一种连接条及半导体零件的制作方法

文档序号:32214939发布日期:2022-11-16 07:14阅读:63来源:国知局
一种连接条及半导体零件的制作方法

1.本实用新型涉及半导体零件制造领域,特别涉及一种连接条及半导体零件。


背景技术:

2.目前的半导体产品结构,通常由金属底板框架、若干晶粒和连接形成电路的若干金属连接条组成。
3.如图1所示,现有连接条通常由第一衔接部3、连接部4和第二衔接部5组成,第一衔接部3和第二衔接部5通过连接部4进行连接,连接部4通常设置为弯折结构件,第二衔接部5与底板框架6焊接连接,第一衔接部3与晶粒7焊接连接;晶粒与底板框架、晶粒与连接条、连接条与底板框架使用焊接连接物(如锡膏)焊接连接后,组成焊接组件,焊接组件进行烧结、冷却,使焊接连接物由凝固态转变为熔融态,再由熔融态转变为凝固态,从而固定底板框架、晶粒以及连接条,然后通过压塑等工艺形成最终半导体产品。
4.但当前产出的半导体产品,连接条在生产制作过程中会发生偏移,且部分产品存在连接条在压塑料之外的情况。
5.因此,目前亟需要一种技术方案,以解决半导体连接条在生产制作过程中发生偏移的技术问题。


技术实现要素:

6.本实用新型的目的在于:针对半导体连接条在生产制作过程中发生偏移的技术问题,提供了一种连接条及半导体零件。
7.为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
8.一种连接条,包括连接条本体,所述连接条本体包括第一衔接部、连接部和第二衔接部,所述第一衔接部和第二衔接部通过部连接进行连接,所述第二衔接部设置阻挡结构,所述阻挡结构用于限制所述连接条本体相对安装位置移动。连接条本体的安装位置是指第二衔接部与半导体底板框架焊接处的底板框架上的位置。
9.经研究发现:在焊接组件烧结的过程中,焊接连接物处于熔融态时,连接条会向远离晶粒的方向移动一段距离,导致烧结后的连接条与底板框架的相对位置发生偏移,当偏移较大时,会造成压塑工艺后的半导体产品的连接条边缘靠近压塑料边界,甚至会出现连接条在压塑料之外的情况,导致半导体产品不合格率上升,且会影响最终半导体器件的性能。
10.本实用新型的一种连接条,通过在第二衔接部上设置阻挡结构,阻挡结构限制连接条本体烧结时相对安装位置移动,从而保证连接条本体与晶粒及底板框架连接良好,保证产品性能。
11.作为本实用新型的优先方案,所述阻挡结构为凸起结构件。
12.作为本实用新型的优先方案,所述阻挡结构与所述第二衔接部为一体结构件,或,所述阻挡结构与所述第二衔接部焊接连接或螺纹连接。阻挡结构与第二衔接部作为一体结
构件连接更稳定,阻挡结构设置位置固定,能提供更好的限位效果;阻挡结构件焊接连接和螺纹连接更加灵活,且螺纹连接方式可在烧结、冷却完成后,从连接条本体上取下阻挡结构。
13.作为本实用新型的优先方案,所述阻挡结构为延伸折弯件,所述延伸折弯件设置于所述第二衔接部边缘位置,所述延伸折弯件与所述第二衔接部之间形成夹角,所述延伸折弯件至少设置两个。一体结构的延伸折弯件可以将连接条本体卡接在底板框架上,限制连接条本体与底板框架的相对位移。
14.作为本实用新型的优先方案,所述阻挡结构包括第一阻拦件、第二阻拦件和第三阻拦件,所述第一阻拦件形成于所述第二衔接部靠近所述第一衔接部的一端,所述第二阻拦件与所述第三阻拦件对向设置。三个阻拦件的设置方式,使卡接和限位更牢固。
15.作为本实用新型的优先方案,所述阻挡结构包括配合连接的限位槽和凸起件。限位槽和凸起件配合连接起限位作用,若限位槽设置于连接条本体,凸起件配套设置于底板框架;若限位槽设置于底板框架,凸起件配套设置于连接条本体上。
16.作为本实用新型的优先方案,所述限位槽设置于连接条本体或所述安装位置。连接条本体的安装位置是指第二衔接部与半导体底板框架焊接处的底板框架上的位置,限位槽设置于连接条本体和设置于安装位置是两种不同的安装方式,均能起到限位作用。
17.一种半导体零件,包括本实用新型的一种连接条,还包括若干晶粒和底板框架,所述底板框架包括第一底板框架和第二底板框架,所述第一底板框架与所述晶粒的一侧焊接,所述晶粒的另一侧与所述第一衔接部焊接,所述第二底板框架与所述第二衔接部焊接。
18.本实用新型的一种半导体零件,通过使用本实用新型的一种连接条,保证压塑后焊接组件的连接条边缘位于压塑料内且与压塑料边界存在一定距离,提升压塑后的半导体零件的合格率,从而提高半导体零件良率。
19.作为本实用新型的优先方案,所述阻挡结构朝向所述底板框架方向延伸设置,所述阻挡结构高度大小为与所述第二衔接部相互焊接的所述底板框架位置部分的至少1/2厚度大小。阻挡结构向底板框架延伸设置,提供更好的卡接条件,阻挡结构高度大小为与所述第二衔接部相互焊接的所述底板框架位置部分的至少1/2厚度大小,使连接条本体不易从底板框架上脱落。
20.作为本实用新型的优先方案,所述连接条本体包括y型结构件,若干所述阻挡结构相对于y型结构件的对称轴对称设置。y型结构件为常见连接条本体形状,阻挡结构设置于y型结构的第二衔接部上,对称设置可提供更好的固定效果。
21.综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:
22.1、本实用新型的一种连接条,通过在第二衔接部上设置阻挡结构,阻挡结构限制连接条本体烧结时相对安装位置移动,从而保证连接条本体与晶粒及底板框架连接良好,保证产品性能;
23.2、本实用新型的一种半导体零件,通过使用本实用新型的一种连接条,保证压塑后焊接组件的连接条边缘位于压塑料内且与压塑料边界存在一定距离,提升压塑后的半导体零件的合格率;
24.3、本实用新型的一种半导体零件,结构简单,易于制作,零件良率高,具有良好的经济价值。
附图说明
25.图1是现有技术的连接条结构示意图;
26.图2是本实用新型的一种连接条的结构示意图;
27.图3是本实用新型的一种半导体零件的结构示意图;
28.图4是实施例3的一种连接条的结构示意图;
29.图5是实施例4的一种半导体零件的结构示意图;
30.图6是实施例5的一种连接条的结构示意图;
31.图7是实施例6的一种半导体零件的结构示意图;
32.图8是实施例7的一种连接条的结构示意图;
33.图9是实施例8的一种半导体零件的结构示意图。
34.图标:
35.1-阻挡结构,2-连接条本体,3-第一衔接部,4-连接部,5-第二衔接部,6-底板框架,7-晶粒,8-第一阻拦件,9-第二阻拦件,10-第三阻拦件。
具体实施方式
36.下面结合附图,对本实用新型作详细的说明。
37.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
38.实施例1
39.如图2所示的一种连接条,包括连接条本体2,所述连接条本体2包括第一衔接部3、连接部4和第二衔接部5,所述第一衔接部3和第二衔接部5通过部连接4进行连接,所述第二衔接部5设置阻挡结构1,所述阻挡结构1用于限制所述连接条本体2相对安装位置移动;所述阻挡结构1为凸起结构件;所述阻挡结构1与所述第二衔接部5为一体结构件;所述阻挡结构1为延伸折弯件,所述延伸折弯件设置于第二衔接部5边缘位置,所述延伸折弯件与第二衔接部5之间形成夹角,所述延伸折弯件至少设置两个。
40.本实施例的一种连接条,所述连接条本体2为y型结构件,所述延伸折弯件设置为两个,所述延伸折弯件相对于y型结构件的对称轴对称设置。
41.本实施例的一种连接条,通过在第二衔接部5上设置阻挡结构1,阻挡结构1限制连接条本体2烧结时相对安装位置移动,从而保证连接条本体2与晶粒7及底板框架6连接良好,保证产品性能。
42.实施例2
43.请参考图2及图3所示的一种半导体零件,包括实施例1的连接条,还包括若干晶粒7和底板框架6,所述底板框架6包括第一底板框架和第二底板框架,所述第一底板框架与所述晶粒7的一侧焊接,所述晶粒7的另一侧与所述第一衔接部3焊接,所述第二底板框架与所述第二衔接部5焊接;所述阻挡结构1朝向所述底板框架6方向延伸设置,所述阻挡结构1高度大小为与所述第二衔接部5相互焊接的所述底板框架位置部分的至少1/2厚度大小。
44.本实施例的一种半导体零件,所述底板框架6上设置一个晶粒7,使用实施例1的连接条焊接连接底板框架6和晶粒7。
45.本实施例的一种半导体零件,通过使用实施例1一种连接条,保证压塑后焊接组件的连接条边缘位于压塑料内且与压塑料边界存在一定距离,提升压塑后的半导体零件的合格率,从而提高半导体零件良率。
46.实施例3
47.如图4所示的一种连接条,其结构与实施例1相同,与实施例1不同的是,所述连接条本体2是成对设置的直板结构件,所述延伸折弯件设置为四个,所述延伸折弯件均设置于第二衔接部5靠近第一衔接部3的一端。
48.实施例4
49.请参考图4及图5所示一种半导体零件,其结构与实施例2相同,与实施例2不同的是,所述底板框架6上设置两个晶粒7,使用所述实施例3的连接条焊接连接底板框架6和晶粒7。
50.实施例5
51.如图6所示的一种连接条,其结构与实施例1相同,与实施例1不同的是,所述连接条本体2是成对设置的直板结构件,所述延伸折弯件设置为六个,所述延伸折弯件包括第一阻拦件、第二阻拦件和第三阻拦件,第一阻拦件形成于第二衔接部5靠近第一衔接部3的一端,所述第二阻拦件与第三阻拦件对向设置。
52.实施例6
53.请参考图6及图7所示一种半导体零件,其结构与实施例2相同,与实施例2不同的是,所述底板框架6上设置两个晶粒7,使用实施例5的连接条焊接连接底板框架6和晶粒7。
54.实施例7
55.如图8所示的一种连接条,其结构与实施例1相同,与实施例1不同的是,所述连接条本体2是成对设置的直板结构件,所述延伸折弯件设置为四个,所述阻挡结构还包括贯穿设置于第二衔接部5的限位槽,所述延伸折弯件设置于第二衔接部5远离第一衔接部3的一端,所述限位槽设置于所述第二衔接部5靠近所述第一衔接部3的一端。
56.实施例8
57.请参考图8及图9所示一种半导体零件,其结构与实施例2相同,与实施例2不同的是,所述底板框架6上设置两个晶粒7,使用实施例7的连接条焊接连接底板框架6和晶粒7,所述底板框架6还配套设置凸起件,所述凸起件与限位槽配合连接。
58.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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