基板处理装置、电极以及半导体装置的制造方法与流程

本公开涉及基板处理装置、电极以及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、作为半导体装置(设备)的制造工序的一个工序，有时进行如下基板处理：向基板处理装置的处理室内搬入基板，向处理室内供给原料气体和反应气体而在基板上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜，或者除去各种膜。

2、在形成细微图案的量产设备中，有时为了抑制杂质的扩散、或者能够使用有机材料等耐热性较低的材料而要求低温化。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2007-324477号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、为了解决这样的问题，一般使用等离子体来进行基板处理，但存在难以对膜进行均匀处理的情况。

3、本公开的目的在于提供能够进行更均匀的基板处理的技术。

4、用于解决课题的方

5、根据本公开的一个方案，提供一种电极的技术，该电极是用于产生等离子体的电极，具有第一电极组和第二电极组，上述第一电极组由被施加任意电位的至少一个第一电极、被施加任意电位且长度与上述第一电极的长度不同的至少一个第二电极、以及被分配基准电位的至少一个第三电极构成，上述第二电极组由被施加任意电位的至少一个第四电极、被施加任意电位且长度与上述第四电极的长度不同的至少一个第五电极、以及被分配基准电位的至少一个第六电极构成。

6、发明的效果如下。

7、根据本公开，可提供能够进行更均匀的基板处理的技术。

技术特征：

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

17.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

18.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

19.一种电极，用于产生等离子体，其特征在于，具备：

20.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

技术总结
本发明提供能够进行更均匀的基板处理的技术。提供一种电极的技术，该电极是用于产生等离子体的电极，具有第一电极组和第二电极组，第一电极组由被施加任意电位的至少一个第一电极、被施加任意电位且长度与上述第一电极的长度不同的至少一个第二电极、以及被分配基准电位的至少一个第三电极构成，第二电极组由被施加任意电位的至少一个第四电极、被施加任意电位且长度与上述第四电极的长度不同的至少一个第五电极、以及被分配基准电位的至少一个第六电极构成。

技术研发人员：竹田刚,原大介,中条博史,土仓伊一郎
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15