本发明申请属于芯片封装,尤其涉及一种晶圆级封装方法。
背景技术:
1、伴随着电子工业的高速发展,电子产品的集成能力在不断提升,功能日益强大而体积也越来越小型化,电子产品中芯片的加工至关重要,而芯片加工中各个环节的工艺也在随之改善提升,比如封装,晶圆级封装是封装的一种方式,晶圆级封装是以晶圆片为加工对象,在晶圆片上同时对众多芯片进行封装、布线、测试,最后切割为单个器件,可以直接贴装到基板或者印刷电路板上,使得封装尺寸减小至ic芯片尺寸,生产成本大幅度下降,很多芯片微模组都是通过晶圆级封装后切割加工形成,如一种保护器件-瞬态电压抑制二极管(tvs)等小芯片。
2、小芯片的晶圆级封装目前主流是针对6寸及6寸以上的晶圆片,由于目前都是采用先进封装,小尺寸的晶圆片很难实现设备上的兼容,且在相同的工艺流程下,单片晶圆尺寸更小,其产出的芯片数量更少,在封装效率低的同时每个芯片的平均成本更高,且晶圆都只是通过晶圆上的v槽或者平边来确定摆放位置,对于放置多个晶圆的封装结构,晶圆包封后难以确定晶圆位置,故如何将晶圆精准对位后实现设备兼容、提高产量以完成晶圆级封装是亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术中的问题,本发明申请提供了一种晶圆级封装方法。
2、为实现上述目的,本发明申请提出的一种晶圆级封装方法,包括以下步骤:
3、基板打标步骤:将基板一表面上蚀刻出至少一组防呆标记和位置标记,每组防呆标记和位置标记位于此处晶圆直径的各等长延长线上;
4、晶圆打标步骤:在每个晶圆上形成与位置标记相同的对位标记,对位标记与位置标记对准,晶圆平边或缺口与防呆标记对准,初步定位晶圆在基板上的放置位置;
5、封装处理步骤:将晶圆有源面做的与防呆标记和位置标记相匹配的凸起,包封后将凸起处的标记转出到封装体上,形成塑封标记,并布线,后根据塑封标记分板并切割成单颗成品。
6、进一步,所述基板打标步骤中,晶圆直径<位置标记之间的间距<晶圆直径的1.2倍。
7、进一步,所述基板打标步骤中,打标后在基板的表面贴胶,用以将晶圆粘接,且该胶为半透明胶。
8、进一步,所述基板打标步骤中,每组防呆标记和位置标记位于与此处晶圆同心的外侧正方形的边长上。
9、进一步,所述晶圆打标步骤中,该晶圆的厚度范围为≦400μm,且在晶圆的切割道处做预切割形成预切割道,预切割道的深度范围为晶圆厚度的0.5~0.7倍。
10、进一步,所述晶圆打标步骤中,预切割道形成在晶圆上彼此靠近的芯片之间,且其宽度范围为≥60μm。
11、进一步,所述封装处理步骤中还包括:s1、包封后研磨暴露出凸起以将标记转出至封装体上;s2、对各个晶圆依次通过曝光、显影和电镀形成布线和引脚;s3、再次包封,去除基板和其上的胶,并从该面研磨晶圆至预切割道;s4、分板后切割预切割道的包封料,以形成单颗产品。
12、本发明申请:通过基板上的位置标记和防呆标记对应晶圆的槽边和对位标记,初步定位多个晶圆的放置位置,且在晶圆的芯片上形成凸起,多球拼成特征形状,将对位标记记录,再在后续的工艺流程中,将记录的标记转入为塑封标记,精准定位晶圆的位置,防止切割误伤,保证相同的流程下可作业多片晶圆,小尺寸晶圆亦可实现设备上的兼容,加工时效缩短,生产成本降低。
1.一种晶圆级封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述基板打标步骤中,晶圆直径<位置标记之间的间距<晶圆直径的1.2倍。
3.根据权利要求2所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述基板打标步骤中,打标后在基板的表面贴胶,用以将晶圆粘接,且该胶为半透明胶。
4.根据权利要求3所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述基板打标步骤中,每组防呆标记和位置标记位于与此处晶圆同心的外侧正方形的边长上。
5.根据权利要求4所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述晶圆打标步骤中,该晶圆的厚度范围为≦400μm,且在晶圆的切割道处做预切割形成预切割道,预切割道的深度范围为晶圆厚度的0.5~0.7倍。
6.根据权利要求5所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述晶圆打标步骤中,预切割道形成在晶圆上彼此靠近的芯片之间,且其宽度范围为≥60μm。
7.根据权利要求6所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述封装处理步骤中还包括:s1、包封后研磨暴露出凸起以将标记转出至封装体上;s2、对各个晶圆依次通过曝光、显影和电镀形成布线和引脚;s3、再次包封,去除基板和其上的胶,并从该面研磨晶圆至预切割道;s4、分板后切割预切割道的包封料,以形成单颗产品。