半导体装置的制作方法

本发明涉及在将igbt和fwd反向并联连接的半导体装置中降低了反向峰值电流(irpeak)的半导体装置。

背景技术：

1、作为驱动马达等的开关元件，已知有将igbt(insulated gate bipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)和fwd(free wheeling diode：续流二极管)反向并联连接的半导体装置。与igbt反向并联连接的fwd具有保护igbt免受由在马达等线圈中产生的反电动势引起的回流电流的影响的作用。

2、已知有将igbt区域和fwd区域形成在同一半导体基板上来实现小型化以及削减接合线的反向导通型igbt(rc-igbt)。为了提高反向导通型igbt的动作特性，需要提高形成于同一半导体基板的igbt区域和fwd区域各自的动作特性。专利文献1的反向导通型igbt公开了在fwd区域中设置杂质浓度比阳极区域34的杂质浓度高的p阳极层36和n+载流子控制层44的例子。由此，使fwd区域的正向电流增加，fwd动作时的开关速度提高，能够实现高速化。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2015-109341号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、但是，在专利文献1的半导体装置中，如果要降低fwd区域的反向峰值电流(irpeak)，则也需要降低基极区域的杂质浓度。于是，igbt的阈值电压、负载短路耐量降低。

3、因此，本发明的课题在于提供一种不使igbt的阈值电压、负载短路耐量降低而降低了反向导通型igbt的反向峰值电流(irpeak)的半导体装置。

4、用于解决课题的手段

5、本发明的半导体装置具备igbt区域以及二极管区域，igbt区域包括：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，其位于第一半导体区域上，第二导电型是与第一导电型相反的导电型；第一导电型的第三半导体区域，其位于第二半导体区域上；第二导电型的第四半导体区域，其位于第一半导体区域上，且设置于与第二半导体区域相反的一侧；以及控制电极，其隔着绝缘膜而与第二半导体区域对置地配置，该二极管区域包括位于第一半导体区域上的第二导电型的第五半导体区域，第五半导体区域的杂质浓度比第二半导体区域的杂质浓度低。

6、发明效果

7、根据本发明，能够实现在不使igbt的阈值、负载短路耐量降低的情况下降低了反向导通型igbt的反向峰值电流(irpeak)的半导体装置。

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，