光检测装置和电子设备的制作方法

本技术(根据本发明的技术)涉及光检测装置和电子设备，并且特别地涉及具有包括导体层的光学元件的光检测装置以及电子设备。

背景技术：

1、利用表面等离子体共振现象来检测窄频带中的光的多光谱感测器例如是根据专利文献1而普遍已知的。对于具有周期性开孔的金属薄膜，由照射到该金属薄膜的表面上的光诱发的被称为表面等离子体的电子的振动穿过所述开孔。由于表面等离子体的能量是足够小的，例如仅为几十nm到几百nm，因此即使具有比开孔(波导管)的截止波长更长的波长的成分也能够从开口中透过。从开孔中透过的表面等离子体在相反侧的金属表面处再次被转换成光然后出射。表面等离子体滤光器通过改变孔的周期和直径来控制透过光的分光。

2、此外，设置有线栅偏振器(wgp：wire grid polarizer)的偏振传感器例如是根据专利文献2而普遍已知的。在反射型线栅偏振器中，导体被加工为线及空间形状(line-and-space shape)。在光的电场的振动方向与偏振器为相同方向的情况下，导体中的自由电子追随电场以使得电场为零，并且光与因该运动而产生的反射波相互抵消，所以光不能透过。另一方面，在光的电场的振动方向与偏振器正交的情况下，导体中的自由电子不能追随电场，并且不产生反射波，所以光透过。据此，可以仅让电场的振动方向与偏振器的带状导体垂直的光选择性地透过。

3、此外，导模共振(gmr：guided mode resonance)滤光器是通过把衍射光栅与包层-芯结构(clad-core structure)组合起来从而能够仅让窄波长频带(窄频带)中的光透过的光学滤光器(例如，参见专利文献3)。它利用了在波导管中产生的导模与衍射光之间的共振，其特征在于光利用效率较高并且获得了锐利的共振光谱。

4、引用文献列表

5、专利文献

6、专利文献1：日本专利申请特开第2018-98641号

7、专利文献2：日本专利申请特开第2017-76683号

8、专利文献3：日本专利申请特开第2018-195908号

技术实现思路

1、本发明要解决的问题

2、上述光学元件包括导体层。因此，有可能发生应力迁移。本技术的目的是提供能够抑制应力迁移的发生的光检测装置和电子设备。

3、解决问题的技术方案

4、根据本技术的一个方面的光检测装置包括：半导体层，所述半导体层包括光电转换部；光学元件，所述光学元件包括基材和形成于所述基材中的开口阵列，所述光学元件将由所述开口阵列选择的光供给至所述光电转换部，并且所述光学元件被布置得在平面图中与所述光电转换器单元重叠，其中，所述基材具有层叠结构，所述层叠结构包括从所述半导体层侧依次布置的第一导体层、中间层和第二导体层。

5、根据本技术的一个方面的电子设备包括：上述光电检测装置；和致使来自被摄体的成像光(image light)在所述光检测装置上成像的光学系统。

6、根据本技术的另一方面的光检测装置包括：半导体层，所述半导体层包括光电转换部；和光学元件，所述光学元件包括含有导体层的基材和形成于所述基材中的开口阵列，所述光学元件将由所述开口阵列选择的光供给至所述光电转换部，并且所述光学元件被布置得在平面图中与所述光电转换部重叠，其中，所述基材在平面图中包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中设置有所述开口阵列，在所述第二区域中未设置有所述开口阵列，而且，所述基材在所述第二区域中的厚度大于所述基材在所述第一区域中的厚度。

7、根据本技术的另一方面的电子设备包括：上述光检测装置；和致使来自被摄体的成像光在所述光检测装置上成像的光学系统。

技术特征：

1.光检测装置，包括：

2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

3.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

4.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，

5.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

6.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

7.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

8.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

9.电子设备，包括：

10.光检测装置，包括：

11.根据权利要求10所述的光检测装置，其中，

12.根据权利要求10所述的光检测装置，其中，

13.根据权利要求12所述的光检测装置，其中，

14.根据权利要求12所述的光检测装置，其中，

15.根据权利要求12所述的光检测装置，其中，

16.根据权利要求14所述的光检测装置，其中，

17.根据权利要求12所述的光检测装置，其中，

18.根据权利要求10所述的光检测装置，其中，

19.根据权利要求10所述的光检测装置，其中，

20.电子设备，包括：

技术总结
本发明的目的是提供一种能够抑制应力迁移的发生的光检测装置。该光检测装置包括：半导体层(20)，所述半导体层包括光电转换部(21)；光学元件(50)，所述光学元件包括基材(51)和形成于所述基材(51)中的开口阵列(52)，所述光学元件把由所述开口阵列(52)选择的光供给至所述光电转换部(21)，并且所述光学元件被布置得在平面图中与所述光电转换部(21)重叠。所述基材(51)具有层叠结构，所述层叠结构包括从所述半导体层(20)侧依次布置的第一导体层(55)、中间层(56)和第二导体层(57)。

技术研发人员：大庭义行,纳土晋一郎,加藤善规,丸山康
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16