基板支座的反应性清洁的制作方法

本公开内容大体上涉及用于处理基板的设备和方法。特定而言，本公开内容的实施方式涉及用于通过使用远程等离子体产生器(rps)从清洁气体建立反应蚀刻等离子体来清洁基板支座的设备和方法。然后，将副产物相从基板支座排出，该副产物相来自基板支座上的沉积物与反应蚀刻等离子体的反应。

背景技术：

1、许多沉积工艺受益于在气体分配板的表面和正在处理的基板之间保持均匀且小的间隙，基板位于基板支座上。例如，原子层沉积工艺(ald)通常具有非常小的基板到气体注入器的间距。此间隙的变化会导致横跨基板表面的气体流动均匀性发生变化。当基板在处理站之间移动时，间隙变化更加突出。由于例如由处理化学物质和条件导致的残留颗粒和/或膜的沉积，多次沉积处理循环可能导致基板支座表面的不均匀性和平坦度变化。基板支座的平坦度的变化增加了气体注入器和基板之间的反应空间的变化。

2、对于高温下的处理，可包括静电吸盘的基板支座被加热。在高温下，诸如碳基团和碳链的污染物以沉积物的形式堆积在基板支座的表面上，例如静电吸盘的表面，这可以改变吸盘的陶瓷层的电阻率并影响吸附力。例如，静电吸盘表面上的电荷可能被碳基污染物短路，例如通过导电膜，这会降低表面的电荷电位，从而使吸附力变弱。

3、在多次循环后，清洁基板支座表面可以提高均匀性和平整度。使用在处理腔室中产生的射频(rf)等离子体来蚀刻吸盘污染物以清理表面会将溅射颗粒从吸盘表面重新分布到腔室中的某处，却不会从处理腔室中去除污染物。

4、一般而言，本领域持续需要清洁基板支座的表面，特别是反应性地从加热的静电吸盘的表面去除沉积物。

技术实现思路

1、一个或多个实施方式涉及清洁基板支座的方法。将清洁气体引入包含基板支座的处理腔室中。向远程等离子体源施加射频(rf)功率，远程等离子体源与处理腔室流体连通以从处理腔室中的清洁气体建立反应蚀刻等离子体。基板支座上的沉积物与反应蚀刻等离子体反应以形成副产物相。将副产物相从处理腔室中排出。

2、另外的实施方式涉及清洁基板支座的方法。将基板支座的静电吸盘的温度设定在大于或等于100℃至小于或等于600℃的范围内。将含氧清洁气体引入包含基板支座的处理腔室中，处理腔室处于真空压力下。向远程等离子体源施加射频(rf)功率，远程等离子体源与处理腔室流体连通以从处理腔室中的清洁气体建立反应蚀刻等离子体。基板支座上的沉积物与反应蚀刻等离子体反应以形成副产物相。将副产物相从处理腔室中排出。

3、本公开内容的进一步实施方式涉及非暂态计算机可读介质。非暂态计算机可读介质包括指令。在指令由处理腔室的控制器执行时，处理腔室执行以下操作：将远程等离子体源设定为以下一个或多个条件：在大于或等于10w至小于或等于250w的范围内的偏压功率；小于偏压功率的50％的反射功率；以及在小于或等于5毫托至小于或等于2托的范围内的压力，其中远程等离子体源与包含基板支座的处理腔室流体连通，且基板支座包含静电吸盘和加热器；将静电吸盘的温度设定在大于或等于100℃至小于或等于600℃的范围内；将清洁气体引入处理腔室中；向远程等离子体源施加射频(rf)功率，远程等离子体源与处理腔室流体连通以从处理腔室中的清洁气体建立反应蚀刻等离子体；以及将副产物相从处理腔室中排出，副产物相来自基板支座上的沉积物与清洁气体的反应物质的反应。

技术特征：

1.一种清洁基板支座的方法，所述方法包含：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述清洁气体的引入包括：使所述清洁气体流过所述远程等离子体源。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述清洁气体的引入包括：使所述清洁气体直接流入所述处理腔室。

4.根据权利要求1所述的方法，其中操作所述远程等离子体源包括以下一个或多个条件：在大于或等于10w至小于或等于250w的范围内的偏压功率；小于所述偏压功率的50％的反射功率；以及在小于或等于5毫托至小于或等于2托的范围内的压力。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理腔室处于真空压力下。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述清洁气体包含氧气。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板支座包含静电吸盘与至少一个电极。

8.根据权利要求1所述的方法，包含：将所述基板支座的温度设定在大于或等于100℃至小于或等于600℃的范围内。

9.根据权利要求1所述的方法，包括：监测所述基板支座的漏电流的测量值。

10.根据权利要求9所述的方法，其中操作所述远程等离子体源的持续时间是基于所述漏电流的所述测量值。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积物至少包含碳和/或碳链。

12.一种清洁基板支座的方法，所述方法包含：

13.根据权利要求12所述的方法，其中操作所述远程等离子体源包括以下一个或多个条件：在大于或等于10w至小于或等于250w的范围内的偏压功率；小于所述偏压功率的50％的反射功率；以及在小于或等于5毫托至小于或等于2托的范围内的压力。

14.根据权利要求12所述的方法，包括：监测所述静电吸盘的漏电流的测量值。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述沉积物至少包含碳基团和/或碳链。

16.一种非暂态计算机可读介质，包含指令，所述指令在由处理腔室的控制器执行时使所述处理腔室执行以下操作：

17.根据权利要求16所述的非暂态计算机可读介质，包括以下操作：将所述处理腔室的压力设置为真空压力。

18.根据权利要求16所述的非暂态计算机可读介质，其中所述处理腔室执行以下操作：监测所述静电吸盘的漏电流的测量值。

19.根据权利要求16所述的非暂态计算机可读介质，其中操作所述远程等离子体源的持续时间是基于所述静电吸盘的所述漏电流的所述测量值。

20.根据权利要求16所述的非暂态计算机可读介质，其中所述清洁气体包含氧，且所述沉积物至少包含碳和/或碳链。

技术总结
清洁基板支座的方法包含：将清洁气体引入包含基板支座的处理腔室中；向远程等离子体源施加射频(RF)功率，远程等离子体源与处理腔室流体连通以从处理腔室中的清洁气体建立反应蚀刻等离子体；使基板支座上的沉积物与反应蚀刻等离子体反应以形成副产物相；以及将副产物相从处理腔室中排出。

技术研发人员：陈曦,什里沙·瑜珈什·拉奥,郭晟,陈·H·庆,托马斯·布拉修斯·布雷佐斯基,蔡振雄
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12