晶圆级封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体结构，尤其涉及一种晶圆级封装结构。
【背景技术】
[0002]随着芯片功能越来越多，对于封装的要求也越来越高，倒装、叠层已经成为趋势。在倒装、叠层的同时，还要求封装厚度尽量薄，这样就一定程度上要求芯片封装时尽量薄，从而造成加工过程的风险。
【实用新型内容】
[0003]在下文中给出关于本实用新型的简要概述，以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分，也不是意图限定本实用新型的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
[0004]本实用新型提供一种在满足芯片封装厚度尽量薄的同时降低加工过程风险的晶圆级封装结构。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型采取的技术方案是:
[0006]—种晶圆级封装结构，包括第一芯片；
[0007]所述第一芯片上设有多个凸点下金属层；
[0008]所述第一芯片上的一部分所述凸点下金属层连接第二芯片；
[0009]所述第一芯片上的另一部分所述凸点下金属层上植焊球；
[0010]所述焊球的顶部高于所述第二芯片的顶部；
[0011]所述第一芯片和所述第二芯片之间设有填充层。
[0012]相比于现有技术，本实用新型的有益效果至少包括:
[0013]在第一芯片上形成凸点下金属层，一部分凸点下金属层上植焊球，再将第一芯片和第二芯片面对面设置，由此组成的芯片结构在后续倒装工艺中，利用了第一芯片上的焊球与第二芯片形成的高度差，就可以将芯片结构倒装，而不破坏芯片结构，即倒装时不会损坏第二芯片，降低了加工过程中的风险。
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为本实用新型实施例提供的晶圆级封装结构的示意图。
[0016]附图标记:
[0017]1-第一芯片；2_第二芯片，21-功能凸点；3_凸点下金属层；4-焊球；5_填充层。
【具体实施方式】
[0018]为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。在本实用新型的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本实用新型无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0019]在本实用新型以下各实施例中，实施例的序号和/或先后顺序仅仅便于描述，不代表实施例的优劣。对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
[0020]参见图1，一种晶圆级封装结构，包括第一芯片I ;第一芯片I上设有多个凸点下金属层3 ;第一芯片I上的一部分所述凸点下金属层3连接第二芯片2 ;第一芯片I上的另一部分凸点下金属层3上植焊球4 ;焊球4的顶部高于第二芯片2的顶部；第一芯片I和第二芯片2之间设有填充层5。
[0021]在一种可选的实施方式中，以第一芯片I的上表面为基准面，焊球4顶部与所述基准面之间的高度为180-220微米；第二芯片2顶部距所述基准面的高度小于150微米。
[0022]在一种可选的实施方式中，焊球4顶部与所述基准面之间的高度为200微米，第二芯片2顶部与焊球4的顶部的距离为50微米。
[0023]优选地，第二芯片2的功能面上形成有多个功能凸点21 ;每个功能凸点21与相应的凸点下金属层3连接。
[0024]优选地，第一芯片I上的一部分凸点下金属层3位于第一芯片I的中间部位，第一芯片I上的另一部分的凸点下金属层3位于第二芯片2的四周。
[0025]在一种可选的实施方式中，填充层5为树脂层。焊球4为锡球。
[0026]本实用新型的结构中，第二芯片倒装后的总体高度小于150微米，与焊球形成50微米的高度差，可以在进行芯片以WLCSP(Wafer Level Chip Scale Packaging，晶圆级芯片封装方式)方式的倒装时，不损坏第二芯片，降低了加工过程中的风险。
[0027]另外，本实用新型的晶圆级封装结构是以晶圆为基础进行的，对位的精度和生产的效率也会得到提高。
[0028]最后应说明的是:虽然以上已经详细说明了本实用新型及其优点，但是应当理解在不超出由所附的权利要求所限定的本实用新型的精神和范围的情况下可以进行各种改变、替代和变换。而且，本实用新型的范围不仅限于说明书所描述的过程、设备、手段、方法和步骤的具体实施例。本领域内的普通技术人员从本实用新型的公开内容将容易理解，根据本实用新型可以使用执行与在此所述的相应实施例基本相同的功能或者获得与其基本相同的结果的、现有和将来要被开发的过程、设备、手段、方法或者步骤。因此，所附的权利要求旨在在它们的范围内包括这样的过程、设备、手段、方法或者步骤。
【主权项】
1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括第一芯片； 所述第一芯片上设有多个凸点下金属层； 所述第一芯片上的一部分所述凸点下金属层连接第二芯片； 所述第一芯片上的另一部分所述凸点下金属层上植焊球； 所述焊球的顶部高于所述第二芯片的顶部； 所述第一芯片和所述第二芯片之间设有填充层。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于: 以所述第一芯片的上表面为基准面，所述焊球顶部与所述基准面之间的高度180-220微米； 所述第二芯片顶部距所述基准面的高度小于150微米。
3.根据权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于: 所述焊球的顶部与所述基准面之间的高度为200微米，所述第二芯片的顶部与所述焊球的顶部的距离为50微米。
4.根据权利要求1-3任一项所述的晶圆级封装结构，其特征在于: 所述第二芯片的功能面上形成有多个功能凸点；每个所述功能凸点与相应的所述凸点下金属层连接。
5.根据权利要求4所述的晶圆级封装结构，其特征在于: 所述第一芯片上一部分所述凸点下金属层位于所述第一芯片的中间部位，所述第一芯片上的另一部分的所述凸点下金属层位于所述第二芯片的四周。
6.根据权利5所述的晶圆级封装结构，其特征在于: 所述填充层为树脂层。
7.根据权利要求6所述的晶圆级封装结构，其特征在于: 所述焊球为锡球。
【专利摘要】本实用新型公开了一种晶圆级封装结构，包括第一芯片；所述第一芯片上设有多个凸点下金属层；所述第一芯片上的一部分所述凸点下金属层连接第二芯片；所述第一芯片上的另一部分所述凸点下金属层上植焊球；所述焊球的顶部高于所述第二芯片的顶部；所述第一芯片和所述第二芯片之间设有填充层。相比于现有技术，本实用新型的有益效果至少包括：在第一芯片上形成凸点下金属层，一部分凸点下金属层上植焊球，再将第一芯片和第二芯片面对面设置，由此组成的芯片结构在后续倒装工艺中，利用了第一芯片上的焊球与第二芯片形成的高度差，就可以将芯片结构倒装，而不破坏芯片结构，即倒装时不会损坏第二芯片，降低了加工过程中的风险。
【IPC分类】H01L23-488, H01L23-00
【公开号】CN204391100
【申请号】CN201420860907
【发明人】丁万春
【申请人】南通富士通微电子股份有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2014年12月30日