一种低压大电流沟槽型MOS器件的制作方法

本发明涉及mos器件，特别涉及一种低压大电流沟槽型mos器件。

背景技术：

1、mos管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。mos英文全称为metal-oxide-semiconductor，即金属-氧化物-半导体，表示为：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。mos管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件，很多特性和应用方向都与三极管类似。这种器件不仅体积小、质量轻、耗电省、寿命长、而且还具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点，应用广泛，特别是在大规模的集成电路中。

2、授权公告号为“cn218351447u”的申请公开了了一种低压大电流沟槽型功率mosfet器件，包括器件本体，所述器件本体的底部固定有安装底座，所述器件本体的左右两侧均固定有若干器件引脚本体，且器件引脚本体呈l型设置，所述器件本体顶部的左右两侧均设置有防护板，且防护板底部的一侧与器件本体铰接，所述防护板的顶部开设有容纳槽；本实用新型通过防护板、容纳槽、固定块和固定槽的设置，使得该器件能够在安装完成后，对其两侧暴露在外界的引脚进行遮挡防护，避免引脚受到冲击出现弯折或者断裂情况，延长了该器件的使用寿命。

3、由于mos器件工作时会因大电流产生较高的温度，mos器件内部温度过高会影响mos器件的性能及使用寿命，上述器件本体仅通过散热板对器件本体散热，散热板与器件本体接触面积小，使得散热效率较低，影响器件本体的散热。

技术实现思路

1、本发明提供一种低压大电流沟槽型mos器件，用以解决目前器件本体仅通过散热板对器件本体散热，散热板与器件本体接触面积小，散热效率较低，影响器件本体的散热的技术问题。

2、为解决上述技术问题，本发明公开了一种低压大电流沟槽型mos器件，包括：器件本体，器件本体安装在底座上，器件本体左右两侧设置若干引脚，器件本体上表面设置第一散热板，第一散热板左右两侧对称设置防护板，第一散热板上左右对称设置第二散热板，第二散热板下端贯穿第一散热板并与器件本体上表面抵接，器件本体上端设置与第二散热板相对应的散热孔，散热孔下端与器件本体内部连通，第二散热板内设置盲孔，盲孔下端与散热孔上端连通，第二散热板外壁设置若干气孔，气孔一端与第二散热板外部连通，气孔另一端与盲孔内部连通。

3、优选的，气孔呈倾斜设置，气孔靠近盲孔一端高度大于气孔远离盲孔一端高度。

4、优选的，防护板内竖直设置第一滑动孔，第一滑动孔上下两端分别贯穿防护板上下表面，第一滑动孔下方设置安装孔，安装孔设置在底座内，第一滑动孔内滑动设置第一滑动杆，第一滑动杆上端延伸至第一滑动孔上方，第一滑动杆下端延伸至安装孔内并通过连接组件与安装孔连接。

5、优选的，连接组件包括弹性卡块与卡槽，卡槽设置在安装孔内壁，卡槽设置有若干个，弹性卡块固定设置在第一滑动杆靠近下端外壁，弹性卡块与卡槽相适配，弹性卡块采用弹性硅胶材质制成。

6、优选的，第一滑动杆靠近上端位置水平设置第二滑动孔，第二滑动孔左右两端分别贯穿第一滑动杆左右两侧壁，第二滑动孔呈直角梯形状，第二滑动孔下端设置第一斜面，第二滑动孔靠近第一散热板一端截面积大于第二滑动孔远离第一散热板一端截面积，防护板上表面滑动设置第二滑动杆，第二滑动杆与第二滑动孔内壁滑动连接，第二滑动杆远离第二散热板一端设置第二斜面，第二斜面与第一斜面相适配，第二滑动杆靠近第二散热板一端贯穿第二散热板，第二滑动杆通过第三滑动孔与第二散热板滑动连接，第二滑动杆内设置第一流通孔，第一流通孔与盲孔内部连通。

7、优选的，第二滑动杆远离第一滑动杆一端设置挡板，挡板与第一散热板上表面滑动连接，挡板与第二散热板之间设置第一弹簧，第一弹簧一端与第二散热板外壁固定连接，第一弹簧另一端与挡板侧壁固定连接。

8、优选的，盲孔内设置连通组件，连通组件位于第二滑动杆上，连通组件包括底板，底板内设置若干第二流通孔，第二流通孔上下两端分别贯穿底板上下表面，第二流通孔与盲孔连通，底板上端设置套管，套管外壁与盲孔内壁滑动连接，套管内设置环形块，环形块外侧壁与套管内壁固定连接，环形块上端设置封堵板，环形块内设置环形槽，环形槽内设置固定块，固定块中心设置连通孔，连通孔内滑动设置连接绳，连接绳一端延伸至环形槽上方并与封堵板外壁连接，连接绳另一端设置密封块，密封块位于固定块下方，密封块与环形槽内壁滑动连接，密封块与固定块之间设置第二弹簧，第二弹簧一端与固定块下表面连接，第二弹簧另一端与密封块上表面连接。

9、优选的，封堵板截面呈圆弧状。

10、优选的，盲孔内壁设置限位槽，限位槽位于第三滑动孔上方，限位槽与第三滑动孔连通，底板外周与限位槽相适配。

11、优选的，盲孔内壁设置若干安装槽，安装槽位于固定块与密封块之间，安装槽内设置转轴，转轴上设置防滑板，防滑板一端延伸至环形槽内，防滑板下方设置弹性块，弹性块与安装槽底壁固定连接。

12、本发明的技术方案具有以下优点：本发明提供了一种低压大电流沟槽型mos器件，涉及mos器件技术领域，包括器件本体，器件本体安装在底座上，器件本体上表面设置第一散热板，第一散热板左右两侧对称设置防护板，第一散热板上左右对称设置第二散热板，第二散热板下端贯穿第一散热板，器件本体上端设置与第二散热板相对应的散热孔，散热孔下端与器件本体内部连通，第二散热板内设置盲孔，盲孔下端与散热孔上端连通，第二散热板外壁设置若干气孔。本发明中，通过第一散热板与器件本体上表面贴合，增大了第一散热板与器件本体的接触面积，增大了散热面积，器件本体内部的热气体通过散热孔进入盲孔并从气孔排出，增强了器件本体的散热效果，器件本体产生的热量通过第一散热板、第二散热板及气孔快速发散至器件本体外部，提高了器件本体的散热效率，保证了器件本体的使用性能，使得器件本体保持在稳定的工作温度，延长了器件本体的使用寿命。

13、本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及说明书附图中所特别指出的装置来实现和获得。

14、下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

技术特征：

1.一种低压大电流沟槽型mos器件，其特征在于，包括：器件本体（1），器件本体（1）安装在底座（2）上，器件本体（1）左右两侧设置若干引脚（3），器件本体（1）上表面设置第一散热板（4），第一散热板（4）左右两侧对称设置防护板（5），第一散热板（4）上左右对称设置第二散热板（6），第二散热板（6）下端贯穿第一散热板（4）并与器件本体（1）上表面抵接，器件本体（1）上端设置与第二散热板（6）相对应的散热孔（7），散热孔（7）下端与器件本体（1）内部连通，第二散热板（6）内设置盲孔（8），盲孔（8）下端与散热孔（7）上端连通，第二散热板（6）外壁设置若干气孔（9），气孔（9）一端与第二散热板（6）外部连通，气孔（9）另一端与盲孔（8）内部连通。

2.根据权利要求1所述的一种低压大电流沟槽型mos器件，其特征在于，气孔（9）呈倾斜设置，气孔（9）靠近盲孔（8）一端高度大于气孔（9）远离盲孔（8）一端高度。

3.根据权利要求1所述的一种低压大电流沟槽型mos器件，其特征在于，防护板（5）内竖直设置第一滑动孔（10），第一滑动孔（10）上下两端分别贯穿防护板（5）上下表面，第一滑动孔（10）下方设置安装孔（11），安装孔（11）设置在底座（2）内，第一滑动孔（10）内滑动设置第一滑动杆（12），第一滑动杆（12）上端延伸至第一滑动孔（10）上方，第一滑动杆（12）下端延伸至安装孔（11）内并通过连接组件与安装孔（11）连接。

4.根据权利要求3所述的一种低压大电流沟槽型mos器件，其特征在于，连接组件包括弹性卡块（13）与卡槽（14），卡槽（14）设置在安装孔（11）内壁，卡槽（14）设置有若干个，弹性卡块（13）固定设置在第一滑动杆（12）靠近下端外壁，弹性卡块（13）与卡槽（14）相适配，弹性卡块（13）采用弹性硅胶材质制成。

5.根据权利要求4所述的一种低压大电流沟槽型mos器件，其特征在于，第一滑动杆（12）靠近上端位置水平设置第二滑动孔（15），第二滑动孔（15）左右两端分别贯穿第一滑动杆（12）左右两侧壁，第二滑动孔（15）呈直角梯形状，第二滑动孔（15）下端设置第一斜面，第二滑动孔（15）靠近第一散热板（4）一端截面积大于第二滑动孔（15）远离第一散热板（4）一端截面积，防护板（5）上表面滑动设置第二滑动杆（16），第二滑动杆（16）与第二滑动孔（15）内壁滑动连接，第二滑动杆（16）远离第二散热板（6）一端设置第二斜面，第二斜面与第一斜面相适配，第二滑动杆（16）靠近第二散热板（6）一端贯穿第二散热板（6），第二滑动杆（16）通过第三滑动孔与第二散热板（6）滑动连接，第二滑动杆（16）内设置第一流通孔（17），第一流通孔（17）与盲孔（8）内部连通。

6.根据权利要求5所述的一种低压大电流沟槽型mos器件，其特征在于，第二滑动杆（16）远离第一滑动杆（12）一端设置挡板（18），挡板（18）与第一散热板（4）上表面滑动连接，挡板（18）与第二散热板（6）之间设置第一弹簧（19），第一弹簧（19）一端与第二散热板（6）外壁固定连接，第一弹簧（19）另一端与挡板（18）侧壁固定连接。

7.根据权利要求6所述的一种低压大电流沟槽型mos器件，其特征在于，盲孔（8）内设置连通组件（20），连通组件（20）位于第二滑动杆（16）上，连通组件（20）包括底板（21），底板（21）内设置若干第二流通孔（22），第二流通孔（22）上下两端分别贯穿底板（21）上下表面，第二流通孔（22）与盲孔（8）连通，底板（21）上端设置套管（23），套管（23）外壁与盲孔（8）内壁滑动连接，套管（23）内设置环形块（24），环形块（24）外侧壁与套管（23）内壁固定连接，环形块（24）上端设置封堵板（28），环形块（24）内设置环形槽（25），环形槽（25）内设置固定块（26），固定块（26）中心设置连通孔，连通孔内滑动设置连接绳（27），连接绳（27）一端延伸至环形槽（25）上方并与封堵板（28）外壁连接，连接绳（27）另一端设置密封块（29），密封块（29）位于固定块（26）下方，密封块（29）与环形槽（25）内壁滑动连接，密封块（29）与固定块（26）之间设置第二弹簧（30），第二弹簧（30）一端与固定块（26）下表面连接，第二弹簧（30）另一端与密封块（29）上表面连接。

8.根据权利要求7所述的一种低压大电流沟槽型mos器件，其特征在于，封堵板（28）截面呈圆弧状。

9.根据权利要求7所述的一种低压大电流沟槽型mos器件，其特征在于，盲孔（8）内壁设置限位槽（31），限位槽（31）位于第三滑动孔上方，限位槽（31）与第三滑动孔连通，底板（21）外周与限位槽（31）相适配。

10.根据权利要求9所述的一种低压大电流沟槽型mos器件，其特征在于，盲孔（8）内壁设置若干安装槽（32），安装槽（32）位于固定块（26）与密封块（29）之间，安装槽（32）内设置转轴（33），转轴（33）上设置防滑板（34），防滑板（34）一端延伸至环形槽（25）内，防滑板（34）下方设置弹性块（35），弹性块（35）与安装槽（32）底壁固定连接。

技术总结
本发明提供了一种低压大电流沟槽型MOS器件，涉及MOS器件技术领域，包括器件本体，器件本体安装在底座上，器件本体上表面设置第一散热板，第一散热板左右两侧对称设置防护板，第一散热板上左右对称设置第二散热板，第二散热板下端贯穿第一散热板，器件本体上端设置与第二散热板相对应的散热孔，散热孔下端与器件本体内部连通，第二散热板内设置盲孔，盲孔下端与散热孔上端连通，第二散热板外壁设置若干气孔。本发明中，通过第一散热板与器件本体上表面贴合，增大了第一散热板与器件本体的接触面积，增大了散热面积，器件本体内部的热气体通过散热孔进入盲孔并从气孔排出，增强了器件本体的散热效果。

技术研发人员：马奕俊,张小龙,马奕鸿
受保护的技术使用者：深圳辰达行电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12