1.一种2d ga2s3/gan ii型异质结自驱动紫外光探测器，其特征在于，由下往上依次包括：si衬底层、aln/algan缓冲层、u-gan缓冲层和n-gan层；
2.根据权利要求1所述的2d ga2s3/gan ii型异质结自驱动紫外光探测器，其特征在于，n-gan层设有孔，2d ga2s3层位于n-gan层孔内，且n-gan层和2d ga2s3层接触；第二金属电位于n-gan层(4)外侧，且第二金属电极与n-gan层接触。
3.根据权利要求1所述的2d ga2s3/gan ii型异质结自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述si衬底层的厚度为450～460μm。
4.根据权利要求1所述的2d ga2s3/gan ii型异质结自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述aln/algan缓冲层包括aln层和algan层，所述aln层的厚度为300～400nm；所述algan层的厚度为450～650nm。
5.根据权利要求1所述的2d ga2s3/gan ii型异质结自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述u-gan缓冲层的厚度为1.0～2.0μm。
6.根据权利要求1所述的2d ga2s3/gan ii型异质结自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述n-gan层的厚度为140～200nm。
7.根据权利要求1所述的2d ga2s3/gan ii型异质结自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述2d ga2s3层的厚度为95～105nm。
8.根据权利要求1所述的2d ga2s3/gan ii型异质结自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述第一金属电极和第二金属电极为ni/au金属层电极，所述ni/au金属层电极包括ni层和au层。
9.根据权利要求8所述的2d ga2s3/gan ii型异质结自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述ni层和au层的厚度分别为80～120nm。
10.根据权利要求1所述的2d ga2s3/gan ii型异质结自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述第二金属电极的截面为矩形。