芯片级封装led的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种芯片级封装LED，包括LED芯片，在LED芯片的侧面和顶面封装有封装胶；LED芯片包括芯片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在芯片本体的下方设有白胶层。本实用新型组装方便、可靠，提高了电连接的可靠性，有效的防止了锡膏上爬，防止出现短路的现象，提高了反射率，从而提高了出光率。
【专利说明】
芯片级封装LED
技术领域
[0001]本实用新型涉及芯片级封装LED。
【背景技术】
[0002]LED的传统封装是先将芯片固定到基板上，然后在基板上对芯片实现封装工艺，采用这种封装工艺形成的LED器件，一方面，在封装过程中，芯片可能会出现移动的现象，造成芯片封装的位置精度不高，而且还会影响到芯片与基板的导电性能，另一方面，封装胶的厚度均匀性难以控制，对出光也有一定的影响。对于在同一基板上封装了多个芯片的LED器件，如COB光源等，一旦封装完成，被封装的芯片被确定，假如出现芯片一致性不好或是某些芯片被损坏的现象，则会影响出光的一致性和出光效率以及光色，在这个情况下，如需要更换芯片，操作起来非常的困难。
[0003]后来，随着倒装芯片的出现，人们开始研究芯片级封装(CSP)技术，即在将芯片安装到基板上之前在芯片上进行封装。目前，这种封装技术形成的封装级芯片，体积最小、重量轻、电性能好。
[0004]现有不带基板的单个CSP的制作工艺是:首先在机台上铺设薄膜，然后在薄膜上放置多个芯片，接着在薄膜上封装荧光胶，并让荧光胶固化，让荧光胶包覆在除底面以外的芯片上，然后将上述成型芯片群切割成单颗的CSP。
[0005]芯片级封装结构一般是针对倒装晶片，在固定芯片级封装结构时，利用倒装晶片本身的电极与基板的焊盘电性连接，而由于倒装晶片本身的电极面积小，因此，不方便固定芯片级封装结构，而且电连接性能不可靠；另外，在焊接过程中，由于电极的侧面与倒装晶片本体的侧面基本平齐，因此，锡膏很容易沿着电极上爬到倒装晶片本体上，容易出现短路的现象。
【发明内容】
[0006]为了组装方便、可靠，为了提高电连接的可靠性，为了有效的防止锡膏上爬，防止出现短路的现象，本实用新型提供了一种芯片级封装LED。
[0007]为达到上述目的，芯片级封装LED，包括LED芯片，在LED芯片的侧面和顶面封装有封装胶；LED芯片包括芯片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积。
[0008]上述芯片级封装LED，由于延伸电极的面积大于电极的面积，使得该芯片级封装LED与基板等连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本实用新型的芯片级封装LED，固定的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极的下方设置了延伸电极，而且面积相对较大，因此，焊接的锡膏不容易上爬到芯片本体上，避免出现短路的现象。
[0009]进一步地，在芯片本体的下方设有白胶层，由于在芯片本体的下方成型了白胶层，白胶层的反射率高，当芯片级封装LED安装后，倒装晶片本体向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率高。经试验，将本实用新型的芯片级封装LED固定到黑色基板上和将普通的CSP封装结构固定到黑色基本上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0010]进一步的，延伸电极的外端凸出电极。能可靠的避免锡膏上爬到电极和倒装晶片本体上。
[0011]进一步的，白胶层高于延伸电极的底面。当芯片级封装LED安装到基板上后，白胶层与基板之间有间隙。因此，即使白胶层具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极与基板的紧密接触，另外，如果白胶层受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因此，减小芯片级封装LED与基板连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极与基板焊接过程中受热导致延伸电极与基板之间电连接不可靠的问题，使得芯片级封装LED与基板的连接更加的牢固。
[0012]进一步的，所述的封装胶为荧光胶。使得该芯片级封装LED五面出光。
[0013]进一步的，荧光胶的底面高于电极的底面。
[0014]进一步的，所述的封装胶包括挡光胶和荧光胶;在芯片本体的两相对侧设有挡光胶，在芯片本体的另外两相对侧和顶面上设有荧光胶。由于两相对侧面设置了挡光胶，因此，该结构的芯片级封装LED只有两相对侧面和顶面三面出光，LED芯片侧面的出光角度大，因此，使得具有荧光胶的两侧面的出光角度大，再加上挡光胶对光具有反射作用，通过挡光胶能将其中两相对侧面的光反射出去，使得三面出光更加均匀，在具有荧光胶的两侧暗区范围明显减小，也提高了光的利用率。
[0015]进一步的，在芯片本体与挡光胶之间设有荧光胶。使得LED芯片侧面发出的光激发挡光胶与LED芯片之间的荧光胶产生的光被挡光胶反射出光，进而提升出光效率。
[0016]进一步的，所述的封装胶包括挡光胶和荧光胶;在芯片本体的四周设有挡光胶，在芯片本体的顶面上设有荧光胶。通过挡光胶将光反射出去，该结构为单面出光，提高了出光效率。
[0017]进一步的，所述的LED芯片为倒装晶片或正装芯片。
【附图说明】
[0018]图1为实施例1芯片级封装LED的示意图。图2为图1的A-A剖视图。图3为延伸电极金属层的示意图。图4为将实施例1中的芯片级封装LED安装到基板上的示意图。图5为实施例1白胶高于延伸电极的芯片级封装LED的示意图。图6为将实施例1白胶高于延伸电极的芯片级封装LED安装到基板上的示意图。图7为实施例1在中间未填充白胶的芯片级封装LED。图8为实施例2芯片级封装LED的示意图。图9为实施例2白胶层高于延伸电极的芯片级封装LED的示意图。图10为图12中B-B芯片级封装LED三面出光示意图。图11为图12中C-C剖视图。图12为图10中的D-D剖视图。图13为三面出光的荧光胶覆盖在挡光胶上的芯片级封装LED的示意图。图14为三面出光的荧光胶覆盖在部分挡光胶上的芯片级封装LED的示意图。图15为三面出光的荧光胶包裹住倒装晶片的芯片级封装LED的示意图。图16为三面出光的封装胶高于电极底面的芯片级封装LED的示意图。图17为图16E-E的剖视图。图18为芯片级封装LED单面出光图。图19为图20中G-G剖视图。图20为图17中的H-H剖视图。图21为单面出光荧光胶全部覆盖挡光胶顶面的芯片级封装LED。图22为单面出光荧光胶部分覆盖挡光胶顶面的芯片级封装LED。图23为单面出光在倒装晶片全部包裹荧光胶的示意图。图24为单面出光封装胶高于电极底面的芯片级封装LED的示意图。图25为图24中1-1剖视图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合【具体实施方式】对本实用新型进行进一步详细说明。
[0020]芯片级封装LED包括LED芯片，在LED芯片的侧面和顶面封装有封装胶；LED芯片包括芯片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在芯片本体的下方设有白胶层。所述的LED芯片为倒装晶片或正装芯片。在以下的实施例中，以倒装晶片为例来说明。
[0021]实施例1。
[0022]如图1和图2所示，芯片级封装LED100包括倒装晶片I，倒装晶片I包括倒装晶片本体11和设在倒装晶片本体11底部的电极12，所述的电极包括正电极和负电极。
[0023]在倒装晶片I的侧面和顶面封装有封装胶2，所述的封装胶为荧光胶;封装胶2的底面与电极12的底面平齐。
[0024]在电极12的底部设有延伸电极3，延伸电极3的外端凸出电极12，延伸电极3的面积大于电极12的面积，在本实用新型中，所记载的面积为正投影面积。
[0025]在本实施例中，延伸电极包括正延伸电极和负延伸电极，正延伸电极连接在正电极的底面上，负延伸电极连接在负电极的底面上，正延伸电极的面积大于正电极的面积，正延伸电极的外端凸出正电极，负延伸电极的面积大于负电极的面积，负延伸电极的外端凸出负电极。
[0026]如图3所示，所述的延伸电极3包括依次连接的钛层31、镍层32和铜层33，钛层31与电极连接，一般电极为金，而铜与金的连接性能欠佳，为了让金与铜更好的连接，连接牢固，在电极12与铜层33之间形成了钛层31和镍层32，而且钛层31和镍层32能起到缓冲作用。
[0027]在倒装晶片本体11的下方设有白胶层4，在本实施例中，在正电极和负电极之间以及延伸电极外填充有白胶形成白胶层4。
[0028]如图4所示，将上述芯片级封装LED安装基板10上后，由于延伸电极3的面积大于电极12的面积，使得该芯片级封装LED 100与基板10连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本实用新型的芯片级封装LED 100，固定的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极12的下方成型了延伸电极3，而且面积相对较大，延伸电极3的外端凸出电极12，因此，焊接的锡膏不容易上爬到倒装晶片本体11上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层4，白胶层4的反射率高，当芯片级封装LED 100安装后，倒装晶片本体11向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率高。经试验，将本实用新型的芯片级封装LED固定到基板上和将普通的CSP封装结构固定到基板上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0029]如果白胶层4高于延伸电极3的底面，当芯片级封装LED安装到基板10上后，白胶层4与基板10之间有间隙。因此，即使白胶层4具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极3与基板10的紧密接触，另外，如果白胶层4受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因此，减小芯片级封装LED与基板10连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极3与基板10焊接过程中受热导致延伸电极3与基板10之间电连接不可靠的问题，使得芯片级封装LED与基板10的连接更加的牢固。
[0030]在涂白胶时，可以在同一倒装晶片的正负电极之间不填充白胶。
[0031]实施例2。
[0032]如图8所示，芯片级封装LED100包括倒装晶片I，倒装晶片I包括倒装晶片本体11和设在倒装晶片本体11底部的电极12，所述的电极包括正电极和负电极。
[0033]在倒装晶片I的侧面和顶面封装有封装胶2，所述的封装胶为荧光胶;封装胶2的底面高于电极12的底面。
[0034]在电极12的底部设有延伸电极3，延伸电极3的外端凸出电极12，延伸电极3的面积大于电极12的面积，在本实用新型中，所记载的面积为正投影面积。
[0035]在本实施例中，延伸电极包括正延伸电极和负延伸电极，正延伸电极连接在正电极的底面上，负延伸电极连接在负电极的底面上，正延伸电极的面积大于正电极的面积，正延伸电极的外端凸出正电极，负延伸电极的面积大于负电极的面积，负延伸电极的外端凸出负电极。
[0036]如图3所示，所述的延伸电极3包括依次连接的钛层31、镍层32和铜层33，钛层31与电极连接，一般电极为金，而铜与金的连接性能欠佳，为了让金与铜更好的连接，连接牢固，在电极12与铜层33之间形成了钛层31和镍层32，而且钛层31和镍层32能起到缓冲作用。
[0037]如图8所示，在倒装晶片本体11的下方设有白胶层4，在本实施例中，在正电极和负电极之间以及封装胶底面填充有白胶形成白胶层4。
[0038]将上述芯片级封装LED安装基板10上后，由于延伸电极3的面积大于电极12的面积，使得该芯片级封装LED 100与基板10连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本实用新型的芯片级封装LED 100，固定的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极12的下方成型了延伸电极3，而且面积相对较大，延伸电极3的外端凸出电极12，因此，焊接的锡膏不容易上爬到倒装晶片本体11上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层4，白胶层4的反射率高，当芯片级封装LED 100安装后，倒装晶片本体11向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率高。经试验，将本实用新型的芯片级封装LED固定到基板上和将普通的CSP封装结构固定到基板上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0039]如果白胶层4高于延伸电极3的底面，当芯片级封装LED安装到基板10上后，白胶层4与基板10之间有间隙。因此，即使白胶层4具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极3与基板10的紧密接触，另外，如果白胶层4受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因此，减小芯片级封装LED与基板10连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极3与基板10焊接过程中受热导致延伸电极3与基板10之间电连接不可靠的问题，使得芯片级封装LED与基板10的连接更加的牢固。
[0040]在涂白胶时，可以在同一倒装晶片的正负电极之间不填充白胶。
[0041 ] 实施例3。
[0042]如图10至图12所示，芯片级封装LED 100三面出光，芯片级封装LED 100包括倒装晶片I，倒装晶片I包括倒装晶片本体11和设在倒装晶片本体11底部的电极12，所述的电极包括正电极和负电极。
[0043]在倒装晶片I的侧面和顶面封装有封装胶2，所述的封装胶包括挡光胶2a和荧光胶2b。倒装晶片I的两相对侧面封装有挡光胶2a，挡光胶为白胶，这种挡光胶吸光少，而且对光具有反射作用。倒装晶片I的另外两相对侧面和顶面上封装有荧光胶2b;挡光胶2a的底面与电极的底面平齐，荧光胶2b的底面与电极12的底面平齐。
[0044]如图11所示，挡光胶2a的顶面与顶面的荧光胶2b平齐。避免因挡光胶2a高于荧光胶而影响出光角度。
[0045]作为另一种结构，如图13所示，顶面的荧光胶2b可全部覆盖在倒装晶片和挡光胶2a上。
[0046]作为改进，如图14所示，挡光胶2a的顶面与倒装晶片本体11的顶面平齐，顶面的荧光胶盖住挡光胶2a的一部分，减小在挡光胶2a的上方出现黄光。
[0047]作为改进，如图15所示，在倒装晶片的侧面和顶面封装有荧光胶2b，在两相对侧面且位于荧光胶外设有挡光胶2a，由于倒装晶片I与挡光胶2a之间也设有封装胶2b，从而能使得倒装晶片侧面发出的光激发封装胶产生的光被挡光胶反射出光，进而提升出光效率。
[0048]在电极12的底部设有延伸电极3，延伸电极3的外端凸出电极12，延伸电极3的面积大于电极12的面积，在本实用新型中，所记载的面积为正投影面积。
[0049]在本实施例中，延伸电极包括正延伸电极和负延伸电极，正延伸电极连接在正电极的底面上，负延伸电极连接在负电极的底面上，正延伸电极的面积大于正电极的面积，正延伸电极的外端凸出正电极，负延伸电极的面积大于负电极的面积，负延伸电极的外端凸出负电极。
[0050]如图3所示，所述的延伸电极3包括依次连接的钛层31、镍层32和铜层33，钛层31与电极连接，一般电极为金，而铜与金的连接性能欠佳，为了让金与铜更好的连接，连接牢固，在电极12与铜层33之间形成了钛层31和镍层32，而且钛层31和镍层32能起到缓冲作用。[0051 ]在倒装晶片本体11的下方设有白胶层4，在本实施例中，在正电极和负电极之间以及延伸电极外填充有白胶形成白胶层4。白胶层可以高于延伸电极3的底面。
[0052]在本实施例中，由于两相对侧面设置了挡光胶2a，因此，该结构的芯片级封装LED只有两相对侧面和顶面三面出光，倒装晶片I侧面的出光角度大，因此，使得具有荧光胶的两侧面的出光角度大，再加上挡光胶2a对光具有反射作用，通过挡光胶2a能将其中两相对侧面的光反射出去，使得三面出光更加均匀，在具有荧光胶的两侧暗区范围明显减小，也提高了光的利用率。
[0053]将上述芯片级封装LED安装基板上后，由于延伸电极3的面积大于电极12的面积，使得该芯片级封装LED 100与基板连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本实用新型的芯片级封装LED 100，固定的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极12的下方成型了延伸电极3，而且面积相对较大，延伸电极3的外端凸出电极12，因此，焊接的锡膏不容易上爬到倒装晶片本体11上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层4，白胶层4的反射率高，当芯片级封装LED 100安装后，倒装晶片本体11向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率高。经试验，将本实用新型的芯片级封装LED固定到基板上和将普通的CSP封装结构固定到基板上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0054]如果白胶层4高于延伸电极3的底面，当芯片级封装LED安装到基板上后，白胶层4与基板之间有间隙。因此，即使白胶层4具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极3与基板的紧密接触，另外，如果白胶层4受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因此，减小芯片级封装LED与基板连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极3与基板焊接过程中受热导致延伸电极3与基板之间电连接不可靠的问题，使得芯片级封装LED与基板的连接更加的牢固。
[0055]在本实施例中，可以在同一倒装晶片的正负电极之间不填充白胶。
[0056]实施例4。
[0057]如图16和图17所示，芯片级封装LED三面出光，芯片级封装LED 100包括倒装晶片I，倒装晶片I包括倒装晶片本体11和设在倒装晶片本体11底部的电极12，所述的电极包括正电极和负电极。
[0058]在倒装晶片本体11的侧面和顶面封装有封装胶2，所述的封装胶包括挡光胶2a和荧光胶2b ο倒装晶片本体11的两相对侧面封装有挡光胶2a，挡光胶为白胶，这种挡光胶吸光少，而且对光具有反射作用。倒装晶片本体11的另外两相对侧面和顶面上封装有荧光胶2b;挡光胶2a的底面高于电极的底面，荧光胶2b的底面高于电极12的底面。
[0059]如图17所示，挡光胶2a的顶面与顶面的荧光胶2b平齐。避免因挡光胶2a高于荧光胶而影响出光角度。
[0060]作为另一种结构，顶面的荧光胶2b可全部覆盖在倒装晶片和挡光胶2a上。
[0061]作为改进，挡光胶2a的顶面与倒装晶片本体11的顶面平齐，顶面的荧光胶盖住挡光胶2a的一部分，减小在挡光胶2a的上方出现黄光。
[0062]作为改进，在倒装晶片的侧面和顶面封装有荧光胶2b，在两相对侧面且位于荧光胶外设有挡光胶2a，由于倒装晶片I与挡光胶2a之间也设有封装胶2b，从而能使得倒装晶片侧面发出的光激发封装胶产生的光被挡光胶反射出光，进而提升出光效率。
[0063]在电极12的底部设有延伸电极3，延伸电极3的外端凸出电极12，延伸电极3的面积大于电极12的面积，在本实用新型中，所记载的面积为正投影面积。
[0064]在本实施例中，延伸电极包括正延伸电极和负延伸电极，正延伸电极连接在正电极的底面上，负延伸电极连接在负电极的底面上，正延伸电极的面积大于正电极的面积，正延伸电极的外端凸出正电极，负延伸电极的面积大于负电极的面积，负延伸电极的外端凸出负电极。
[0065]如图3所示，所述的延伸电极3包括依次连接的钛层31、镍层32和铜层33，钛层31与电极连接，一般电极为金，而铜与金的连接性能欠佳，为了让金与铜更好的连接，连接牢固，在电极12与铜层33之间形成了钛层31和镍层32，而且钛层31和镍层32能起到缓冲作用。
[0066]在倒装晶片本体11的下方设有白胶层4，在本实施例中，在正电极和负电极之间以及延伸电极外填充有白胶形成白胶层4。白胶层可以高于延伸电极的底面。
[0067]在本实施例中，由于两相对侧面设置了挡光胶2a，因此，该结构的芯片级封装LED只有两相对侧面和顶面三面出光，倒装晶片I侧面的出光角度大，因此，使得具有荧光胶的两侧面的出光角度大，再加上挡光胶2a对光具有反射作用，通过挡光胶2a能将其中两相对侧面的光反射出去，使得三面出光更加均匀，在具有荧光胶的两侧暗区范围明显减小，也提高了光的利用率。
[0068]将上述芯片级封装LED安装基板上后，由于延伸电极3的面积大于电极12的面积，使得该芯片级封装LED 100与基板连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本实用新型的芯片级封装LED 100，固定的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极12的下方成型了延伸电极3，而且面积相对较大，延伸电极3的外端凸出电极12，因此，焊接的锡膏不容易上爬到倒装晶片本体11上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层4，白胶层4的反射率高，当芯片级封装LED 100安装后，倒装晶片本体11向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率高。经试验，将本实用新型的芯片级封装LED固定到基板上和将普通的CSP封装结构固定到基板上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0069]如果白胶层4高于延伸电极3的底面，当芯片级封装LED安装到基板上后，白胶层4与基板之间有间隙。因此，即使白胶层4具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极3与基板的紧密接触，另外，如果白胶层4受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因此，减小芯片级封装LED与基板连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极3与基板焊接过程中受热导致延伸电极3与基板之间电连接不可靠的问题，使得芯片级封装LED与基板的连接更加的牢固。
[0070]在本实施例中，可以在同一倒装晶片的正负电极之间不填充白胶。
[0071]实施例5。
[0072]如图18至图20所示，芯片级封装LED 100单面出光，芯片级封装LED 100包括倒装晶片I，倒装晶片I包括倒装晶片本体11和设在倒装晶片本体11底部的电极12，所述的电极包括正电极和负电极。
[0073]在倒装晶片I的侧面和顶面封装有封装胶2，所述的封装胶包括挡光胶2a和荧光胶2b。倒装晶片I的四周封装有挡光胶2a，挡光胶为白胶，这种挡光胶吸光少，而且对光具有反射作用。倒装晶片I的顶面上封装有荧光胶2b;挡光胶2a的底面与电极的底面平齐。
[0074]如图18所示，挡光胶2a的顶面与顶面的荧光胶2b平齐。避免因挡光胶2a高于荧光胶而影响出光角度。
[0075]作为另一种结构，如图21所示，顶面的荧光胶2b可全部覆盖在倒装晶片和挡光胶2a上。
[0076]作为改进，如图22所示，挡光胶2a的顶面与倒装晶片本体11的顶面平齐，顶面的荧光胶盖住挡光胶2a的一部分，减小在挡光胶2a的上方出现黄光。
[0077]作为改进，如图23所示，在倒装晶片的侧面和顶面封装有荧光胶2b，在侧面且位于荧光胶外设有挡光胶2a，由于倒装晶片I与挡光胶2a之间也设有封装胶2b，从而能使得倒装晶片侧面发出的光激发封装胶产生的光被挡光胶反射出光，进而提升出光效率。
[0078]在电极12的底部设有延伸电极3，延伸电极3的外端凸出电极12，延伸电极3的面积大于电极12的面积，在本实用新型中，所记载的面积为正投影面积。
[0079]在本实施例中，延伸电极包括正延伸电极和负延伸电极，正延伸电极连接在正电极的底面上，负延伸电极连接在负电极的底面上，正延伸电极的面积大于正电极的面积，正延伸电极的外端凸出正电极，负延伸电极的面积大于负电极的面积，负延伸电极的外端凸出负电极。
[0080]如图3所示，所述的延伸电极3包括依次连接的钛层31、镍层32和铜层33，钛层31与电极连接，一般电极为金，而铜与金的连接性能欠佳，为了让金与铜更好的连接，连接牢固，在电极12与铜层33之间形成了钛层31和镍层32，而且钛层31和镍层32能起到缓冲作用。[0081 ]在倒装晶片本体11的下方设有白胶层4，在本实施例中，在正电极和负电极之间以及延伸电极外填充有白胶形成白胶层4。白胶层可以高于延伸电极的底面。
[0082]在本实施例中，由于四周设置了挡光胶2a，因此，该结构的芯片级封装LED只有顶面出光，再加上挡光胶2a对光具有反射作用，通过挡光胶2a能将四周的光反射出去，提高了光的利用率。
[0083]将上述芯片级封装LED安装基板上后，由于延伸电极3的面积大于电极12的面积，使得该芯片级封装LED 100与基板连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本实用新型的芯片级封装LED 100，固定的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极12的下方成型了延伸电极3，而且面积相对较大，延伸电极3的外端凸出电极12，因此，焊接的锡膏不容易上爬到倒装晶片本体11上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层4，白胶层4的反射率高，当芯片级封装LED 100安装后，倒装晶片本体11向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率高。经试验，将本实用新型的芯片级封装LED固定到基板上和将普通的CSP封装结构固定到基板上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0084]如果白胶层4高于延伸电极3的底面，当芯片级封装LED安装到基板上后，白胶层4与基板之间有间隙。因此，即使白胶层4具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极3与基板的紧密接触，另外，如果白胶层4受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因此，减小芯片级封装LED与基板连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极3与基板焊接过程中受热导致延伸电极3与基板之间电连接不可靠的问题，使得芯片级封装LED与基板的连接更加的牢固。
[0085]在本实施例中，可以在同一倒装晶片的正负电极之间不填充白胶。
[0086]实施例6。
[0087]如图24和图25所示，芯片级封装LED 100单面出光，芯片级封装LED 100包括倒装晶片I，倒装晶片I包括倒装晶片本体11和设在倒装晶片本体11底部的电极12，所述的电极包括正电极和负电极。
[0088]在倒装晶片本体11的侧面和顶面封装有封装胶2，所述的封装胶包括挡光胶2a和荧光胶2b。倒装晶片本体11的四周封装有挡光胶2a，挡光胶为白胶，这种挡光胶吸光少，而且对光具有反射作用。倒装晶片本体11的顶面上封装有荧光胶2b;挡光胶2a的底面高于电极的底面。
[0089]如图24所示，挡光胶2a的顶面与顶面的荧光胶2b平齐。避免因挡光胶2a高于荧光胶而影响出光角度。
[0090]作为另一种结构，顶面的荧光胶2b可全部覆盖在倒装晶片和挡光胶2a上。
[0091]作为改进，挡光胶2a的顶面与倒装晶片本体11的顶面平齐，顶面的荧光胶盖住挡光胶2a的一部分，减小在挡光胶2a的上方出现黄光。
[0092]作为改进，在倒装晶片的侧面和顶面封装有荧光胶2b，在四周且位于荧光胶外设有挡光胶2a，由于倒装晶片I与挡光胶2a之间也设有封装胶2b，从而能使得倒装晶片侧面发出的光激发封装胶产生的光被挡光胶反射出光，进而提升出光效率。
[0093]在电极12的底部设有延伸电极3，延伸电极3的外端凸出电极12，延伸电极3的面积大于电极12的面积，在本实用新型中，所记载的面积为正投影面积。
[0094]在本实施例中，延伸电极包括正延伸电极和负延伸电极，正延伸电极连接在正电极的底面上，负延伸电极连接在负电极的底面上，正延伸电极的面积大于正电极的面积，正延伸电极的外端凸出正电极，负延伸电极的面积大于负电极的面积，负延伸电极的外端凸出负电极。
[0095]如图3所示，所述的延伸电极3包括依次连接的钛层31、镍层32和铜层33，钛层31与电极连接，一般电极为金，而铜与金的连接性能欠佳，为了让金与铜更好的连接，连接牢固，在电极12与铜层33之间形成了钛层31和镍层32，而且钛层31和镍层32能起到缓冲作用。
[0096]在倒装晶片本体11的下方设有白胶层4，在本实施例中，在正电极和负电极之间以及延伸电极外填充有白胶形成白胶层4。白胶层可以高于延伸电极的底面。
[0097]将上述芯片级封装LED安装基板上后，由于延伸电极3的面积大于电极12的面积，使得该芯片级封装LED 100与基板连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本实用新型的芯片级封装LED 100，固定的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极12的下方成型了延伸电极3，而且面积相对较大，延伸电极3的外端凸出电极12，因此，焊接的锡膏不容易上爬到倒装晶片本体11上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层4，白胶层4的反射率高，当芯片级封装LED 100安装后，倒装晶片本体11向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率高。经试验，将本实用新型的芯片级封装LED固定到基板上和将普通的CSP封装结构固定到基板上，前者的出光率高出了后者的14%-18%。
[0098]如果白胶层4高于延伸电极3的底面，当芯片级封装LED安装到基板上后，白胶层4与基板之间有间隙。因此，即使白胶层4具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极3与基板的紧密接触，另外，如果白胶层4受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因此，减小芯片级封装LED与基板连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极3与基板焊接过程中受热导致延伸电极3与基板之间电连接不可靠的问题，使得芯片级封装LED与基板的连接更加的牢固。
[0099]在本实施例中，可以在同一倒装晶片的正负电极之间不填充白胶。
【主权项】
1.芯片级封装LED，包括LED芯片，在LED芯片的侧面和顶面封装有封装胶;其特征在于:LED芯片包括芯片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在芯片本体的下方设有白胶层。2.根据权利要求1所述的芯片级封装LED，其特征在于:延伸电极的外端凸出电极。3.根据权利要求2所述的芯片级封装LED，其特征在于:白胶层高于延伸电极的底面。4.根据权利要求1所述的芯片级封装LED，其特征在于:所述的封装胶为荧光胶。5.根据权利要求4所述的芯片级封装LED，其特征在于:荧光胶的底面高于电极的底面。6.根据权利要求1所述的芯片级封装LED，其特征在于:所述的封装胶包括挡光胶和荧光胶;在芯片本体的两相对侧设有挡光胶，在芯片本体的另外两相对侧和顶面上设有荧光胶。7.根据权利要求6所述的芯片级封装LED，其特征在于:在芯片本体与挡光胶之间设有荧光胶。8.根据权利要求1所述的芯片级封装LED，其特征在于:所述的封装胶包括挡光胶和荧光胶;在芯片本体的四周设有挡光胶，在芯片本体的顶面上设有荧光胶。9.根据权利要求1所述的芯片级封装LED，其特征在于:所述的LED芯片为倒装芯片或正装芯片。
【文档编号】H01L33/38GK205595364SQ201521121354
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2015年12月31日
【发明人】熊毅, 郭生树, 吴瑶, 吕天刚, 王跃飞
【申请人】广州市鸿利光电股份有限公司