实施例中，信息呈现装置20可以是一台微型投影装置。62.图3为根据某些实施方式，一转译系统的使用方式示意图。图3显示了一扫描转译装置与信息呈现装置的使用方式示意图。扫描转译装置10与信息呈现装置20可以统称为一个转译系统。63.扫描转译装置10可经由采集装置102获取目标区域30上的特征302。特征302可以是一种二维特征或一种三维特征。在某些实施例中，特征302可以是文字、图像、几何形状、盲文、码字、或者任何其他形式的待辨识特征。扫描转译装置10可将特征302转译后的结果发送至信息呈现装置20。在某些实施例中，扫描转译装置10可经由无线方式将转译后的结果发送至信息呈现装置20。在其他实施例中，扫描转译装置10可经由有线方式将转译后的结果发送至信息呈现装置20。64.信息呈现装置20可以将转译结果呈现于显示区域40上。在此实施例中，显示区域40位于透镜模块202内部，或者显示区域40是透镜模块202的一部分。在此实施例中，显示区域40是位于信息呈现装置20内部的一块区域。在此实施例中，信息呈现装置20可以是一台虚拟现实(vr)眼镜。65.图4为根据某些实施方式，一透镜模块与显示面板的示意图。透镜模块202可包含透镜202a及202b。虽然图4绘制了数量为二的透镜，但根据实际设计，可以思及透镜模块202可包含数量大于一的任何数目的透镜。显示面板204可包含复数个像素204p。该等像素204p可以是自发光像素。该等像素204p可发出红色(例如波长介于620nm至780nm)、绿色(例如波长介于500nm至580nm)、及蓝色(例如波长介于400nm至500nm)可见光范围的光。显示面板204呈现的信息可经由透镜模块202投射至显示区域40。在此实施例中，显示区域40是位于扫描转译装置10及信息呈现装置20外部的一块区域。66.图5为根据某些实施方式，一透镜模块与显示面板的示意图。透镜模块202可包含透镜202a及202b。虽然图4绘制了数量为二的透镜，但根据实际设计，可以思及透镜模块202可包含数量大于一的任何数目的透镜。显示面板204可包含复数个像素204p。该等像素204p可以是自发光像素。该等像素204p可发出红色、绿色、及蓝色可见光范围的光。显示面板204呈现的信息可经由透镜模块202投射至显示区域40。在此实施例中，显示区域40位于信息呈现装置20内部的一个组件上。在某些实施例中，显示区域40可以位于一个波导上。在某些实施例中，显示区域40可以是一个波导上。使用者50可以近距离地观察显示区域40上所呈现的信息。67.图6a为根据某些实施方式，一显示面板的一部分的横截面示意图。68.显示面板204可包含基板204a以及设置于基板204a上的复数个第一电极204b。复数个第一电极204b彼此之间设置了复数个凸块204c。载体注入层204l1连续地设置于第一电极204b及凸块204c上。载体注入层204l1覆盖第一电极204b及凸块204c。69.载体传输层204l2(或称第一型载体传输层)设置于凸块204c及第一电极204b上。载体传输层204l2设置于载体注入层204l1上。载体传输层204l2沿着载体注入层204l1连续地加衬。70.有机发射(emissive，em)层204l3设置于第一电极204b上方，延伸并部分覆盖载体传输层204l2。在上视图中，有机发射层204l3完全覆盖第一电极204b，且部分覆盖凸块204c。有机载体传输层204l4(或称第二型载体传输层)设置于有机发射层204l3上。在上视图中，有机载体传输层204l4完全覆盖第一电极204b，且部分覆盖凸块204c。第二电极204d设置于有机载体传输层204l4上。在上视图中，第二电极204d完全覆盖第一电极204b，且部分覆盖凸块204c。71.凸块204c又称为像素定义层(pixeldefinedlayer，pdl)，相邻两凸块204c定义一个像素。举例言之，虚线a-a'与虚线b-b'之间定义了一个像素204p1。虚线b-b'与虚线c-c'之间定义了另一个像素204p2。72.相邻的两个像素，因为本揭露所采用的制程的关系，在接近凸块204c顶部处(例如，虚线b-b'与凸块204c交会之处)，会见到有机发射层204l3、有机载体传输层204l4、以及第二电极204d部分交错重迭。凸块204c顶部处(亦即虚线方框d)的细节将于后续段落中讨论。73.图6b为根据某些实施方式，一显示面板的一部分的横截面放大图。图6b显示了图6a中虚线方框d内的结构。凸块204c具有不平坦表面s1。载体注入层204l1沿着不平坦表面s1顺型地(conformally)设置，并具有一不平坦表面s2。载体传输层204l2沿着不平坦表面s2顺型地设置，并具有一不平坦表面s3。在本揭露中，不平坦表面可包含不水平表面或者不光滑表面。74.在图6b中，左侧的有机发射层204l3、有机载体传输层204l4、以及第二电极204d对应于图6a中的像素204p1；而右侧的有机发射层204l3'、有机载体传输层204l4'、以及第二电极204d'对应于图6a中的像素204p2。75.有机发射层204l3的厚度w1沿着x轴正向方向(第一方向)呈梯度(gradient)变化。有机载体传输层204l4的厚度w2沿着x轴正向方向(第一方向)呈梯度变化。第二电极204d的厚度w3沿着x轴正向方向(第一方向)呈梯度变化。有机发射层204l3的厚度w1沿着x轴正向方向(第一方向)逐渐地减少。有机载体传输层204l4的厚度w2沿着x轴正向方向(第一方向)逐渐地减少。第二电极204d的厚度w3沿着x轴正向方向(第一方向)逐渐地减少。76.有机发射层204l3'的厚度w4沿着x轴负向方向(第二方向)呈梯度变化。有机载体传输层204l4'的厚度w5沿着x轴负向方向(第二方向)呈梯度变化。第二电极204d'的厚度w6沿着x轴负向方向(第二方向)呈梯度变化。有机发射层204l3'的厚度w4沿着x轴负向方向(第二方向)逐渐地减少。有机载体传输层204l4'的厚度w5沿着x轴负向方向(第二方向)逐渐地减少。第二电极204d'的厚度w6沿着x轴负向方向(第二方向)逐渐地减少。77.有机发射层204l3的厚度w1的梯度变化方向与有机发射层204l3'的厚度w4的梯度变化方向相反。有机载体传输层204l4的厚度w2的梯度变化方向与有机载体传输层204l4'的厚度w5的梯度变化方向相反。第二电极204d的厚度w3的梯度变化方向与第二电极204d'的厚度w6的梯度变化方向相反。78.参阅图6b，在凸块204c的最高点(顶部)附近，有机发射层204l3、有机载体传输层204l4、以及第二电极204d各具有一部分被有机发射层204l3'覆盖。有机发射层204l3、有机载体传输层204l4、以及第二电极204d各具有一部分延伸进入有机发射层204l3'下方。有机发射层204l3、有机载体传输层204l4、以及第二电极204d各具有一部分延伸进入有机载体传输层204l4'及第二电极204d'下方。79.需要注意的是，第二电极204d与第二电极204d'之间并不会彼此接触。第二电极204d与第二电极204d'之间经由有机发射层204l3'及有机载体传输层204l4'彼此隔开。80.图7a至7l的概要图式绘示根据本揭示内容某些实施方式处于不同制造阶段之显示面板。81.在图7a中，提供基板204a，基板204a可包括薄膜晶体管(tft)阵列。在一些实施例，基板204a包含基材(未绘示)、介电层(未绘示)，及设于基材上或基材内的一或多个电路(未绘示)。在一些实施例，基材为透明基材，或至少一部分是透明的。在一些实施例，基材为非可挠式基材，且基材的材料可包括玻璃、石英、低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)或其他适当材料。在一些实施例，基材为可挠式基材，且基材的材料可包括透明环氧树脂、聚酰亚胺、聚氯乙烯、甲基丙烯酸甲酯或其他适当材料。介电层可视需要而设于基材上。在一些实施例，介电层可包括氧化硅、硅氮化物、硅氧氮化物或其他适当材料。82.在一些实施例，电路可包含互补式金属氧化物半导体(complementarymetal–oxide–semiconductor，cmos)电路，或是包含数个晶体管及邻近晶体管的数个电容器，其中晶体管及电容器形成于介电层上。在一些实施例，晶体管为薄膜晶体管(thin-filmtransistor，tft)。每一晶体管包括源极/汲极区域(包含至少一源极区域及一汲极区域)、介于源极/汲极区域间的通道(channel)区域、设于通道区域上方的闸极电极以及介于通道区域与闸极电极间的闸极绝缘体。晶体管的通道区域可由半导体材料制成，譬如硅或选自第iv族或第iii族及第v族的其他元素。83.在基板204a上设置复数第一电极204b。各个第一电极204b经配置成一侧连接至嵌入基板204a中的电路(未绘制)、且另一侧接触发光材料。考虑像素的安排而设计第一电极204b之阵列图案。在第一电极204b与基板204a上设置光敏层204c'。在一些实施例中，涂布光敏层204c'于第一电极204b与基板204a上。84.光敏层204c'填入相邻的第一电极204b之间的间隙中。将光敏层204c'加热至一预定的温度，然后将之暴露在指定的波长之下。光敏层204c'可吸收90％以上的可见光，且在本揭露中亦被称为黑体材料。在暴露之后，在一溶液中润湿光敏层204c'以进行显影。85.如图7b所示，光敏层204c'之一部分被移除，而留下的部分实质上覆盖相邻的第一电极204b之间的间隙。在此剖面图中，留下的光敏层204c'形成复数凸块204c，各个凸块204c填入相邻的第一电极204b之间的间隙中。凸块204c局部地覆盖各个第一电极204b。经图案化的凸块204c又称为像素定义层(pixeldefinedlayer，pdl)。86.凸块204c可经形成为不同的形状。在图7b中，凸块204c具有弯曲的表面。在一些实施例中，凸块204c的形状为梯型。在形成凸块204c后，执行清洁操作以清洁凸块204c及第一电极204b之暴露表面。在一实施例中，在清洁操作期间，将去离子水加热至介于30℃及80℃之间的一温度。在去离子水的温度升高至一预定温度后，将去离子水引导至凸块204c及第一电极204b之暴露表面。87.在一些实施例中，在清洁操作期间使用超声波。将超声波导入清洁剂(例如水或异丙醇(ipa)等)中。在一些实施例中，将二氧化碳导入清洁剂中。在清洁操作之后，经由加热操作将清洁剂从暴露表面移除。在加热操作期间，可将基板204a及凸块204c加热至介于80℃及110℃之间的一温度。在一些例子中，将压缩空气引导至暴露表面，以在加热的同时帮助移除清洁剂之残余物。88.在加热操作之后，可使用o2、n2、或ar电浆来处理暴露表面。电浆系用以使暴露表面粗糙化。在一些实施例中，使用臭氧以调节暴露表面之表面状态。89.如图7c所示，在凸块204c及第一电极204b之暴露表面上设置载体注入层204l1。载体注入层204l1沿着暴露表面连续地加衬(lining)。更具体而言，各个第一电极204b之暴露表面经配置作为一发光单元(亦即，一像素)的有效发光面积。在此实施例中，所有发光单元使用共同的载体注入层204l1。在一些实施例中，载体注入层204l1系用于电洞注入。在一些实施例中，载体注入层204l1系用于电子注入。载体注入层204l1连续地覆盖在复数pdl凸块204c及第一电极204b之上。可选地，载体注入层204l1与pdl凸块204c接触。在一实施例中，载体注入层204l1与第一电极204b接触。在一些实施例中，载体注入层204l1为有机的。90.如图7d所示，在凸块204c及第一电极204b之暴露表面上设置载体传输层204l2(或称第一型载体传输层)。载体注入层204l1设置在载体传输层204l2之下。载体传输层204l2沿着载体注入层204l1连续地加衬。在此实施例中，所有的发光单元使用共同的载体传输层204l2。在一些实施例中，载体传输层204l2系用于电洞注入。在一些实施例中，载体传输层204l2系用于电子注入。载体传输层204l2连续地覆盖在复数pdl凸块204c及第一电极204b之上。可选地，载体传输层204l2与载体注入层204l1接触。在一些实施例中，载体传输层204l2为有机的。91.如图7e所示，缓冲层204t设置在pdl凸块204c上并且亦覆盖载体注入层204l1及载体传输层204l2。缓冲层204t用以阻挡水气穿透进入pdl凸块204c、载体注入层204l1、及载体传输层204l2。在一实施例中，经由旋转涂覆的方式来设置缓冲层204t。可进一步将缓冲层204t加热至温度t1。在一些实施例中，t1约为5℃至10℃，低于载体注入层204l1及载体传输层204l2之玻璃转化温度。此加热操作约为1到10分钟。在一些实施例中，缓冲层204t包括氟。92.在图7f中，在加热操作后，在缓冲层204t上设置光敏层204s。可进一步透过微影制程将光敏层204s图案化，以使缓冲层204t之一部分透过凹槽214而暴露。在图7g中，移除缓冲层204t之一部分，以具有凹槽215，而暴露载体传输层204l2。在一些实施例中，经由湿蚀刻执行图7g之移除操作。93.针对一些实施例，移除操作包括至少两个步骤。第一步骤为垂直向移除，大致上依照凹槽214(参阅图7f)之开口宽度的尺寸而切除缓冲层204t，如图7g所示。在形成凹槽215后，进行第二步骤以执行侧向移除，如图7h所示。形成切槽216，使凹槽215进一步沿伸进入缓冲层204t，以朝向pdl凸块204c之最高点暴露更多表面。94.有机发射(emissive，em)层204l3设置在凹槽215中并覆盖载体传输层204l2及光敏层204s。在图7i中，有机发射层204l3完全地覆盖暴露的载体传输层204l2。有机发射层204l3经配置以发射第一颜色。95.如图7j所示，在有机发射层204l3上设置有机载体传输层204l4(或称第二型载体传输层)。有机载体传输层204l4可为电洞或电子传输层204l4。在一些实施例中，有机载体传输层204l4及载体传输层204l2各自配置成相反的价态。96.在图7k中，在有机载体传输层204l4上设置第二电极204d。光敏层204s的顶部表面亦被第二电极204d所覆盖。在形成第二电极204d后，可将光敏层204s移除。光敏层204s上的有机发射层204l3、有机载体传输层204l4、及第二电极204d也会一并移除。第二电极204d可为金属材料，例如ag、mg等。在一些实施例中，第二电极204d包括ito(氧化铟锡)或izo(氧化铟锌)。在一些实施例中，从剖视图观看，各个发光单元(亦即，像素)具有独立的第二电极204d，而复数发光单元共享一共同的有机载体传输层204l4。97.可重复执行如图7a-7k中所示之操作以形成不同颜色的发光单元。98.图7l显示了当像素204p1制作完成后，进一步制作相邻像素204p2的示意图。在某些实施例中，有机发射层204l3'经配置以发射与有机发射层204l3不同颜色的光。在某些实施例中，有机发射层204l3'具有与有机发射层204l3不同的材料。99.需注意的是，在本揭露中透过微影制程将光敏层204s图案化而产生凹槽215'。随着半导体制作技术不断演进，例如紫外光微影(euv)技术，微影制程能产生的图案化凹槽的最小宽度已经可低于6奈米以下。因此，采用微影制程来制作显示面板204，可具有高分辨率的优势。经由本揭露的制造流程所产生的显示面板204，可以达到800ppi或更高的像素密度。100.此外，因为微影制程中的水平偏差，形成像素204p2过程中所产生的凹槽215'，可能与形成像素204p1过程中所产生的凹槽215的边界部分重迭。因此会产生如前述图6b中所示相邻像素的有机发射层、有机载体传输层、以及第二电极在凸块204c的最高点附近产生部分重迭的特征。上述特征并不会影响显示面板204的正常运作，且可以作为一显示面板系使用本揭露之制程所制造完成的一种识别特征。101.前述内容概述一些实施方式的特征，因而熟知此技艺的人士可更加理解本揭露的各方面。熟知此技艺的人士应理解可轻易使用本揭露作为基础，用于设计或修饰其他制程与结构而实现与本技术案该的实施例具有相同目的与/或达到相同优点。熟知此技艺的人士亦应理解此均等架构并不脱离本揭露揭示内容的精神与范围，并且熟知此技艺的人士可进行各种变化、取代与替换，而不脱离本揭露的精神与范围。102.再者，本技术案的范围并不受限于说明书中该的制程、机械、制造、物质组成物、手段与步骤的特定实施例。该技艺的技术人士可自本揭露的揭示内容理解可根据本揭露而使用与本文该的对应实施例具有相同功能或是达到实质相同结果的现存或是未来发展的制程、机械、制造、物质组成物、手段、或步骤。据此，此等制程、机械、制造、物质组成物、手段、或步骤是包含于本技术案的申请专利范围内。当前第1页12当前第1页12