高功率发光器件的制作方法

文档序号:34785547发布日期:2023-07-15 16:17阅读:51来源:国知局
高功率发光器件的制作方法

本技术涉及半导体,尤其涉及一种高功率发光器件。


背景技术:

1、目前,通常通过组合红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片的方式,或通过在蓝光芯片表面涂覆红光和绿光荧光粉等方式实现颜色再现及演色性指数优秀的白光led。且封装中通常需要涂覆硅胶、环氧树脂胶等高分子材料,但是,对于应用于高功率场景且要求高可靠性的白光led来说,会由于高分子材料的热特性导致出现变黄、开裂等问题,导致其在应用上存在局限性。

2、为了改善这一问题,出现了将陶瓷荧光粉(ceramic phosphor,以下简称pc)制成薄片形态使用在蓝光led芯片上,或在玻璃中加入荧光粉形成pig(phosphor in glass)结构使用在蓝光led芯片上的方式制备得到可应用于高功率场景且可靠性高的白光led。但是,陶瓷或玻璃中只能掺杂入石榴石结构铝酸盐系列(garnet系列)的黄色或绿色荧光粉,因此存在应用局限性,如不能通过该种方式制造演色性优秀的白光led、红光led等。


技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种高功率发光器件,有效解决现有技术pc和pig应用的局限性,提供演色性优异的高功率发光器件。

2、本实用新型提供的技术方案如下:

3、一种高功率发光器件,包括:

4、led芯片,具备至少一个出光表面;

5、荧光胶层,配置于所述led芯片一出光表面上;所述荧光胶层中掺杂有至少一种预设颜色的荧光粉,且配置荧光胶层的出光表面由led芯片类型确定;

6、出光板,配置于所述荧光胶层表面,所述出光板为透明玻璃板或透明陶瓷板;

7、所述荧光胶层至少覆盖所述led芯片的出光表面,出光板至少覆盖荧光胶层表面。

8、在本实用新型提供的高功率发光器件,至少能够达到以下有益效果:

9、1.通过高分子材料和特定颜色的荧光粉混合制备荧光胶层,再将其与透明玻璃/透明陶瓷或pc/pig一起封装于led芯片表面,得到具有优秀演色性的白光led、暖白色led、琥珀色led、红光led等发光器件。

10、2.通过荧光胶层表面配置出光板方式,对荧光胶层进行性能保护,使荧光胶层不会直接裸露外在,确保了荧光胶层的耐热性,避免其出现变黄、开裂等问题,从而扩展了发光器件的应用,尤其适用于功率要求在1w(瓦)以上的应用场景,荧光胶层中的红色荧光粉与pc/pig中的绿色荧光粉或黄色荧光粉配合制备得到的白光色温范围1600~5000k的暖白区域,且ra值(显色性指数)在80以上。

11、3.制备得到的高功率发光器件性能稳定,在1000小时下亮度劣化程度在30%以内。



技术特征:

1.一种高功率发光器件,其特征在于,所述高功率发光器件中包括:

2.如权利要求1所述的高功率发光器件,其特征在于,

3.如权利要求1所述的高功率发光器件,其特征在于,所述高功率发光器件还包括围设于led芯片、荧光胶层及出光板四周且具有高反射率特性的反射保护件;所述反射保护件内掺杂有高反射粒子,且所述反射保护件的上表面与所述出光板的上表面齐平。

4.如权利要求1或2或3所述的高功率发光器件,其特征在于,所述荧光胶层中掺杂有红色荧光粉。

5.如权利要求4所述的高功率发光器件,其特征在于,所述荧光胶层或出光层中掺杂的荧光粉为石榴石结构铝酸盐系列荧光粉。

6.如权利要求1所述的高功率发光器件,其特征在于,所述高功率发光器件还包括粘结层,配置于所述led芯片和荧光胶层之间。

7.如权利要求6所述的高功率发光器件,其特征在于,所述高功率发光器件还包括围设于led芯片四周且具有高反射率特性的反射保护件,所述反射保护件内掺杂有高反射粒子;

8.如权利要求6所述的高功率发光器件,其特征在于,所述高功率发光器件还包括围设于led芯片及粘结层四周且具有高反射率特性的反射保护件,所述反射保护件内掺杂有高反射粒子;

9.如权利要求6所述的高功率发光器件,其特征在于,所述高功率发光器件还包括围设于led芯片、粘结层、荧光胶层及出光板四周且具有高反射率特性的反射保护件;所述反射保护件内掺杂有高反射粒子,且所述反射保护件的上表面与所述出光板的上表面齐平。

10.如权利要求1或2或3或5或6或7或8或9所述的高功率发光器件,其特征在于,所述荧光胶层的厚度小于200μm,且厚度偏差在±10μm。


技术总结
本技术公开了一种高功率发光器件,包括:LED芯片,具备至少一个出光表面;荧光胶层,配置于LED芯片一出光表面上;荧光胶层中掺杂有至少一种预设颜色的荧光粉,且配置荧光胶层的出光表面由LED芯片类型确定;出光板,配置于荧光胶层表面,出光板为透明玻璃板或透明陶瓷板;荧光胶层和出光板至少覆盖LED芯片的出光表面。有效解决现有技术PC和PIG应用的局限性,提供演色性优异的高功率发光器件。

技术研发人员:孙宗洛,袁丁,彭翔,江柳杨,何启豪
受保护的技术使用者:江西省晶能半导体有限公司
技术研发日:20220926
技术公布日:2024/1/13
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