一种均温板泵浦底座的制作方法

本技术涉及激光泵浦散热的，特别是涉及一种均温板泵浦底座。

背景技术：

1、当代，随着科技的进步，激光技术的发展；激光设备已经广泛应用于多个领域；然而，激光设备中的主要部件是激光泵浦，激光泵浦的在工作过程中需要通过激光泵浦内置的芯片来完成，且在激光泵浦的性能不断提升的同时，其内置的芯片在工作过程中传导的热流密度不断增大；

2、但是现有技术中，激光泵浦内置的芯片产生的热量是通过底座传导至散热器的方式来进行散热，而现有的激光泵浦底座为纯铜或纯铝材质制成的实体底座，对于芯片工作过程中产生的热量，其热传导率较低；同时，使用纯铜或纯铝材质制成的实体激光泵浦底座，重量较重，不符合轻量化的发展需求。

技术实现思路

1、基于此，本实用新型提供一种均温板泵浦底座，解决了现有技术中激光泵浦底座的热传导率低，以及重量较重的问题。

2、为了实现本实用新型的目的，本实用新型采用如下技术方案：

3、一种均温板泵浦底座，包括底座机构、连接于所述底座机构的均温板机构、连接于所述底座机构的盖体机构及连接于所述底座机构的充注管；所述底座机构包括底座组件；所述底座组件的一侧上分别设有第一深槽及第一浅槽，所述底座组件的另一侧上还分别设有第二深槽及第二浅槽；所述均温板机构连接于所述第二深槽的内部；所述均温板机构的厚度与所述第二深槽的深度相同；所述均温板机构上沿宽度方向阵列有多个相同的通道；所述通道贯通于所述均温板机构的相对两端；所述均温板机构的一侧上设有凹槽，所述凹槽连通于所述通道；所述盖体机构包括第一盖体及第二盖体；所述第一盖体连接于所述第一浅槽，所述第二盖体连接于所述第二浅槽；所述第一盖体的厚度与所述第一浅槽的深度相同，所述第二盖体的厚度与所述第二浅槽的深度相同。

4、在其中一个实施例中，所述底座机构还包括连接于所述底座组件的固定组件。

5、在其中一个实施例中，所述固定组件均匀分布于所述第二浅槽的相对两侧的外侧壁上。

6、在其中一个实施例中，所述固定组件上设有固定孔。

7、在其中一个实施例中，所述第二深槽的一侧上设有充注孔；所述充注管连接于所述充注孔。

8、在其中一个实施例中，所述通道为圆柱形通道。

9、在其中一个实施例中，所述第一深槽的内部设有凸台；所述第一深槽的内部对应于所述凸台的一侧还设有避位槽。

10、在其中一个实施例中，所述均温板机构上还设有避位缺口；所述避位缺口与所述避位槽的外部相对应。

11、在其中一个实施例中，所述第一深槽的一侧上还设有通孔；所述第一深槽的相对两侧上还均匀分布有台阶孔。

12、通过本实用新型提供一种均温板泵浦底座，其实现的有益效果是：

13、本实用新型中由于底座组件内部设有第二深槽，第二深槽的内部连接有均温板机构，以实现减轻了底座组件的重量，从而减轻了泵浦底座整体的重量；并且在底座机构、均温板机构及盖体机构的相互配合下，有效提升了泵浦底座的热传导率。

技术特征：

1.一种均温板泵浦底座，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种均温板泵浦底座，其特征在于，所述底座机构还包括连接于所述底座组件的固定组件。

3.根据权利要求2所述的一种均温板泵浦底座，其特征在于，所述固定组件均匀分布于所述第二浅槽的相对两侧的外侧壁上。

4.根据权利要求3所述的一种均温板泵浦底座，其特征在于，所述固定组件上设有固定孔。

5.根据权利要求1所述的一种均温板泵浦底座，其特征在于，所述第二深槽的一侧上设有充注孔；所述充注管连接于所述充注孔。

6.根据权利要求1所述的一种均温板泵浦底座，其特征在于，所述通道为圆柱形通道。

7.根据权利要求1所述的一种均温板泵浦底座，其特征在于，所述第一深槽的内部设有凸台；所述第一深槽的内部对应于所述凸台的一侧还设有避位槽。

8.根据权利要求7所述的一种均温板泵浦底座，其特征在于，所述均温板机构上还设有避位缺口；所述避位缺口与所述避位槽的外部相对应。

9.根据权利要求1所述的一种均温板泵浦底座，其特征在于，所述第一深槽的一侧上还设有通孔；所述第一深槽的相对两侧上还均匀分布有台阶孔。

技术总结
本技术涉及一种均温板泵浦底座，包括底座机构、连接于所述底座机构的均温板机构、连接于所述底座机构的盖体机构及连接于所述底座机构的充注管；所述底座机构包括底座组件；所述底座组件的一侧上分别设有第一深槽及第一浅槽，所述底座组件的另一侧上还分别设有第二深槽及第二浅槽；所述均温板机构连接于所述第二深槽的内部；所述均温板机构上沿宽度方向阵列有多个相同的通道；所述均温板机构的一侧上设有凹槽；所述盖体机构包括第一盖体及第二盖体；所述第一盖体连接于所述第一浅槽，所述第二盖体连接于所述第二浅槽。通过本技术提供一种均温板泵浦底座，解决了现有技术中激光泵浦底座的热传导率低，以及重量较重的问题。

技术研发人员：王丰全
受保护的技术使用者：东莞市讯冷热传科技有限公司
技术研发日：20221202
技术公布日：2024/1/13