一种晶圆级硅基基板及其封装结构的制作方法

本技术涉及半导体封装，尤其涉及一种晶圆级硅基基板及其封装结构。

背景技术：

1、目前半导体封装行业的基板大部分均采用pcb基板，其具有可高密度化、高可靠性、可设计性、可生产性、可测试性、可组装性、可维护性等特点，广泛应用于各种电子设备上，小到电子手表，计算器，大到计算机、通信电子设备、军用武器系统等。

2、经过不断的发展，陶瓷基板出现，并在汽车电子、医疗、通讯、半导体器件、led照明、电力电网等领域逐渐取代pcb基板。陶瓷基板在导热散热、高频性能、绝缘性能，载流能力等方面性能优势明显。

3、但pcb基板和陶瓷基板的散热性能和热应力不足，有待提高。而且，这pcb基板和陶瓷基板不是晶圆级基板，采用这两种基板进行封装，封装结构的体积较大。因此，需要一种具有良好散热性能和热应力的晶圆级基板。

技术实现思路

1、为解决现有技术中的上述问题中的至少一部分问题，本实用新型提供了一种晶圆级硅基基板，包括：

2、多个单基板，所述单基板包括：

3、硅衬底；

4、介质层，其布置在所述硅衬底的表面；

5、多个硅通孔结构，其贯穿所述硅衬底和所述介质层；以及

6、互连结构，其布置在所述介质层之上。

7、进一步地，多个所述硅通孔结构位于单基板的边缘。

8、进一步地，所述硅通孔结构包括硅通孔和填充硅通孔的填充材料。

9、进一步地，所述硅通孔结构能够与固定部件配合固定晶圆级硅基基板或单基板。

10、进一步地，所述互连结构包括一层或多层绝缘层和一层或多层重布线层。

11、进一步地，一层或多层重布线层分别位于一层或多层绝缘层中，且最上层的重布线层部分露出绝缘层。

12、进一步地，多层重布线层之间电连接。

13、进一步地，还包括芯片，其布置在所述互连结构上。

14、本实用新型至少具有下列有益效果：本实用新型公开的一种晶圆级硅基基板及其封装结构，该基板以硅基材质为基础，相比与pcb基板和陶瓷基板，该基板具有更好的导热散热性能，可以运用于大功率或者高频的电子器件封装。该基板为晶圆级基板，从制造基板到封装芯片、电子器件的组装均可以通过晶圆级工艺完成，在提高集成度的同时又可以缩小封装尺寸，在工艺难度和制作成本方面也会有大大的降低。

技术特征：

1.一种晶圆级硅基基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆级硅基基板，其特征在于，多个所述硅通孔结构位于单基板的边缘。

3.根据权利要求1所述的晶圆级硅基基板，其特征在于，所述硅通孔结构包括硅通孔和填充硅通孔的填充材料。

4.根据权利要求3所述的晶圆级硅基基板，其特征在于，还包括螺钉，所述螺钉穿过填充材料以将所述晶圆级硅基基板固定在电子产品上。

5.根据权利要求1所述的晶圆级硅基基板，其特征在于，所述硅通孔结构能够与固定部件配合固定晶圆级硅基基板或单基板。

6.根据权利要求1所述的晶圆级硅基基板，其特征在于，所述互连结构包括一层或多层绝缘层和一层或多层重布线层。

7.根据权利要求6所述的晶圆级硅基基板，其特征在于，一层或多层重布线层分别位于一层或多层绝缘层中，且最上层的重布线层部分露出绝缘层。

8.根据权利要求6所述的晶圆级硅基基板，其特征在于，多层重布线层之间电连接。

9.根据权利要求1所述的晶圆级硅基基板，其特征在于，还包括芯片，其布置在所述互连结构上。

10.一种封装结构，其特征在于，包括权利要求1至9中的任一项所述的晶圆级硅基基板。

技术总结
本技术涉及一种晶圆级硅基基板及其封装结构，所述晶圆级硅基基板包括：多个单基板，所述单基板包括：硅衬底；介质层，其布置在所述硅衬底的表面；多个硅通孔结构，其贯穿所述硅衬底和所述介质层；以及互连结构，其布置在所述介质层之上。该基板以硅基材质为基础，相比与PCB基板和陶瓷基板，该基板具有更好的导热散热性能，可以运用于大功率或者高频的电子器件封装，该基板为晶圆级基板，在提高集成度的同时又可以缩小封装尺寸。

技术研发人员：张燚
受保护的技术使用者：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
技术研发日：20221213
技术公布日：2024/1/11