一种新型全频段耦合结构的制作方法

本技术属于容性耦合，具体涉及一种新型全频段耦合结构。

背景技术：

1、容性耦合是指电磁骚扰源通过电路或系统之间的电场并以互电容(耦合电容)形式作用于敏感对象的电磁耦合方式。

2、现有的耦合方式多数通过金属连接杆引入到谐振器中心或附近孔实现耦合，通过调整孔高度或连接杆长度形状来改变端口耦合的强弱，现有用连接杆与谐振柱连接；实现设备传输信号之间的耦合。

3、现有连接方式整体带宽时延调谐范围较小，并且装配需要预留一定的装配空间和焊接空间；现有连接方式存在的技术问题点：

4、1.整体带宽过宽无法耦合；

5、2.耦合调节范围受到很大限制

技术实现思路

1、为解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供了一种新型全频段耦合结构，具有适用整体带宽，组件少，易装配，耦合调节范围大的特点。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型全频段耦合结构，包括腔体和连接器，所述腔体内部设有两个配合的谐振器，所述腔体内部设置有抽头片，所述腔体靠近连接器一侧以及连接器靠近腔体一侧均设置有连接杆，所述谐振器中间开设有通孔，所述连接杆外端套设有ptfe介质，所述腔体与连接器之间架设有低通，所述连接器外壁设置有调谐螺杆。

3、作为本实用新型的一种新型全频段耦合结构优选技术方案，所述连接器、连接杆、低通、抽头片相互连接。

4、作为本实用新型的一种新型全频段耦合结构优选技术方案，所述谐振器为上下分布的两个，且两者之间通过通孔产生空间耦合。

5、作为本实用新型的一种新型全频段耦合结构优选技术方案，所述ptfe介质位于连接器与连接杆之间。

6、作为本实用新型的一种新型全频段耦合结构优选技术方案，通过所述连接杆插入谐振器孔内并通过孔的高低调整时延值。

7、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型适用与双面腔，使用低通,连接杆与谐振器相连接的方式。连接器，低通与连接杆相连接，用连接杆装介质穿入谐振器钻孔处相结合，插入谐振器孔中产生耦合，背面用空间大小实现耦合方式达到所要求的时延值，时延值一直性稳定；适用整体带宽，组件少，易装配，耦合调节范围大。

技术特征：

1.一种新型全频段耦合结构，其特征在于：包括腔体(1)和连接器(9)，所述腔体(1)内部设有两个配合的谐振器(2)，所述腔体(1)内部设置有抽头片(3)，所述腔体(1)靠近连接器(9)一侧以及连接器(9)靠近腔体(1)一侧均设置有连接杆(4)，所述谐振器(2)中间开设有通孔(5)，所述连接杆(4)外端套设有ptfe介质(6)，所述腔体(1)与连接器(9)之间架设有低通(7)，所述连接器(9)外壁设置有调谐螺杆(8)。

2.根据权利要求1所述的一种新型全频段耦合结构，其特征在于：所述连接器(9)、连接杆(4)、低通(7)、抽头片(3)相互连接。

3.根据权利要求1所述的一种新型全频段耦合结构，其特征在于：所述谐振器(2)为上下分布的两个，且两者之间通过通孔(5)产生空间耦合。

4.根据权利要求1所述的一种新型全频段耦合结构，其特征在于：所述ptfe介质(6)位于连接器(9)与连接杆(4)之间。

5.根据权利要求1所述的一种新型全频段耦合结构，其特征在于：通过所述连接杆(4)插入谐振器(2)孔内并通过孔的高低调整时延值。

技术总结
本技术属于容性耦合技术领域，尤其为一种新型全频段耦合结构，包括腔体和连接器，所述腔体内部设有两个配合的谐振器，所述腔体内部设置有抽头片，所述腔体靠近连接器一侧以及连接器靠近腔体一侧均设置有连接杆，所述谐振器中间开设有通孔，所述连接杆外端套设有PTFE介质，所述腔体与连接器之间架设有低通，所述连接器外壁设置有调谐螺杆，本技术适用与双面腔，使用低通,连接杆与谐振器相连接的方式。连接器，低通与连接杆相连接，用连接杆装介质穿入谐振器钻孔处相结合，插入谐振器孔中产生耦合，背面用空间大小实现耦合方式达到所要求的时延值，时延值一直性稳定；适用整体带宽，组件少，易装配，耦合调节范围大。

技术研发人员：刘小春,刘建平,牟增坡
受保护的技术使用者：盐城东山通信技术有限公司
技术研发日：20221130
技术公布日：2024/1/12