光伏电池的制作方法

本技术涉及光伏领域，具体地，涉及一种光伏电池。

背景技术：

1、太阳能电池(又称光伏电池)是未来发电的一种重要方式，采用晶体硅制造的太阳能电池是近年来光伏行业的主流技术。在光伏领域，钝化发射极和背面触点(passivatedemitter and rear cell，perc)电池的制作工艺中通常采用低压力化学气相沉积(lowpressurechemical vapor deposition，lpcvd)工艺在衬底表面形成硅沉积层(poly-si)来制备钝化接触结构，以保证衬底表面电路结构的稳定性，同时形成在衬底表面且折射率逐层变化的钝化层可以实现提高光伏电池的光线入射率，进而保证光伏电池的效率。

2、低压力化学气相沉积形成的膜层均匀性好，致密性高，可以通过调节特气类型及流量等制备出不同的膜层结构，目前大多数正面膜层结构都是采用硅的氮化物(sinx)材质，然而该材质对光线入射率的提高较为有限，无法应对行业日益增长的对光伏电池发电效率的要求。

3、因此，如何提供一种能够提高光伏电池整体吸光性能的光伏电池，成为本领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本实用新型旨在提供一种光伏电池，该光伏电池的吸光性能高。

2、为实现上述目的，作为本实用新型的一个方面，提供一种光伏电池，包括衬底和设置在衬底入光面上的钝化层，所述钝化层包括表层和层叠设置在所述表层与所述衬底的入光面之间的多层折射层，其中，所述表层的材质为硅的氧化物，所述表层的折射率低于所述折射层的折射率，且多层所述折射层的折射率沿背离所述衬底方向逐渐减小。

3、可选地，所述表层的折射率小于等于1.6。

4、可选地，所述表层的折射率为1.3-1.6。

5、可选地，所述表层的厚度为40nm-80nm。

6、可选地，所述表层还含有氟元素

7、可选地，所述多层折射层包括沿背离所述衬底的方向依次层叠设置的底折射层、中间层和次表层。

8、可选地，所述底折射层的折射率为2.1～2.4，所述中间层的折射率为1.9～2.2。

9、可选地，所述底折射层的厚度为5nm～20nm，所述中间层的厚度为30nm～60nm，所述次表层的厚度为5nm-20nm。

10、可选地，所述底折射层和所述中间层包括硅元素和氮元素。

11、可选地，所述次表层包括硅元素、氮元素和氧元素。

12、作为本实用新型的第二个方面，提供一种光伏电池的制作方法，所述光伏电池的制作方法包括：

13、在衬底的入光面上制作多层折射层；

14、在所述折射层背离所述衬底的一侧制作表层；

15、其中，所述表层的材质为硅的氧化物，所述表层的折射率低于所述折射层的折射率，且所述折射层的折射率沿背离所述衬底方向逐渐减小。

16、可选地，所述在所述折射层背离所述衬底的一侧制作表层，包括：

17、向工艺腔室中通入第一工艺气体和第二工艺气体，并电离所述第一工艺气体和所述第二工艺气体形成等离子体，以在所述折射层背离所述衬底的一侧表面沉积形成所述表层；

18、其中，所述第一工艺气体含有硅元素，所述第二工艺气体含有氧元素。

19、可选地，所述第一工艺气体为甲硅烷，所述第二工艺气体为一氧化二氮，所述第一工艺气体与所述第二工艺气体的流量比为1:18至1:30。

20、在本实用新型提供的光伏电池和光伏电池的制作方法中，表层的材质选用硅的氧化物，从而能够极大的降低光伏电池的光学反射率，且硅的氧化物材质的表层的钝化性能不输于现有膜层，在保证ctm

21、值及电池产品良率的同时，提高了光伏电池的效率，并延长了perc电池的周期寿命。

技术特征：

1.一种光伏电池，包括衬底和设置在衬底入光面上的钝化层，其特征在于，所述钝化层包括表层和层叠设置在所述表层与所述衬底的入光面之间的多层折射层，其中，所述表层的材质为硅的氧化物，所述表层的折射率低于所述折射层的折射率，且多层所述折射层的折射率沿背离所述衬底方向逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述表层的折射率小于等于1.6。

3.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述表层的折射率为1.3-1.6。

4.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述表层的厚度为40nm-80nm。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的光伏电池，其特征在于，所述多层折射层包括沿背离所述衬底的方向依次层叠设置的底折射层、中间层和次表层。

6.根据权利要求5所述的光伏电池，其特征在于，所述底折射层的折射率为2.1～2.4，所述中间层的折射率为1.9～2.2。

7.根据权利要求6所述的光伏电池，其特征在于，所述底折射层的厚度为5nm～20nm，所述中间层的厚度为30nm～60nm，所述次表层的厚度为5nm-20nm。

技术总结
本技术提供一种光伏电池，包括衬底和设置在衬底入光面上的钝化层，钝化层包括表层和层叠设置在表层与衬底的入光面之间的多层折射层，其中，表层的材质为硅的氧化物，表层的折射率低于折射层的折射率，且折射层的折射率沿背离衬底方向逐渐减小。本技术还提供一种光伏电池的制作方法。在本技术提供的光伏电池中，表层的材质选用硅的氧化物，从而能够极大的降低光伏电池的光学反射率，且硅的氧化物材质的表层的钝化性能不输于现有膜层，在保证CTM值及电池产品良率的同时，提高了光伏电池的效率，并延长了光伏电池的周期寿命。

技术研发人员：陆玉刚,陈红,卓启东,常永健,张岩焱,李汉诚
受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司
技术研发日：20221230
技术公布日：2024/1/12