成膜方法和处理装置与流程

本公开涉及一种成膜方法和处理装置。

背景技术：

1、已知一种交替地重复成膜步骤和蚀刻步骤来对形成于基板的表面的凹部填埋膜的技术(例如参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2019-33230号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种能够改善针对凹部填埋氮化硼膜的填埋特性的技术。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给包含含硼气体和含氮气体的第一气体，来在所述凹部形成氮化硼膜；以及向所述基板供给不包含含硼气体而包含含氮气体的第二气体，并对所述氮化硼膜进行热处理。

5、发明的效果

6、根据本公开，能够改善对凹部填埋氮化硼膜的填埋特性。

技术特征：

1.一种成膜方法，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

8.一种处理装置，具备处理容器、气体供给部以及控制部，

技术总结
本发明提供一种成膜方法和处理装置，能够改善针对凹部填埋氮化硼膜的填埋特性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给包含含硼气体和含氮气体的第一气体，来在所述凹部形成氮化硼膜；以及向所述基板供给不包含含硼气体而包含含氮气体的第二气体，并对所述氮化硼膜进行热处理。

技术研发人员：伊藤究,户根川大和
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15