本发明涉及半导体模组封装领域,更具体地说,涉及基于引线框架类垂直封装的sip模组。
背景技术:
1、随着现代电子装备对微电子封装及互联密度提出了更高的要求,其对更轻、更薄、更小、更高可靠性、更低功耗的不断追求,推动微电子封装和互联朝着密度更高的三维方式发展,高密度3d互联封装能够最大限度地灵活应用各种芯片资源和封装互联技术,近年来获得迅速发展,成为实现整机系统集成的必然趋势。
2、现有技术是在多层加法载板上面叠加,芯片的散热全是靠着导线引脚来散热,这样带来的是器件的散热性能不足以及成本高昂,且传统的集成电路封装主要采用二维结构单片封装,然而这些传统封装内空间利用率极低且互连普遍较长,容易引发极其复杂的互连寄生效应,进而导致信号畸变,严重影响芯片的性能,故而提出了基于引线框架类垂直封装的sip模组来解决上述问题。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供基于引线框架类垂直封装的sip模组,以解决现有技术是在多层加法载板上面叠加,芯片的散热全是靠着导线引脚来散热,这样带来的是器件的散热性能不足以及成本高昂,且传统的集成电路封装主要采用二维结构单片封装,然而这些传统封装内空间利用率极低且互连普遍较长,容易引发极其复杂的互连寄生效应,进而导致信号畸变,严重影响芯片的性能的问题。
2、为解决上述问题,本发明采用如下的技术方案。
3、基于引线框架类垂直封装的sip模组,包括引线框架、ic芯片层、导线,所述ic芯片层通过胶体粘接于引线框架上形成固晶,所述引线框架与ic芯片层之间通过导线,电性连接,所述引线框架的顶部注塑有环氧塑封料形成环氧树脂、abf塑封层,所述固晶位于环氧树脂、abf塑封层与引线框架之间,所述导线穿插于环氧树脂、abf塑封层的内侧,所述环氧树脂、abf塑封层的顶部设置金属层,所述金属层的底部贯穿环氧树脂、abf塑封层并与引线框架连接,所述金属层的顶部设置有贴封层,所述贴封层包含但不局限于二次封装固晶与贴片垂直结构。
4、作为上述技术方案的进一步描述:
5、所述引线框架包含有芯片焊盘、被动元器件盘与两个外接垂直结构导通焊盘。
6、作为上述技术方案的进一步描述:
7、所述外接垂直结构导通焊盘上设置有若干个外接垂直导孔引脚接头,所述引脚接头包含但不局限于输出电压、地线、信号电压、使能、反馈等。
8、作为上述技术方案的进一步描述:
9、所述金属层为铜金属或镍铜双层金属。
10、作为上述技术方案的进一步描述:
11、所述环氧树脂、abf塑封层上通过垂直导孔工艺形成通孔,所述金属层的底部通过通孔与引线框架连接,任何通孔的工艺都在此发明中可以应用。
12、作为上述技术方案的进一步描述:
13、所述引线框架的厚度为100-500μm。
14、相比于现有技术,本发明的优点在于:
15、本方案,采用成熟的半导体bonding封装制程,工艺灵活,增加模组端设计的多样性,同时环氧树脂、abf塑封层(emcmolding)注塑效率高,大幅降低模组的制作成本,垂直封装的工艺大大降低了互联以及传输的功耗。
16、本方案,应用引线框架的结构,ic芯片层直接固结在金属基板的引线框架上面形成固晶,芯片整个面积都是散热面,散热效率更高,配合金属层进一步提高散热面积,解决了大功率大电流散热的问题。
17、本方案,采用三维垂直的方式安装导线,工艺简单,效率高,大幅降低了模组类先进封装互联,导通的成本,本发明特别开发了在环氧树脂、abf结构层中做导孔以及导孔互联的工艺,充分利用封装内空间,避免互连普遍较长,降低互连寄生效应,防止导致信号畸变,提高芯片的性能。
1.基于引线框架类垂直封装的sip模组,其特征在于:包括引线框架(1)、ic芯片层、导线(3),所述ic芯片层通过胶体粘接于引线框架(1)上形成固晶(2),所述引线框架(1)与ic芯片层之间通过导线(3)电性连接,所述引线框架(1)的顶部注塑有环氧塑封料形成环氧树脂、abf塑封层(4),所述固晶(2)位于环氧树脂、abf塑封层(4)与引线框架(1)之间,所述导线(3)穿插于环氧树脂、abf塑封层(4)的内侧,所述环氧树脂、abf塑封层(4)的顶部设置金属层(5),所述金属层(5)的底部贯穿环氧树脂、abf塑封层(4)并与引线框架(1)连接,所述金属层(5)的顶部设置有贴封层(6),所述贴封层(6)包含二次封装固晶与贴片垂直结构。
2.根据权利要求1所述的基于引线框架类垂直封装的sip模组,其特征在于:所述引线框架(1)包含有芯片焊盘(11)、被动元器件盘(12)与两个外接垂直结构导通焊盘(13)。
3.根据权利要求2所述的基于引线框架类垂直封装的sip模组,其特征在于:所述外接垂直结构导通焊盘(13)上设置有若干个外接垂直导孔引脚接头,所述引脚接头包含输出电压、地线、信号电压、使能、反馈。
4.根据权利要求1所述的基于引线框架类垂直封装的sip模组,其特征在于:所述金属层(5)为铜金属或镍铜双层金属。
5.根据权利要求1所述的基于引线框架类垂直封装的sip模组,其特征在于:所述环氧树脂、abf塑封层(4)上通过垂直导孔工艺形成通孔(41),所述金属层(5)的底部通过通孔(41)与引线框架(1)连接。
6.根据权利要求1所述的基于引线框架类垂直封装的sip模组,其特征在于:所述引线框架(1)的厚度为100-500μm。