基板处理设备的制作方法

本发明涉及一种基板处理设备，该在基板上进行例如沉积工艺以及蚀刻工艺的处理工艺。

背景技术：

1、一般来说，为了制造太阳能电池、半导体装置、平板显示设备等，需要在基板上形成薄膜层、薄膜电路图案或是光学图案。为此，会在基板上进行处理工艺，例如，将包括特定材料的薄膜沉积在基板上的沉积工艺、通过使用光感材料使薄膜的一部分曝光的曝光工艺以及移除薄膜中选择性曝光的部分以形成图案的蚀刻工艺等。通过基板处理设备在基板上进行这样的处理工艺。

2、相关技术的基板处理设备包括支撑基板的基板支撑单元以及朝基板支撑单元喷射气体的气体喷射单元。相关技术的基板处理设备通过使用不同的第一气体和第二气体在基板上进行处理工艺。第一气体和第二气体被供应到气体喷射单元中且沿气体喷射单元中形成的个别气体流动路径移动，并接着从气体喷射单元喷射出来。

3、气体喷射单元包括朝气体支撑单元喷射气体的第一喷射单元以及设置在第一喷射单元上的第二喷射单元。第一喷射单元包括多个第一供应孔以及多个第二供应孔。第二喷射单元包括多个第一喷射孔以及多个第二喷射孔。第一供应孔和第一喷射孔对应于第一气体流动路径。第二供应孔和第二喷射孔对应于第二气体流动路径。

4、这里，相较于被供应至其他第一喷射孔的第一气体，第一气体以较高的流速以及较大的压力被供应至垂直设置在第一供应孔的下方的第一喷射孔。因此，在相关技术的基板处理设备中，多个第一喷射孔之间会产生喷射流速以及喷射压力的偏差，且因此会降低在基板上进行的处理工艺的均匀度。

技术实现思路

1、技术问题

2、本发明的目的是解决上述问题并用于提供一种可以减小气体的喷射压力以及流速的偏差的基板处理设备。

3、技术方案

4、为了实现上述目的，本发明可以包括以下要素。

5、根据本发明的基板处理设备可以包括腔体、在腔体中支撑至少一个基板的基板支撑单元、在基板支撑单元上方朝基板支撑单元喷射第一气体的第一喷射单元、在第一喷射单元上方朝基板支撑单元喷射第二气体的第二喷射单元，以及形成在第一喷射单元与第二喷射单元之间的缓冲单元。第一喷射单元可以包括多个第一喷射孔。第二喷射单元可以包括将第一气体供应到缓冲单元的第一供应孔以及通过缓冲单元的第二喷射孔。第一供应孔的入口的中心和出口的中心可以相对于垂直方向彼此分离，且出口可以面对多个第一喷射孔之间的空间。

6、有益效果

7、根据本发明，可以实现以下技术效果。

8、本发明可以导引第一气体而使第一气体在缓冲单元中流动而扩散，进而提升第一气体被供应到多个第一喷射孔的压力以及流速的均匀度。因此，本发明可以减小通过多个第一喷射孔喷射的第一气体的喷射流速以及喷射压力产生的偏差，且因此可以提高基板上进行的处理工艺的均匀度。

技术特征：

1.一种基板处理设备，包括：

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述第一供应孔包括设置在所述入口与所述出口之间的倾斜路径，并且

3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述第一供应孔还包括从所述入口沿所述垂直方向垂直延伸的垂直路径。

4.如权利要求2或3所述的基板处理设备，其中，所述第一供应孔的所述倾斜路径形成为多个，并且

5.如权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述第一供应孔的多个所述倾斜路径形成为沿彼此相反的方向延伸。

6.如权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述第一供应孔的多个所述倾斜路径形成为沿彼此垂直的方向延伸。

7.如权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述第一供应孔形成为多个，并且

8.如权利要求2或3所述的基板处理设备，其中，所述第一供应孔形成为多个，并且

9.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述第一喷射单元或所述第二喷射单元连接到射频电源，即，rf电源。

技术总结
本发明涉及一种基板处理设备，包括：腔体；在腔体中支撑至少一个基板的基板支撑单元；在基板支撑单元上方朝基板支撑单元喷射第一气体的第一喷射单元；在第一喷射单元上方朝基板支撑单元喷射第二气体的第二喷射单元；以及形成在第一喷射单元与第二喷射单元之间的缓冲单元，其中，第一喷射单元包括多个第一喷射孔，第二喷射单元包括第一供应孔和第二喷射孔，第一供应孔将第一气体供应到缓冲单元，第二喷射孔通过缓冲单元，第一供应孔的入口的中心和出口的中心相对于垂直方向彼此分离，且出口面对多个第一喷射孔之间的空间。

技术研发人员：李智勋,李知源
受保护的技术使用者：周星工程股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15