一种隔离结构及芯片的制作方法

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种隔离结构及芯片。

背景技术：

1、随着芯片制造工艺的不断发展，芯片内集成的器件的数量越来越多。由于芯片内的空间有限，因此器件在工作过程中不仅会干扰芯片内的其他器件，且也会被芯片内的其他器件干扰。干扰的存在轻则影响器件的性能，重则造成器件不能正常工作。因此如何降低芯片内器件之间的干扰是目前亟需解决的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提出了一种隔离结构及芯片，以期降低芯片内器件之间的干扰。

2、为了达到上述目的，本申请主要提供了如下技术方案：

3、第一方面，本申请提供了一种隔离结构，隔离结构用于隔离衬底中相邻的第一阱区和第二阱区，隔离结构包括：至少两个隔离区，至少两个隔离区位于第一阱区和第二阱区之间，且各隔离区并排设置；任意相邻的两个隔离区之间设置有第一掺杂区，且第一掺杂区与第一地线相连；其中，第一掺杂区的传导型态与第一阱区、第二阱区以及衬底的传导型态相同。

4、本申请提供的隔离结构，隔离结构用于隔离芯片衬底中相邻的第一阱区和第二阱区，这里的第一阱区和第二阱区分别属于芯片中的两个器件，这两个器件相互之间存在干扰。隔离结构包括两个或两个以上的隔离区，这些隔离区设置在第一阱区和第二阱区之间，且各隔离区并排设置。任意相邻的两个隔离区之间设置有第一掺杂区，且第一掺杂区与第一地线相连。可见，本申请提供的隔离结构至少具有如下两个技术效果：一是，隔离区增加器件之间的干扰传递路径上的电阻，以阻止器件的干扰信号传递到与其相邻的其他器件。二是，第一掺杂区从衬底中吸收干扰信号，并将所吸收的干扰信号传输至第一地线，这样，即使出现未被隔离区阻挡到的干扰信号，这些干扰信号仍可被第一掺杂区阻挡，从而降低干扰量。通过上述的两个技术效果可以看出，本申请实施例提供的隔离结构能够降低芯片内器件之间干扰。

5、在一些实施例中，第一掺杂区在与其相邻的隔离区上的正投影，落入隔离区中的第一目标面内，其中，第一目标面为隔离区中与第一掺杂区相对的面。

6、在一些实施例中，并排设置的隔离区中位于最外侧的隔离区分别为第一隔离区和第二隔离区；第一隔离区与第一阱区相邻，且第一阱区在第一隔离区上的正投影，落入第一隔离区中的第二目标面内，其中，第二目标面为第一隔离区中与第一阱区相对的面；第二隔离区与第二阱区相邻，且第二阱区在第二隔离区上的正投影，落入第二隔离区中的第三目标面内，其中，第三目标面为第二隔离区中与第二阱区相对的面。

7、在一些实施例中，隔离区的数量由如下中的至少一个因素决定：第一阱区和第二阱区之间的干扰程度、第一阱区和第二阱区之间的空间、隔离区所用材料的阻值。

8、在一些实施例中，隔离结构还包括第一桶状结构和环状的第二掺杂区；第一阱区被全部包裹在第一桶状结构的中空区域内；第二掺杂区包围在第一桶状结构的外侧，且第二掺杂区与第二地线相连；第一桶状结构的传导型态与第一阱区、第二阱区以及衬底的传导型态不同，第二掺杂区的传导型态与第一阱区、第二阱区以及衬底的传导型态相同。

9、在一些实施例中，第一桶状结构的桶壁为环状的第三阱区，桶底为第一深阱区；第二掺杂区包围在第三阱区的外侧。

10、在一些实施例中，隔离结构还包括第二桶状结构和环状的第三掺杂区；第二阱区被全部包裹在第二桶状结构的中空区域内；第三掺杂区包围在第二桶状结构的外侧，且第三掺杂区与第三地线相连；第二桶状结构的传导型态与第一阱区、第二阱区以及衬底的传导型态不同，第三掺杂区的传导型态与第一阱区、第二阱区以及衬底的传导型态相同。

11、在一些实施例中，第二桶状结构的桶壁为环状的第四阱区，桶底为第二深阱区；第三掺杂区包围在第四阱区的外侧。

12、在一些实施例中，第一掺杂区与相邻的隔离区具有距离间隔。

13、在一些实施例中，第一阱区和第二阱区分别属于芯片中的两个器件。

14、第二方面，本申请提供了一种芯片，该芯片包括：第一方面中任一项的隔离结构。

15、本方面提供的芯片的有益效果与第一方面提供的隔离结构的有益效果基本相同，因此这里不再赘述。

16、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

技术特征：

1.一种隔离结构，其特征在于，所述隔离结构用于隔离衬底中相邻的第一阱区和第二阱区，所述隔离结构包括：至少两个隔离区，所述至少两个隔离区位于所述第一阱区和所述第二阱区之间，且各所述隔离区并排设置；任意相邻的两个隔离区之间设置有第一掺杂区，且所述第一掺杂区与第一地线相连；其中，所述第一掺杂区的传导型态与所述第一阱区、所述第二阱区以及所述衬底的传导型态相同。

2.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述第一掺杂区在与其相邻的隔离区上的正投影，落入所述隔离区中的第一目标面内，其中，所述第一目标面为所述隔离区中与所述第一掺杂区相对的面。

3.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，并排设置的隔离区中位于最外侧的隔离区分别为第一隔离区和第二隔离区；

4.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述隔离区的数量由如下中的至少一个因素决定：所述第一阱区和所述第二阱区之间的干扰程度、所述第一阱区和所述第二阱区之间的空间、所述隔离区所用材料的阻值。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的隔离结构，其特征在于，所述隔离结构还包括第一桶状结构和环状的第二掺杂区；所述第一阱区被全部包裹在所述第一桶状结构的中空区域内；所述第二掺杂区包围在所述第一桶状结构的外侧，且所述第二掺杂区与第二地线相连；所述第一桶状结构的传导型态与所述第一阱区、所述第二阱区以及所述衬底的传导型态不同，所述第二掺杂区的传导型态与所述第一阱区、所述第二阱区以及所述衬底的传导型态相同。

6.根据权利要求5所述的隔离结构，其特征在于，所述第一桶状结构的桶壁为环状的第三阱区，桶底为第一深阱区；所述第二掺杂区包围在所述第三阱区的外侧。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的隔离结构，其特征在于，所述隔离结构还包括第二桶状结构和环状的第三掺杂区；所述第二阱区被全部包裹在所述第二桶状结构的中空区域内；所述第三掺杂区包围在所述第二桶状结构的外侧，且所述第三掺杂区与第三地线相连；所述第二桶状结构的传导型态与所述第一阱区、所述第二阱区以及所述衬底的传导型态不同，所述第三掺杂区的传导型态与所述第一阱区、所述第二阱区以及所述衬底的传导型态相同。

8.根据权利要求7所述的隔离结构，其特征在于，所述第二桶状结构的桶壁为环状的第四阱区，桶底为第二深阱区；所述第三掺杂区包围在所述第四阱区的外侧。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的隔离结构，其特征在于，所述第一掺杂区与相邻的隔离区具有距离间隔；

10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括：权利要求1-9中任一项所述的隔离结构。

技术总结
本申请公开了一种隔离结构及芯片，涉及集成电路技术领域，主要目的在于降低芯片内器件之间的干扰；隔离结构用于隔离衬底中相邻的第一阱区和第二阱区，隔离结构包括：至少两个隔离区，所述至少两个隔离区位于第一阱区和第二阱区之间，且各隔离区并排设置；任意相邻的两个隔离区之间设置有第一掺杂区，且第一掺杂区与第一地线相连；其中，第一掺杂区的传导型态与第一阱区、第二阱区以及衬底的传导型态相同。

技术研发人员：王大鹏,林梦林,李男,张敏,金鹏,李壮壮,胡臻平,刘婧迪
受保护的技术使用者：中国移动通信有限公司研究院
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13