集成式磁芯和绕组层状体的制作方法

本发明涉及微电子器件领域。更特别地但非排他地，本说明书涉及微电子器件中的磁性部件。

背景技术：

1、隔离变压器通常是大型且昂贵的线绕变压器。对适于集成在具有集成电路等的衬底上的小型、可负担得起的隔离变压器的需求大。在保持高隔离性和可靠性的同时缩小这种变压器的尺寸是具有挑战性的。

技术实现思路

1、本发明介绍了一种微电子器件，微电子器件包括具有第一磁芯段和第二磁芯段的磁性部件，第一磁芯段与第二磁芯段之间具有绕组层状体。第一磁芯段包括绕组支撑部分，绕组支撑部分包括铁磁材料。绕组层状体通过粘合剂材料附接到绕组支撑部分。第一磁芯段还包括延伸部分，延伸部分包括铁磁材料。延伸部分从绕组支撑部分延伸。绕组层状体具有围绕铁磁材料的导电材料的绕组环。

2、填充材料位于绕组层状体与第一磁芯段之间，从而同时接触绕组层状体和第一磁芯段。填充材料具有与粘合剂材料不同的成分。第二磁芯段附接到第一磁芯段的延伸部分。第二磁芯段包括铁磁材料。微电子器件包括外部引线，并且包括绕组环与外部引线之间的电连接部。

3、微电子器件可以通过使用粘合剂材料将绕组层状体附接到第一磁芯段的绕组支撑部分来形成。填充材料随后被引导在绕组层状体与第一磁芯段之间，从而同时接触绕组层状体和第一磁芯段。第二磁芯段随后附接到延伸部分。电连接部形成在绕组环与外部引线之间。

技术特征：

1.一种微电子器件，包括：

2.如权利要求1所述的微电子器件，其中，所述绕组环完全围绕所述延伸部分延伸。

3.如权利要求2所述的微电子器件，其中，所述第一磁芯段包括从所述绕组支撑部分延伸的铁磁材料的侧向部分，所述侧向部分位于所述绕组环的相反两侧。

4.如权利要求2所述的微电子器件，其中：

5.如权利要求1所述的微电子器件，其中：

6.如权利要求1所述的微电子器件，其中：

7.如权利要求1所述的微电子器件，其中：

8.如权利要求1所述的微电子器件，其中，所述粘合机材料的颜色与所述填充材料的颜色不同。

9.如权利要求1所述的微电子器件，其中，所述延伸部分与所述第二磁芯段之间的空间小于100微米。

10.如权利要求1所述的微电子器件，其中，所述绕组环被配置在由所述绕组层状体的电绝缘材料的层分隔开的多于一个层级上。

11.如权利要求1所述的微电子器件，其中，所述第一磁芯段包括位于所述绕组支撑部分上在所述绕组层状体与所述绕组支撑部分之间的支座。

12.一种形成微电子器件的方法，包括：

13.如权利要求12所述的方法，其中，将所述绕组层状体附接到所述绕组支撑部分包括在所述绕组支撑部分上形成粘合剂材料、以及将所述绕组层状体设置在所述粘合剂材料上。

14.如权利要求13所述的方法，其中，当所述粘合剂材料形成在所述绕组支撑部分上时，所述粘合剂材料具有20,000厘泊至300,000厘泊的粘度。

15.如权利要求13所述的方法，其中，所述填充材料包括小于20体积百分比的填充颗粒。

16.如权利要求13所述的方法，其中，将所述绕组层状体附接到所述绕组支撑部分进一步包括在所述绕组支撑部分上形成粘合剂材料之后且在将所述绕组层状体设置在所述粘合剂材料上之前使所述粘合剂材料部分地固化。

17.如权利要求12所述的方法，其中，当所述填充材料形成在所述绕组层状体与所述第一磁芯段之间时，所述填充材料具有10,000厘泊至60,000厘泊的粘度。

18.如权利要求12所述的方法，其中，所述绕组层状体是第一绕组层状体，并且所述方法进一步包括将第二绕组层状体附接到所述第一绕组层状体然后将所述第二磁芯段附接到所述延伸部分。

19.如权利要求12所述的方法，其中，所述绕组层状体是第一绕组层状体，并且所述方法进一步包括将第二绕组层状体附接到所述绕组支撑部分然后将所述第二磁芯段附接到所述延伸部分。

20.如权利要求12所述的方法，其中，所述填充材料覆盖所述第二磁芯段下方的绕组层状体。

技术总结
一种微电子器件(100)，包括具有第一磁芯段(108)和第二磁芯段(154)的磁性部件(110)，第一磁芯段与第二磁芯段之间具有绕组层状体(128)。第一磁芯段(108)包括绕组支撑部分(112)，绕组支撑部分具有铁磁材料。绕组层状体(128)附接到绕组支撑部分(112)。第一磁芯段(108)还包括延伸部分(114)，延伸部分具有从绕组支撑部分(112)延伸的铁磁材料。绕组层状体(128)具有围绕铁磁材料的导电材料的绕组环(134)。填充材料(144)形成在绕组层状体(128)与第一磁芯段(108)之间，从而同时接触绕组层状体(128)和第一磁芯段(108)。第二磁芯段(154)附接到第一磁芯段(108)的延伸部分(114)。第二磁芯段(154)包括铁磁材料。绕组环(134)通过电连接部电耦合到外部引线(106)。

技术研发人员：鄢艺,Z·张,K·彭,V·卡娜勒卡,D·侯
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16