阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术：

1、在显示技术领域，液晶显示器(liquid crystal display，lcd)与有机发光二极管显示器(organic light emitting diode，oled)等平板显示器已经逐步取代crt显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

2、显示面板是lcd、oled的重要组成部分。不论是lcd的显示面板，还是oled的显示面板，通常都具有一薄膜晶体管(thin film transistor，tft)基板。以lcd的显示面板为例，其主要是由一tft基板、一彩色滤光片基板(color filter，cf)、以及配置于两基板间的液晶层(liquid crystal layer)所构成，其工作原理是通过在tft基板与cf基板上施加驱动电压来控制液晶层中液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

3、目前，现有的tft基板按结构类型主要分为：共平面(coplanar)型、具有蚀刻阻挡层(etch stop layer，esl)型、背沟道蚀刻(back channel etch，bce)型等多种类型。

4、如图1所示，现有的esl型阵列基板包括基板101、依次设于基板101上的栅极102、绝缘层103、半导体层104、蚀刻阻挡层105、源极106a、漏极106b、钝化层107以及透明导电层108。其中，源极106a和漏极106b分别在基板101上的正投影与栅极102在基板1上的正投影大部分交叠，也就是说，源极106a和漏极106b与栅极102在基板上的交叠面积过大，从而导致寄生电容过高。

技术实现思路

1、本发明的目的在于，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决源极和漏极与栅极在基板上的交叠面积过大，从而导致寄生电容过高的技术问题。

2、为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括：基板；第一金属层，设置于所述基板上，所述第一金属层包括间隔设置的栅极和第一电极；半导体层，设置于所述第一金属层上，所述半导体层与所述第一电极连接；以及第二金属层，设置于所述半导体层上，所述第二金属层包括第二电极和连接电极，所述第二电极和所述连接电极分别与所述半导体层连接，且所述连接电极与所述第一电极对应设置；其中，所述连接电极在所述基板上的投影与所述栅极在所述基板上的投影不存在交叠。

3、进一步的，所述的阵列基板还包括：绝缘层，设置于所述第一金属层上，且覆盖所述栅极和所述第一电极；其中，所述绝缘层设有第一过孔，所述半导体层通过所述第一过孔与所述第一电极连接。

4、进一步的，所述的阵列基板还包括：蚀刻阻挡层，设置于所述半导体层上；其中，所述蚀刻阻挡层设有第二过孔和第三过孔，所述第二电极通过所述第二过孔与所述半导体层连接，所述连接电极通过所述第三过孔与所述半导体层连接。

5、进一步的，所述第一电极为漏极，所述第二电极为源极，所述阵列基板还包括：钝化层，覆盖所述第二电极及所述连接电极，且设置于所述绝缘层上方；其中，所述钝化层设有第四过孔；透明导电层，设置于所述钝化层上，且通过所述第四过孔连接至所述连接电极。

6、进一步的，所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极，所述阵列基板还包括：钝化层，覆盖所述第二电极及所述连接电极，且设置于所述绝缘层上方；其中，所述钝化层设有第四过孔；透明导电层，设置于所述钝化层上，且通过所述第四过孔连接至所述第二电极。

7、为实现上述目的，本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：

8、形成一第一金属层于一基板上；

9、对所述第一金属层进行图案化处理，形成间隔设置的栅极和第一电极；

10、形成一半导体层于所述第一金属层上；

11、形成一第二金属层于所述半导体层上；

12、对所述第二金属层进行图案化处理，形成第二电极和连接电极，所述第二电极和所述连接电极分别与所述半导体层连接，且所述连接电极与所述第一电极对应设置；

13、其中，所述连接电极在所述基板上的投影与所述栅极在所述基板上的投影不存在交叠。

14、进一步的，在所述第一金属层的形成步骤之后，所述半导体层的形成步骤之前，包括：

15、形成一绝缘层于所述第一金属层上，且覆盖所述栅极和所述第一电极；

16、对所述绝缘层进行挖孔处理，形成第一过孔；

17、所述形成一半导体层于所述第一金属层上的步骤包括：

18、在所述第一金属层上设置一层半导体材料层，并对所述半导体材料层进行图案化，形成所述半导体层，所述半导体层通过所述第一过孔与所述第一电极连接。

19、进一步的，在形成所述第二电极和连接电极之后，所述制备方法还包括：

20、形成一钝化层于所述第二金属层上，且覆盖所述第二电极及所述连接电极；其中，所述钝化层设有第四过孔；

21、形成一透明导电层于所述钝化层上，所述透明导电层通过所述第四过孔连接至所述第一电极或者所述连接电极。

22、进一步的，在形成所述半导体层于所述第一金属层上之后，所述制备方法还包括：

23、形成一蚀刻阻挡层于所述半导体层上；

24、对所述蚀刻阻挡层进行挖孔处理，形成第二过孔和第三过孔，所述第二电极通过所述第二过孔与所述半导体层连接，所述连接电极通过所述第三过孔与所述半导体层连接；或者

25、形成一蚀刻阻挡层于所述半导体层上，所述刻蚀阻挡层在所述半导体层上的正投影位于所述半导体层内，所述第二电极和所述连接电极的一端分别设置于所述蚀刻阻挡层上，所述第二电极和所述连接电极的另一端分别延伸至所述半导体层的表面。

26、为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板，包括上述任意一实施方式所述的阵列基板。

27、本发明的技术效果在于，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，将栅极与源漏电极中的一个电极同层设置，并且连接电极与源漏电极中的一个电极对应设置，以减少源漏电极在基板上的投影与栅极在基板上的投影的交叠面积，从而极大程度地降低了寄生电容。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为漏极，所述第二电极为源极，所述阵列基板还包括：

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极，所述阵列基板还包括：

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成所述第二电极和连接电极之后，所述制备方法还包括：

9.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成所述半导体层于所述第一金属层上之后，所述制备方法还包括：

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的阵列基板。

技术总结
本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括基板；第一金属层，设置于所述基板上，所述第一金属层包括间隔设置的栅极和第一电极；半导体层，设置于所述第一金属层上，所述半导体层与所述第一电极连接；以及第二金属层，设置于所述半导体层上，所述第二金属层包括第二电极和连接电极，所述第二电极和所述连接电极分别与所述半导体层连接，且所述连接电极与所述第一电极对应设置；其中，所述连接电极在所述基板上的投影与所述栅极在所述基板上的投影不存在交叠。本申请可以减少第一电极和第二电极在基板上的投影与栅极在基板上的投影的交叠面积，从而极大程度地降低了寄生电容。

技术研发人员：弓程
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1