扩展方法与流程

本发明涉及对晶片单元的片进行扩展的扩展方法。

背景技术：

1、为了消除因扩展而产生的片的松弛，对片进行加热而使片收缩。以往，通过使与片的被加热区域面对的加热器沿着被加热区域旋转移动而对片进行加热(例如参照专利文献1)。

2、专利文献1：日本特开2012-156400号公报

3、另一方面，片具有md(machine direction：纵向)和td(transverse direction：横向)，即使对片进行加热，td方向的两端也不容易收缩。

4、当片未充分地收缩时，还有可能导致无法在将晶片分割而形成的芯片之间形成充分的间隔，从而操作时相邻的芯片彼此接触而损伤。

技术实现思路

1、由此，本发明的目的在于提供能够使扩展后的片加热收缩的扩展方法。

2、根据本发明，提供扩展方法，将晶片单元的片进行扩展，该晶片单元包含晶片、粘贴有该晶片的该片以及粘贴有该片的外周缘的环状框架，该环状框架具有收纳该晶片的开口，其中，该扩展方法具有如下的步骤：扩展步骤，将该晶片单元的该晶片的外周与该环状框架的内周之间的该片进行扩展；以及加热步骤，在实施了该扩展步骤之后，利用对该片进行加热的加热单元对该晶片的外侧与该环状框架的内周之间的该片的被加热区域进行加热，使在该扩展步骤中产生的该片的松弛收缩，该片的该被加热区域包含第1区域以及与该第1区域相比不容易通过加热而收缩的第2区域，利用从该加热单元向该片放射的热，在该片上形成温度比周围的片高的热点，在该加热步骤中，按照至少在整个该第2区域中定位该热点的方式使该加热单元移动。

3、优选在该加热步骤中，按照使该热点在该被加热区域中沿着该晶片的外周呈圆状移动并且在该第2区域中使该热点沿着该晶片的径向往复移动的方式使该加热单元移动。

4、优选在该加热步骤中，按照在该被加热区域上使该热点呈同心圆状移动的方式使该加热单元移动，由此对该片的整个该被加热区域进行加热。

5、本发明起到能够使扩展后的片加热收缩的效果。

技术特征：

1.一种扩展方法，将晶片单元的片进行扩展，该晶片单元包含晶片、粘贴有该晶片的该片以及粘贴有该片的外周缘的环状框架，该环状框架具有收纳该晶片的开口，

2.根据权利要求1所述的扩展方法，其中，

3.根据权利要求1所述的扩展方法，其中，

技术总结
本发明提供扩展方法，能够使扩展后的片加热收缩。扩展方法包含如下的步骤：扩展步骤，将晶片单元的晶片的外周与环状框架的内周之间的片进行扩展；以及加热步骤，在实施了扩展步骤之后，利用对片进行加热的加热单元对晶片的外侧与环状框架的内周之间的该片的区域进行加热而使在扩展步骤中产生的片的松弛收缩。该片的区域包含第1区域以及与该第1区域相比不容易通过加热而收缩的第2区域，利用从加热单元向片放射的热，在片上形成温度比周围的片高的热点，在加热步骤中按照至少在整个第2区域定位热点的方式使加热单元移动。

技术研发人员：植木笃,政田孝行
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15