一种SE电池制备方法及SE电池与流程

本申请涉及太阳能电池领域，特别涉及一种se电池制备方法及se电池。

背景技术：

1、se(selective emitter)电池即选择性扩散电池，在细栅线接触区域形成高掺杂深扩区，在光照区域形成低掺杂浅扩散区，通过对发射区选择性掺杂，在栅线接触区域和其他区域实现不同扩散方阻的效果，降低了串联电阻，提升短路电流，最终提升电池转换效率。

2、目前行业主流电池尺寸为单晶182mm perc(passivated emitter rear cell，钝化发射极后电池)se电池，副栅线的数量也随着电池尺寸的变大而增多，要保证效率有效提升，则需要在栅线增加的基础上最大限度的减少遮光面积，即减小栅线宽度。无网结窄线宽的提效优势完全发挥需匹配扩散高阻低表面浓度工艺。由于无网结网版栅线更细，无网结技术对扩散方阻的要求更高。而现有的常规电池扩散工艺结深较深，方阻低，表面浓度高，电性能表现为开压低电流低，电池效率的提升幅度有限。因此，需要提供一种se电池制备方法，来解决现有电池制备过程中常规扩散工艺难与高目数无网结网版匹配，导致的电池转换效率低的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种se电池制备方法及se电池，从而提高电池转换效率。

2、为实现上述目的，本申请提供了一种se电池制备方法，包括：

3、对硅片依次进行至少两次扩散、至少两次推进、至少两次退火和扩散，得到具有目标扩散方阻的第一硅片；

4、通过激光辐照在所述第一硅片的正面形成se结构，得到具有目标方阻的第二硅片；

5、对所述第二硅片进行镀膜，得到第三硅片；

6、采用无网结网版将导电浆料印在所述第三硅片表面形成电极，得到se电池；所述无网结网版包括网纱和涂覆在所述网纱上的感光胶膜层；所述网纱为无网结网纱。

7、可选的，所述采用无网结正极网版将导电浆料印在所述第三硅片表面形成电极，得到se电池，包括：

8、采用无网结正极网版将导电浆料印在所述第三硅片表面形成电极，得到se电池；所述导电浆料的粘度范围为220000mpa·s至3200000mpa·s，且包含两端的值。

9、可选的，所述网纱的目数范围为480目至520目，且包含两端的值。

10、可选的，所述目标扩散方阻的范围为160ω/□至170ω/□，且包含两端的值；所述目标方阻的范围为80ω/□至90ω/□，且包含两端的值。

11、可选的，所述感光胶膜层上设置有正极图案孔，所述正极图案孔包括多个正极主栅和多个正极副栅，所述正极副栅的根数范围为150根至170根，且包含两端的值。

12、可选的，所述至少两次扩散，包括：

13、第一步扩散：恒温通入三氯氧磷和氧气；第一温度的范围为760℃至780℃，且包含两端的值；

14、第二步扩散：由所述第一温度升温至第二温度，并通入三氯氧磷和氧气；所述第二温度的范围为780℃至800℃，且包含两端的值；

15、第三步扩散：由所述第二温度升温至第三温度，并通入三氯氧磷和氧气；所述第三温度的范围为840℃至860℃，且包含两端的值。

16、可选的，所述至少两次推进，包括：

17、第一步推进：通入氧气，所述氧气的流量为110sccm；第四温度的范围为840℃至860℃，且包含两端的值；

18、第二步推进：第五温度的范围为840℃至860℃，且包含两端的值。

19、可选的，所述至少两次退火，包括：

20、第一步退火：由所述第五温度降温至第六温度，并通入氧气；所述第六温度为825℃；

21、降温：由所述第六温度降温至第七温度；所述第七温度为810℃；

22、第二步退火：由所述第七温度降温至第八温度，并通入氧气；所述第八温度为790℃。

23、可选的，所述扩散，包括：

24、第四步扩散：恒温通入三氯氧磷和氧气；第九温度为780℃；时间为540s；三氯氧磷的流量为1500sccm；氧气的流量为500sccm。

25、为实现上述目的，本申请还提供了一种se电池，包括：通过上述所述的se电池制备方法制备的se电池。

26、本申请提供的一种se电池制备方法，包括：对硅片依次进行至少两次扩散、至少两次推进、至少两次退火和扩散，得到具有目标扩散方阻的第一硅片；通过激光辐照在所述第一硅片的正面形成se结构，得到具有目标方阻的第二硅片；对所述第二硅片进行镀膜，得到第三硅片；采用无网结网版将导电浆料印在所述第三硅片表面形成电极，得到se电池；所述无网结网版包括网纱和涂覆在所述网纱上的感光胶膜层；所述网纱为无网结网纱。

27、显然，本申请使用高目数窄线宽网版印刷能有效降低太阳能电池印刷线宽，线宽降低可以大大减少遮光面积，同时匹配高阻低表面浓度工艺，能够进一步提高印刷性能，从而提升电池转换效率。本申请还提供一种se电池，与传统电池制备方法得到的电池相比，电池转换效率提升了0.05％-0.1％。

技术特征：

1.一种se电池制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的se电池制备方法，其特征在于，所述采用无网结正极网版将导电浆料印在所述第三硅片表面形成电极，得到se电池，包括：

3.根据权利要求1所述的se电池制备方法，其特征在于，所述网纱的目数范围为480目至520目，且包含两端的值。

4.根据权利要求1所述的se电池制备方法，其特征在于，所述目标扩散方阻的范围为160ω/□至170ω/□，且包含两端的值；所述目标方阻的范围为80ω/□至90ω/□，且包含两端的值。

5.根据权利要求1所述的se电池制备方法，其特征在于，所述感光胶膜层上设置有正极图案孔，所述正极图案孔包括多个正极主栅和多个正极副栅，所述正极副栅的根数范围为150根至170根，且包含两端的值。

6.根据权利要求1至5任一项所述的se电池制备方法，其特征在于，所述至少两次扩散，包括：

7.根据权利要求6所述的se电池制备方法，其特征在于，所述至少两次推进，包括：

8.根据权利要求6所述的se电池制备方法，其特征在于，所述至少两次退火，包括：

9.根据权利要求6所述的se电池制备方法，其特征在于，所述扩散，包括：

10.一种se电池，其特征在于，包括：通过权利要求1至9任一项所述的se电池制备方法制备的se电池。

技术总结
本申请公开了一种SE电池制备方法及SE电池，属于太阳能电池领域，该方法包括：对硅片依次进行至少两次扩散、至少两次推进、至少两次退火和扩散，得到具有目标扩散方阻的第一硅片；通过激光辐照在所述第一硅片的正面形成SE结构，得到具有目标方阻的第二硅片；对所述第二硅片进行镀膜，得到第三硅片；采用无网结网版将导电浆料印在所述第三硅片表面形成电极，得到SE电池；所述无网结网版包括网纱和涂覆在所述网纱上的感光胶膜层；所述网纱为无网结网纱。本申请使用高目数窄线宽网版匹配高阻低表面浓度工艺，能够进一步提高印刷性能，从而提升电池转换效率。

技术研发人员：邹超,丁红辉,李燕平,陆振宇,刘古岩,薛峰,孔海洋,张剑峰
受保护的技术使用者：正泰新能科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13