基片处理方法和基片处理装置与流程

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术：

1、专利文献1公开了在被加工基片上层叠碳膜，在其上层叠含硅中间膜，在其上层叠光致抗蚀剂膜的技术，并公开了作为碳膜，有通过旋涂法制作的旋涂碳膜的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2013-228447号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明的技术以高生产率(through put)将利用euv用的抗蚀剂膜得到的抗蚀剂图案恰当地转印到旋涂碳膜。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、本发明的一方式是一种基片处理方法，其包括：在形成于基片上的旋涂碳膜上形成碳化硅膜的步骤；和在上述碳化硅膜上形成euv用的化学放大型的抗蚀剂膜的步骤。

5、发明效果

6、依照本发明，能够以高生产率将利用euv用的抗蚀剂膜得到的抗蚀剂图案恰当地转印到旋涂碳膜。

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，包括：

3.根据权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：

5.根据权利要求3或4所述的基片处理方法，其特征在于：

6.根据权利要求1～5中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：

8.根据权利要求6或7所述的基片处理方法，其特征在于：

9.根据权利要求6～8中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

10.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

11.根据权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：

12.根据权利要求10或11所述的基片处理装置，其特征在于：

13.根据权利要求12所述的基片处理装置，其特征在于：

14.根据权利要求12或13所述的基片处理装置，其特征在于：

15.根据权利要求10～14中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

16.根据权利要求15所述的基片处理装置，其特征在于：

17.根据权利要求15或16所述的基片处理装置，其特征在于：

18.根据权利要求15～17中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：