一种手动式晶片下蜡装置的制作方法

本技术涉及晶片下蜡装置，具体涉及一种手动式晶片下蜡装置。

背景技术：

1、led晶片(正面已经加工完成电路布置)在进行划片之前还需要进行背面减薄加工，一般是用蜡将led晶片固定在陶瓷盘上进行研磨减薄，减薄完成后对led晶片进行下蜡，即把led晶片从陶瓷盘上卸下。

2、目前，led晶片的下蜡操作是先通过加热的方式使蜡熔化，然后人工用铲刀配合镊子将led晶片卸下，但是，这种方式对人员操作的熟练度要求很高，否则容易导致led晶片破裂，而且led晶片正面被铲刀、镊子触及的区域容易出现电路损伤，会影响后续产品的良率。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种手动式晶片下蜡装置，在蜡熔化后，通过挤压握持部内的空腔形成负压，配合吸盘吸住晶片的背面后将晶片卸下，然后再次挤压握持部就可放下晶片，操作简单，降低了破片率，且避免直接接触晶片正面，减少对电路的损伤。

2、本实用新型提供了一种手动式晶片下蜡装置，所述手动式晶片下蜡装置包括握持部、托底部和若干吸盘，所述握持部固定设置在所述托底部的上面，若干所述吸盘固定设置在所述托底部的下面；所述握持部为弹性结构，所述弹性结构的内部设置有第一空腔，所述托底部的内部设置有第二空腔，所述第一空腔和所述第二空腔连通；任一所述吸盘与所述第二空腔连通。

3、进一步的，所述握持部呈柱状，所述握持部固定设置在所述托底部的几何中心上。

4、进一步的，所述第一空腔呈椭球形，所述第一空腔设置在所述握持部的中部；和/或所述第一空腔呈柱状，所述第一空腔设置在所述握持部的中下部。

5、进一步的，所述吸盘的壁厚沿着远离所述托底部的方向逐渐减小。

6、进一步的，若干所述吸盘形成若干同心吸盘环，任一所述吸盘环包括至少一个所述吸盘。

7、进一步的，所述握持部的顶端设置有径向凸出的抵挡部。

8、进一步的，所述握持部的表面设置有防滑条纹。

9、进一步的，所述吸盘的直径为d，所述d的取值范围为1cm＜d＜1.5cm。

10、进一步的，所述吸盘包括锥状吸盘、碗状吸盘或扁平状吸盘。

11、进一步的，所述吸盘与所述托底部的连接处设置有加强部。

12、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

13、所述第一空腔与所述第二空腔连通，所述第二空腔与吸盘连通，形成连贯腔体，通过挤压所述握持部内的第一空腔，排挤出连贯腔体中的部分空气，此时弹性的握持部拥有恢复原状的势能，使整个连贯腔体处于吸气的状态，即整个连贯腔体内形成负压，配合吸盘能牢牢吸附住晶片，能快速、高效地完成晶片的下蜡操作，卸下晶片后再次挤压所述握持部破坏负压吸气状态就能放下晶片，操作简单，对人员的熟练度要求低，不容易造成晶片破裂，降低破片率；

14、吸盘吸附在晶片的背面，避免直接接触晶片正面，减少对电路的损伤，提高led芯片产品的合格率。

技术特征：

1.一种手动式晶片下蜡装置，其特征在于，所述手动式晶片下蜡装置包括握持部、托底部和若干吸盘，所述握持部固定设置在所述托底部的上面，若干所述吸盘固定设置在所述托底部的下面；

2.如权利要求1所述的手动式晶片下蜡装置，其特征在于，所述握持部呈柱状，所述握持部固定设置在所述托底部的几何中心上。

3.如权利要求1所述的手动式晶片下蜡装置，其特征在于，所述第一空腔呈椭球形，所述第一空腔设置在所述握持部的中部；和/或所述第一空腔呈柱状，所述第一空腔设置在所述握持部的中下部。

4.如权利要求1所述的手动式晶片下蜡装置，其特征在于，所述吸盘的壁厚沿着远离所述托底部的方向逐渐减小。

5.如权利要求1所述的手动式晶片下蜡装置，其特征在于，若干所述吸盘形成若干同心吸盘环，任一所述吸盘环包括至少一个所述吸盘。

6.如权利要求1所述的手动式晶片下蜡装置，其特征在于，所述握持部的顶端设置有径向凸出的抵挡部。

7.如权利要求1所述的手动式晶片下蜡装置，其特征在于，所述握持部的表面设置有防滑条纹。

8.如权利要求1所述的手动式晶片下蜡装置，其特征在于，所述吸盘的直径为d，所述d的取值范围为1cm＜d＜1.5cm。

9.如权利要求1所述的手动式晶片下蜡装置，其特征在于，所述吸盘包括锥状吸盘、碗状吸盘或扁平状吸盘。

10.如权利要求1所述的手动式晶片下蜡装置，其特征在于，所述吸盘与所述托底部的连接处设置有加强部。

技术总结
本技术公开了一种手动式晶片下蜡装置，涉及晶片下蜡装置技术领域，包括握持部、托底部和若干吸盘，所述握持部固定设置在所述托底部的上面，若干所述吸盘固定设置在所述托底部的下面；所述握持部为弹性结构，所述弹性结构内部设置有第一空腔，所述托底部的内部设置有第二空腔，所述第一空腔和所述第二空腔连通；任一所述吸盘与所述第二空腔连通。本技术在蜡熔化后，通过挤压握持部内的空腔形成负压，配合吸盘吸住晶片的背面后将晶片卸下，然后再次挤压握持部就可放下晶片，操作简单，降低了破片率，且避免直接接触晶片正面，减少对电路的损伤。

技术研发人员：卢淑欣,范凯平,唐恝,姚晓薇,邓梓阳,于倩倩
受保护的技术使用者：佛山市国星半导体技术有限公司
技术研发日：20221207
技术公布日：2024/1/11