衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质与流程

本公开文本涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术：

1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在收容于处理容器内的衬底上形成具有各种组成的膜的衬底处理工序(例如参见专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2021-193748号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、本公开文本的目的在于，提供提高对形成于衬底上的膜的厚度的控制性的技术。

3、用于解决课题的手段

4、根据本公开文本的一个方式来提供下述技术，其具有：

5、(a)对收容于处理容器内的衬底供给第1处理气体，从而在衬底上形成具有规定的组成的第1膜的工序；和

6、(b)重复对收容于前述处理容器内的衬底供给第2处理气体的循环，从而在衬底上形成与前述第1膜组成不同的第2膜的工序，

7、在前述处理容器内的部件的最表面附着有前述第2膜的第2状态下进行前述(b)的情况下，将前述循环的重复进行规定的m次，

8、在前述处理容器内的部件的最表面附着有前述第1膜的第1状态下进行前述(b)的情况下，将前述循环的重复进行与前述m次不同的m±次，或者，将于前述处理容器内的部件的最表面形成前述第2膜的预涂布工序的循环的重复进行m次。

9、发明的效果

10、根据本公开文本，能够提供提高对形成于衬底上的膜的厚度的控制性的技术。

技术特征：

1.衬底处理方法，其具有：

2.如权利要求1所述的方法，其中，

3.如权利要求2所述的方法，其中，在对规定的衬底进行所述(a)后、对所述规定的衬底继续进行所述(b)的情况下，进行所述例外设定工序之后再开始所述循环的重复。

4.如权利要求2所述的方法，其中，在对规定的衬底进行所述(b)后、对所述规定的衬底继续进行所述(b)的情况下，进行所述常规设定工序之后再开始所述循环的重复。

5.如权利要求2所述的方法，其中，在对规定的衬底进行所述(a)后、对与所述规定的衬底不同的衬底进行所述(b)的情况下，进行所述预涂布工序及所述常规设定工序之后再开始所述循环的重复。

6.如权利要求2所述的方法，其中，在对规定的衬底进行所述(b)后、对与所述规定的衬底不同的衬底进行所述(b)的情况下，进行所述常规设定工序之后再开始所述循环的重复。

7.如权利要求2所述的方法，其中，在于所述处理容器内的部件的表面露出有清洁后的洁净面的第3状态下进行所述(b)的情况下，进行所述预涂布工序及所述常规设定工序之后再开始所述循环的重复。

8.如权利要求1所述的方法，其中，在所述预涂布工序中，在所述处理容器内不存在衬底的状态下，重复向所述处理容器内供给所述第2处理气体的所述循环。

9.如权利要求1所述的方法，其中，

10.如权利要求9所述的方法，其中，

11.如权利要求1所述的方法，其中，在所述第1状态下进行所述(b)的情况下，将所述循环的重复进行与所述m次不同的m±次。

12.如权利要求1所述的方法，其中，在所述第1状态下进行所述(b)的情况下，将所述循环的重复进行比所述m次多的m+次。

13.如权利要求2所述的方法，其中，在所述例外设定工序中，将所述循环的重复次数设定为比所述m次多的m+次。

14.如权利要求1所述的方法，其中，在所述处理容器内的部件的表面露出清洁后的洁净面的第3状态下进行所述(b)的情况下，将所述循环的重复次数进行比所述m次多的m+次。

15.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，在所述处理容器内的部件的表面露出有清洁后的洁净面的第3状态下进行所述(b)的情况下，进行将所述循环的重复次数设定为比所述m次多的m+次的所述例外设定工序之后再开始所述循环的重复。

16.半导体器件的制造方法，其具有：

17.衬底处理装置，其具有：

18.计算机可读取的记录介质，其记录有利用计算机使衬底处理装置执行下述步骤的程序，所述步骤包括：

技术总结
本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及计算机可读取的记录介质。本发明能够提高对形成于衬底上的膜的厚度的控制性。本发明具有：(a)在收容于处理容器内的衬底上形成第1膜的工序；和(b)重复对收容于处理容器内的衬底供给处理气体的循环，从而在衬底上形成与第1膜组成不同的第2膜的工序，其中，在处理容器内的部件的最表面附着有第2膜的第2状态下进行(b)的情况下，将循环的重复进行规定的m次，在处理容器内的部件的最表面附着有第1膜的第1状态下进行(b)的情况下，将循环的重复进行与m次不同的m±次，或者，在进行于处理容器内的部件的最表面形成第2膜的预涂布工序之后，将循环的重复进行m次。

技术研发人员：西田政哉,绀野光太郎,池谷谦
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15