一种真空灭弧室的瓷壳组件、真空灭弧室和断路器的制作方法

本发明涉及断路器配件领域，具体涉及一种真空灭弧室的瓷壳组件、具有该瓷壳组件的真空灭弧室以及具有该真空灭弧室的断路器。

背景技术：

1、陶瓷真空灭弧室在空气中做电气耐压实验时，有时会发生击穿现象。大致原因分为内击穿和外击穿。导致内击穿的原因主要为产品内部零件毛刺未去除干净、内部结构不合理、零件之间的间隙过小、内部电场分布不均匀导致集中在某一位置以及内部真空度不良等。外击穿的问题主要是瓷壳性能不达标、外部环境湿度大等问题。

2、对于预防电击穿的方法，现大部分解决方法是通过优化灭弧室内部零件结构和放置位置、增加瓷壳壁厚以及外部包胶等方式。

3、但现技术所用的包胶方法需要专门的包胶仪器设备，而且需要专门为某一型号的产品开模具。并且模具的可替代性不高。这使得包胶产品的成本增大。

4、而增厚陶瓷外壳和增大产品大小同样会使得成本大大的增加，并且增大产品大小意味着改变了产品的外形，这可能会导致与原本相配合的其他配套产品或是配套零件发生干涉甚至无法配合的现象。

技术实现思路

1、为此，本发明针对因产品小型化，内部配合间隙较小而导致电击穿的问题提出解决方案；提供一种真空灭弧室的瓷壳组件、真空灭弧室和断路器，在不扩大产品尺寸的情况下来提升产品耐电击穿的性能。

2、为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

3、一种真空灭弧室的瓷壳组件，包括瓷壳、屏蔽筒和连接环，所述瓷壳的内壁设置有瓷壳台阶，所述屏蔽筒设置于瓷壳内，连接环具有相连的横段和竖段，所述横段固定抵接于瓷壳台阶上，所述屏蔽筒固定于竖段上，定义横段抵接于瓷壳台阶上的面为抵接底面，所述抵接底面的外端部设置有缺口。

4、进一步的，所述缺口的壁面与所述抵接底面之间呈直角过渡。

5、进一步的，所述连接环有且只有在抵接底面的外端部设置有缺口。

6、进一步的，所述连接环的横段和竖段之间通过一圆弧段相连。

7、进一步的，所述连接环的材质为不锈钢。

8、进一步的，所述瓷壳在对应瓷壳台阶的外壁面为直壁面。

9、进一步的，所述瓷壳在与瓷壳台阶相错开的外壁面为凹凸起伏的壁面。

10、进一步的，所述瓷壳在直壁面位置的厚度与在凹凸起伏的壁面位置的最大厚度相等。

11、一种真空灭弧室，至少包括上述所述的真空灭弧室的瓷壳组件。

12、一种断路器，至少包括上述所述的真空灭弧室。

13、通过本发明提供的技术方案，具有如下有益效果：

14、在抵接底面的外端部设置缺口，使得在缺口部分电场集中度明显下降，连接环对应的瓷壳位置不会在要求的电压等级内产生电场过度聚集，从而有效预防电击穿。

15、同时，本申请还具有：

16、1.本申请是在原有零件的基础上进行了创新性的优化重构，不会影响原有产品的装配和使用，所以相关厂家或是使用场所仍然能正常使用(不会出现变更了关键零件导致外形也变化从而使得配合零件之间失效的情况)。并且人工成本也不会因使用了该零件而导致增加。

17、2.本申请能在不扩大产品大小的同时保证了产品在原有大小或是小型化要求的情况下达到需求的耐压水平。这使得产品本身成本不会增加，还可以进一步降低成本。

18、3.本申请的真空灭弧室可以不用刻意增厚瓷壳，从而不改变原有瓷壳尺寸。这使得瓷壳开模模具费用、材料费用、相关配套厂商转换配套器械费用都可以省去。

技术特征：

1.一种真空灭弧室的瓷壳组件，包括瓷壳、屏蔽筒和连接环，所述瓷壳的内壁设置有瓷壳台阶，所述屏蔽筒设置于瓷壳内，连接环具有相连的横段和竖段，所述横段固定抵接于瓷壳台阶上，所述屏蔽筒固定于竖段上，其特征在于：定义横段抵接于瓷壳台阶上的面为抵接底面，所述抵接底面的外端部设置有缺口。

2.根据权利要求1所述的真空灭弧室的瓷壳组件，其特征在于：所述缺口的壁面与所述抵接底面之间呈直角过渡。

3.根据权利要求1所述的真空灭弧室的瓷壳组件，其特征在于：所述连接环有且只有在抵接底面的外端部设置有缺口。

4.根据权利要求1所述的真空灭弧室的瓷壳组件，其特征在于：所述连接环的横段和竖段之间通过一圆弧段相连。

5.根据权利要求1所述的真空灭弧室的瓷壳组件，其特征在于：所述连接环的材质为不锈钢。

6.根据权利要求1所述的真空灭弧室的瓷壳组件，其特征在于：所述瓷壳在对应瓷壳台阶的外壁面为直壁面。

7.根据权利要求6所述的真空灭弧室的瓷壳组件，其特征在于：所述瓷壳在与瓷壳台阶相错开的外壁面为凹凸起伏的壁面。

8.根据权利要求7所述的真空灭弧室的瓷壳组件，其特征在于：所述瓷壳在直壁面位置的厚度与在凹凸起伏的壁面位置的最大厚度相等。

9.一种真空灭弧室，其特征在于：至少包括权利要求1至8任一项所述的真空灭弧室的瓷壳组件。

10.一种断路器，其特征在于：至少包括权利要求9所述的真空灭弧室。

技术总结
本发明提供一种真空灭弧室的瓷壳组件、真空灭弧室和断路器，真空灭弧室的瓷壳组件包括瓷壳、屏蔽筒和连接环，所述瓷壳的内壁设置有瓷壳台阶，所述屏蔽筒设置于瓷壳内，连接环具有相连的横段和竖段，所述横段固定抵接于瓷壳台阶上，所述屏蔽筒固定于竖段上，定义横段抵接于瓷壳台阶上的面为抵接底面，所述抵接底面的外端部设置有缺口。使得在缺口部分电场集中度明显下降，连接环对应的瓷壳位置不会在要求的电压等级内产生电场过度聚集，从而有效预防电击穿。

技术研发人员：熊振鹏,何跃,陈柏良
受保护的技术使用者：厦门宏发电力电器有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13