太阳能电池BSG清洗方法及TOPcon电池制备方法与流程

本申请涉及topcon电池制备，更具体地说，涉及一种太阳能电池bsg清洗方法及topcon电池制备方法。

背景技术：

1、n型topcon电池结构中，电池正面是通过掺杂硼源制作pn结的。高效率的太阳能电池需要低表面浓度的发射极，硼扩过程中不可避免的形成一层没有活性的富硼层，同时为了保护电池正面在后续工序不被破坏，需要很长的氧化时间形成bsg(硼硅玻璃)层，bsg层较厚，比较难处理。

2、目前，在n型topcon电池制备过程中，对于bsg层的去除，是采用一步链式滚轮酸洗进行去除，但因bsg层较厚，因此，链式滚轮酸洗工艺hf浓度要求较高，一般为55％-65％浓度，而高浓度的hf生产对设备和环境要求较高。同时，一步链式滚轮hf酸洗去除bsg层不够均匀，去除效果不好，并会因滚轮水平度问题而导致高浓度hf耗量加大。

3、综上所述，如何既降低去除bsg所用的hf的浓度，又提高bsg去除效果，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的是提供一种太阳能电池bsg清洗方法及topcon电池制备方法，用于既降低去除bsg所用的hf的浓度，又提高bsg去除效果。

2、为了实现上述目的，本申请提供如下技术方案：

3、一种太阳能电池bsg清洗方法，包括：

4、利用槽体中盛有的第一浓度的hf对硼扩散后的硅片进行槽式酸洗，以清洗所述硅片表面的bsg层；

5、对槽式酸洗后的所述硅片进行水洗和烘干；

6、利用第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，以清洗所述硅片背面及侧面剩余的bsg层。

7、优选的，所述第一浓度小于所述第二浓度。

8、优选的，所述第一浓度为5％-10％，所述第二浓度为20％-25％。

9、优选的，在利用第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，以清洗所述硅片背面及侧面剩余的bsg层前，还包括：

10、测量烘干后的所述硅片表面多个采样点处的反射率；

11、判断各所述采样点处的反射率是否均在设定反射率范围内；

12、若存在有采样点处的反射率低于所述设定反射率范围内的最小值，则返回所述利用槽体中盛有的第一浓度的hf对硼扩散后的硅片进行槽式酸洗，以清洗所述硅片表面的bsg层的步骤；

13、若各所述采样点处的反射率均在所述设定反射率范围内，则执行所述利用第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，以清洗所述硅片背面及侧面剩余的bsg层的步骤。

14、优选的，所述槽式酸洗的时间长度为180s±10s，所述链式酸洗的工艺参数为(3.6m±0.5m)/min，所述槽式酸洗及所述链式酸洗的温度均为18℃-25℃。

15、优选的，所述槽体中还包含有hcl，在利用槽体中盛有的第一浓度的hf对硼扩散后的硅片进行槽式酸洗时，还包括：

16、利用hcl对所述硅片进行清洗；

17、和/或，在第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗时，还包括：

18、利用hcl对所述硅片进行清洗。

19、优选的，采用第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，包括：

20、采用设置在酸洗槽中的所述第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗。

21、优选的，采用设置在酸洗槽中的所述第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，包括：

22、采用设置在第一酸洗槽中的所述第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行一次链式酸洗；

23、采用设置在第二酸洗槽中的所述第二浓度的hf对一次链式酸洗后的所述硅片进行二次链式酸洗。

24、优选的，在采用第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，以清洗所述硅片背面及侧面剩余的bsg层后，还包括：

25、对链式酸洗后的所述硅片进行水洗和烘干。

26、优选的，在利用第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，以清洗所述硅片背面及侧面剩余的bsg层时，还包括：

27、利用所述第二浓度的hf清洗所述硅片背面及侧面的富硼层。

28、一种n型topcon电池制备方法，包括：

29、对n型的硅片进行制绒，以在所述硅片表面制备金字塔绒面；

30、在所述硅片的金字塔绒面上进行硼扩散；

31、采用如上述任一项所述的太阳能电池bsg清洗方法清洗硼扩散后的硅片表面的bsg层；

32、对所述硅片背面进行抛光，在抛光后的所述硅片背面制备钝化接触层；

33、对所述硅片进行绕镀清洗，在所述硅片的正面制备氧化铝薄膜及氮氧化硅薄膜；

34、在所述硅片背面制备氮化硅薄膜；

35、在所述硅片正面及背面制备电极。

36、本申请提供了一种太阳能电池bsg清洗方法及topcon电池制备方法，其中，太阳能电池bsg清洗方法包括：利用槽体中盛有的第一浓度的hf对硼扩散后的硅片进行槽式酸洗，以清洗硅片表面的bsg层；对槽式酸洗后的硅片进行水洗和烘干；利用第二浓度的hf对烘干后的硅片进行链式酸洗，以清洗硅片背面及侧面剩余的bsg层。

37、本申请公开的上述技术方案，利用槽体中盛有的第一浓度的hf对硼扩散后的硅片进行槽式酸洗，以通过槽式酸洗去硅片表面部分的bsg层，然后，再对槽式酸洗后的硅片进行水洗和烘干，以避免对后续的链式酸洗造成影响。之后，利用第二浓度的hf对烘干后的硅片进行链式酸洗，以清洗掉硅片背面及侧面所剩余的bsg层。槽式酸洗是将硅片放置在hf中，因此，无需高浓度的hf即可实现对部分bsg层的清洗，且通过槽式酸洗可以达到剩余的bsg层表面较均匀、片内bsg厚度无极差较大的现象，以提高bsg层去除效果。由于槽式酸洗后硅片背面及侧面仅剩余部分bsg层，因此，经过槽式酸洗后更易进行bsg的清洗，则在利用链式酸洗进行清洗时即无需高浓度的hf就可实现对硅片背面和侧面所剩余bsg层的清洗，并可提高bsg层去除效果。并且在采用槽式酸洗+链式酸洗的基础上，即使链式酸洗时的滚轮水平轻微异常，也并不会影响去剩余bsg层的效果，因此，可以降低hf耗量，并可以减小机台后期维护成本。

技术特征：

1.一种太阳能电池bsg清洗方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池bsg清洗方法，其特征在于，所述第一浓度小于所述第二浓度。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池bsg清洗方法，所述第一浓度为5％-10％，所述第二浓度为20％-25％。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池bsg清洗方法，其特征在于，在利用第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，以清洗所述硅片背面及侧面剩余的bsg层前，还包括：

5.根据权利要求3所述的太阳能电池bsg清洗方法，其特征在于，所述槽式酸洗的时间长度为180s±10s，所述链式酸洗的工艺参数为(3.6m±0.5m)/min，所述槽式酸洗及所述链式酸洗的温度均为18℃-25℃。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池bsg清洗方法，其特征在于，所述槽体中还包含有hcl，在利用槽体中盛有的第一浓度的hf对硼扩散后的硅片进行槽式酸洗时，还包括：

7.根据权利要求1所述的太阳能电池bsg清洗方法，其特征在于，采用第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，包括：

8.根据权利要求7所述的太阳能电池bsg清洗方法，其特征在于，采用设置在酸洗槽中的所述第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，包括：

9.根据权利要求1所述的太阳能电池bsg清洗方法，其特征在于，在采用第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，以清洗所述硅片背面及侧面剩余的bsg层后，还包括：

10.根据权利要求1所述的太阳能电池bsg清洗方法，其特征在于，在利用第二浓度的hf对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，以清洗所述硅片背面及侧面剩余的bsg层时，还包括：

11.一种n型topcon电池制备方法，其特征在于，包括：

技术总结
本申请公开了一种太阳能电池BSG清洗方法及TOPcon电池制备方法，清洗方法包括：利用槽体中第一浓度的HF对硼扩散后的硅片进行槽式酸洗，以清洗硅片表面的BSG层；对硅片进行水洗和烘干；利用第二浓度的HF对烘干后的硅片进行链式酸洗，以清洗硅片背面及侧面剩余的BSG层。本申请公开的技术方案，利用槽式酸洗+链式酸洗进行BSG层清洗，由于槽式酸洗后硅片背面及侧面仅剩余部分BSG层，经过槽式酸洗后更易进行BSG的清洗，则在利用链式酸洗进行清洗时无需高浓度的HF就可对背面和侧面所剩余BSG层的清洗，并可提高BSG层去除效果。且即使链式酸洗时的滚轮水平轻微异常，也不影响去剩余BSG层的效果，降低HF耗量。

技术研发人员：吴孙弟,潘红军,康忠平,俞益波,卢玉荣
受保护的技术使用者：正泰新能科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11